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[发明专利]发光二极管元件-CN201110252361.1有效
发明人：陈昭兴;沈建赋;柯淙凯;洪详竣 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管元件，包含串联式连接的发光二极管元件阵列，具有多个发光二极管单元置于单一基板上、第一发光二极管单元、第二发光二极管单元、以及串联式连接的子发光二极管元件阵列包含至少三个发光二极管单元介于第一与第二发光二极管单元之间，第一发光二极管单元与第二发光二极管单元各具有第一侧与第二侧，第一发光二极管单元及/或第二发光二极管单元的第一侧邻近子发光二极管元件阵列，而第一发光二极管单元的第二侧则邻近于第二发光二极管单元的第二侧；沟槽，位于第一发光二极管单元的第二侧与第二发光二极管单元的第二侧之间；以及保护结构，位于邻近沟槽处以预防高于正常操作电压的突波电压破坏发光二极管元件。
发光二极管元件

[发明专利]发光二极管元件-CN201610587606.9有效
发明人：陈昭兴;沈建赋;柯淙凯;洪详竣 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种发光二极管元件，包含一串联式连接的发光二极管元件阵列，具有多个发光二极管单元置于单一基板上，彼此电性串联，包含一第一发光二极管单元、一第二发光二极管单元、以及一子发光二极管元件阵列包含至少三个发光二极管单元，介于第一与第二发光二极管单元之间；其中，第一与第二发光二极管单元各具有一第一侧与一第二侧，第一发光二极管单元及/或第二发光二极管单元的第一侧邻近子发光二极管元件阵列，第一发光二极管单元的第二侧邻近该第二发光二极管单元的第二侧，第一发光二极管单元与第二发光二极管单元的第一半导体层位于两相邻第二侧之间的距离介于15‑50微米；以及多个传导金属，分别位于相邻发光二极管单元之间，传导金属分别包含一延伸部，延伸部的末端具有大于传导金属线宽的曲率半径
发光二极管元件

[发明专利]发光二极管元件-CN201910393947.6有效
发明人：叶慧君 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管元件，包含：基板，其包含四个边缘；多个发光二极管单元，形成在基板上，其中多个发光二极管单元形成一串联阵列，具有至少三个相邻的发光单元行；以及多个导电配线结构，连接多个发光二极管单元；其中多个发光二极管单元中的一个发光二极管单元跨越发光单元行中至少两相邻的发光单元行，且此发光二极管单元之一长边邻近于基板之四个边缘之一边缘。
发光二极管元件

[发明专利]发光二极管元件-CN201310392154.5在审
发明人：叶慧君 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-09-02 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种发光二极管元件，其包含基板，具有第一表面；多个发光二极管单元，形成在第一表面上，任一发光二极管单元具有一面积，且任一发光二极管单元包含：第一半导体层；第二半导体层，形成在第一半导体层上；及活性层，形成在第一、二半导体层之间；至少一接触发光二极管单元，形成在第一表面上，其中接触发光二极管单元具有一面积，接触发光二极管单元包含：第一半导体层；第二半导体层，形成在第一半导体层上；及活性层，形成在第一半导体层与第二半导体层之间；多个导电配线结构，连接多个发光二极管单元及接触发光二极管单元；及第一电极衬垫形成在接触发光二极管单元之上，其中接触发光二极管单元的面积较至少一相邻的发光二极管单元的面积为大。
发光二极管元件

[发明专利]发光二极管元件-CN201310631968.X在审
发明人：叶慧君 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管元件，包含：基板；多个发光二极管单元，形成在基板的第一表面上，多个发光二极管单元形成一串联阵列且具有多个相邻的发光单元行及多个相邻的发光单元列，该些发光单元行及该些发光单元列各具有至少三个发光二极管单元，发光单元行及发光单元列的发光二极管单元间串接方式包含垂直串接及水平串接；多个导电配线结构，连接多个发光二极管单元；以及至少两相邻的发光单元行中的至少三个发光二极管单元的串接方式相同，且至少两相邻的发光单元行中的发光单元行中的发光二极管单元与相邻的发光单元行中的发光二极管单元的串接方式至少包含一次垂直与两次水平串接
发光二极管元件

[发明专利]发光二极管元件-CN201510545290.2有效
发明人：洪梓健;连亚琦 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管元件，包括半导体结构，形成于所述半导体结构上的至少二电极，所述半导体结构包括出光面，所述两电极位于与所述出光面相反的一侧并自所述发光二极管元件裸露出，所述出光面上形成有微结构，所述发光二极管元件还包括第一保护层，所述第一保护层为透明且覆盖于所述出光面上，在保持发光二极管元件的小体积的情况下能保证散热效率。
发光二极管元件

[发明专利]发光二极管元件-CN201210570399.8有效
发明人：许嘉良 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-01-23 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管元件。该发光二极管元件包括半导体结构，具有第一型半导体层及第二型半导体层；出光区，具有第一斜侧壁、靠近该半导体结构的第一面、及远离该半导体结构的第二面；及第一导线，位于该第一斜侧壁上，并电性连接至该第一型半导体层本发明达到缩小发光二极管元件封装尺寸与简化封装工艺的目的，同时提升发光二极管元件出光效率。
发光二极管元件

[发明专利]发光二极管元件-CN201210146100.6无效
发明人：邱冠谕 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本发明揭露一种发光二极管元件。发光二极管元件包含一底座、多个导线支架、一发光二极管芯片、一导热膜及一封装胶体。底座包含一反射凹槽以及多个环绕此反射凹槽的外表面。发光二极管芯片位于反射凹槽内的其中一导线支架。导热膜具遮光性，披覆于反射凹槽的所有内表面及底座的至少一外表面上。封装胶体位于反射凹槽内，并覆盖导热膜与发光二极管芯片。
发光二极管元件

[实用新型]发光二极管元件-CN200720309294.1无效
发明人：陈尚麟;徐志宏 -专利权人：亿光电子工业股份有限公司
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管元件，包括：发光二极管芯片、第一导电支架、第二导电支架以及至少一个凸块。其中发光二极管芯片固定并电性连接在第一导电支架上。第二导电支架与发光二极管芯片电性连接，且与第一导电支架相距有一段距离。凸块设在第一导电支架与第二导电支架其中至少一个之上，用来定义出至少一个夹制空间，用以容纳并夹设一条接线。
发光二极管元件

[发明专利]发光二极管元件-CN201010605266.0无效
发明人： 1.陈冠群;2.朱长信;3.余国辉 -专利权人：奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管元件，其包含散热基座、第一电极垫与第二电极垫、及至少一发光二极管芯片。散热基座包含至少二凹槽。第一电极垫与第二电极垫分别设置在前述的凹槽中，且彼此电性隔离。发光二极管芯片则嵌设于散热基座中，且散热基座电性隔离此发光二极管芯片与前述的第一电极垫和第二电极垫。其中，发光二极管芯片包含不同电性的第一电极与第二电极，且第一电极和第二电极分别与第一电极垫和第二电极垫电性连接。
发光二极管元件

[发明专利]发光二极管元件-CN201210090921.2有效
发明人：叶慧君 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管元件，其包含一基板，该基板具有一第一表面；多个发光二极管单元，形成在第一表面上，每一个发光二极管单元包含一第一半导体层、一第二半导体层，形成在第一半导体层上、以及一活性层，形成在第一半导体层与第二半导体层之间；以及多个导电配线结构，彼此完全分离，一端具有一第一延伸部分别形成在第二半导体层上，直接接触第二半导体层，并通过第二半导体层彼此电性连结；其中，上述多个导电配线结构另一端具有一第二延伸部分别形成在另一发光二极管单元上，直接接触另一发光二极管单元所包含的上述多个半导体层其中之一。
发光二极管元件

[发明专利]发光二极管元件-CN201210282797.X无效
发明人：陈俊荣;叶昭呈 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明揭露一种发光二极管元件。发光二极管元件包含一基板、一缓冲层、多个纳米球与一发光结构。基板包含多个沟槽间隔地排列于基板表面。缓冲层迭设于具有沟槽的基板表面，沟槽位于基板与缓冲层之间。发光结构迭设于缓冲层。
发光二极管元件

[外观设计]发光二极管元件-CN202130296310.3有效
发明人：欧震;张利铭;沈建赋;王心盈 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： 26-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：发光二极管元件。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品是一种发光二极管元件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。
发光二极管元件

[发明专利]发光二极管元件-CN201210177876.4无效
发明人：李学旻 -专利权人：李学旻
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种发光二极管元件被提供，该发光二极管元件包含：晶元载体，该晶元载体具有一个晶元置放表面和数个彼此电气隔离的电气连接区；设置在该晶元载体的晶元置放表面上的发光二极管晶元，该发光二极管晶元具有半导体衬底、设置在该半导体衬底上的第一型半导体层、设置在该第一型半导体层上的第二型半导体层、设置在该第二型半导体层上的第一型半导体层、至少三个分别自该半导体衬底贯穿到对应的半导体层的贯孔、形成在每个贯孔的内壁面的绝缘层、及形成在每个贯孔内的导电连接体，每个导电连接体的一端与对应的半导体层电气连接而另一端凸伸在对应的贯孔外部使得可与该晶元载体的对应的电气连接区电气连接；及形成于该晶元载体的晶元置放表面上使得可覆盖该发光二极管晶元的透光保护层
发光二极管元件

[发明专利]发光二极管元件-CN201110435147.X有效
发明人：金河哲;许世炅;郑和均 -专利权人：绿弥利奇株式会社
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本发明的发光二极管元件包括：负极引脚框；正极引脚框，配置成与上述负极引脚框电绝缘的状态；发光二极管芯片，电连接在上述负极引脚框及上述正极引脚框；合成树脂部件，包括收容上述发光二极管芯片的凹陷部并固定上述负极引脚框和上述正极引脚框
发光二极管元件

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