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[发明专利]一种具有软反向恢复特性的超结MOSFET-CN202111123112.2在审
发明人：刘超;夏云;陈万军;张波 -专利权人：电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有软反向恢复特性的超结MOSFET。本发明的器件在耐压区的超结结构中引入了高浓度的P型缓冲层，引入的P型缓冲层延长了其体二极管漂移区的长度，使得漂移区内的载流子分布更加靠近漏极，这减缓了漂移区内载流子的抽取，同时，高掺杂的P型缓冲层在器件耐压时不会完全耗尽，因此反向导通时高掺杂的P型缓冲层内的载流子可以被缓慢地抽取，反向恢复电流的下降率di/dt得以降低，反向恢复特性得以改善。本发明的有益效果为，本发明的具有软反向恢复特性的超结MOSFET，优化了反向恢复时的di/dt和dv/dt，从而改善了超结MOSFET反向恢复特性。
一种具有反向恢复特性 mosfet

[发明专利]一种换流阀反向恢复期保护特性测试方法及对应的系统-CN201510478771.6在审
发明人：姚为正;常忠廷;李娟;赵岩;才利存;徐涛;邱育林;董意锋 -专利权人：许继电气股份有限公司;国家电网公司
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种换流阀反向恢复期保护特性测试方法及对应的系统，包括以下步骤：(1)在换流阀组件的两端施加交流电压，模拟换流阀的实际运行工况；(2)当换流阀组件处于反向恢复期保护区间内时，将正向冲击电压叠加交流电压共同施加在换流阀组件上；观测换流阀的电压波形；当换流阀的正向冲击电压跌落时，判断换流阀组件的反向恢复期保护特性的响应正确；其他情况下，响应不正确。通过分别对反向恢复期保护区间内和反向恢复期保护区间外的换流阀组件进行正向冲击电压叠加交流电压测试，判断换流阀组件的反向恢复期保护特性的响应是否正确，验证换流阀组件的晶闸管级具备承受正向冲击电压的工况。
一种换流反向恢复期保护特性测试方法对应系统

[发明专利]反向恢复测量结果和曲线图-CN202211355216.0在审
发明人： V·希瓦拉姆;N·R·海格德;P·阿迪加;K·N·H·斯里;T·米亚扎基;Y·M·派;M·文卡特拉杰 -专利权人：特克特朗尼克公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：以及一个或多个处理器，被配置成执行使所述一个或多个处理器执行下述操作的代码：在所述DUT由来自电源的功率的应用以及来自源仪器的至少第一和第二脉冲的应用来激活之后，从所述DUT接收波形数据；在所述波形数据中定位一个或多个反向恢复区；根据所述反向恢复区确定针对所述DUT的反向恢复时间；以及在所述用户界面上显示所述一个或多个反向恢复区的反向恢复曲线图，所述反向恢复曲线图自动地被配置成显示所述反向恢复区中的一个或多个，且包括在所述反向恢复曲线图上注释的针对所述一个或多个反向恢复区的至少一个特性
反向恢复测量结果曲线图

[发明专利]一种超级结MOSFET及其制备方法-CN202211151602.8在审
发明人：程鸿宇;高荣宇;李汶懋;邓宸凯;陈建国;汪青;于洪宇 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在反偏导通状态下，肖特基二极管将会处于正偏状态，将电子从漂移区域中引导出去并流过肖特基二极管，达到减少反向恢复电流以及反向恢复时间的作用，但并不会影响器件的击穿特性。同时，引入肖特基二极管的超级结MOSFET的反向恢复电流与常规的超级结MOSFET相比，反向恢复电流大小仅仅只有11.94A，反向恢复电荷也仅仅只有0.50μC，进一步说明该超级结MOSFET结构对于反向恢复电学特性的改进
一种超级 mosfet 及其制备方法

[发明专利]一种优化导通电阻的集成肖特基VDMOS器件-CN202111594706.1有效
发明人：张有润;贺鹏;陈航;欧阳钢;陈劭桦;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明采用在P型阱区纵向上多次开孔集成肖特基接触的方式，没有增加器件元胞的横向面积，保证了器件的正向导通能力与传统结构基本一致，同时利用肖特基接触为反向恢复提供电流通路，来降低体二极管的反向恢复电荷，加快反向恢复过程本发明的优化导通电阻的集成肖特基VDMOS结构具有更好的开关特性和反向恢复能力，同时器件静态特性与传统结构基本一致。
一种优化通电集成肖特基 vdmos 器件

[发明专利]沟槽栅逆导型IGBT器件-CN202110720251.7在审
发明人：孙娜;李淑霞 -专利权人：宁波达新半导体有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：由发射区、通过第二栅极导电材料层控制的基区、漂移区和背面源区组成反向恢复晶体管单元。本发明通过单极导电模式的反向恢复晶体管单元来输运反向恢复电流，能提高反向恢复的开关速度和功耗，改善反向恢复特性；还能改善器件的电容特性和栅电荷特性。
沟槽栅逆导型 igbt 器件

[发明专利]一种新型晶闸管反向恢复暂态模型-CN201110054365.9有效
发明人：张静;温家良;魏晓光;郭焕 -专利权人：中国电力科学研究院
申请日： 2011-03-07 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型晶闸管反向恢复暂态模型，晶闸管反向恢复过程模型的精确性，对于以晶闸管为开关器件的电力电子设备的电气性能研究和设计具有重要影响。为建立精确的晶闸管反向恢复过程动态模型，本发明在分析晶闸管阻断恢复过程中载流子运动特性和PN结变化规律的基础上，指出了传统的晶闸管反向恢复电流指数模型和双曲正割模型的优势和不足；结合晶闸管实际工作电路，提出用描述动植物自然生长过程的Logistic曲线来建立晶闸管反向恢复过程的非线性电阻模型；用迭代的方法来确定Logistic曲线精确参数。
一种新型晶闸管反向恢复模型

[发明专利]一种快速软恢复二极管功能性能的评估方法-CN202010769032.3有效
发明人：刘艳秋;朱恒静;张洪伟;肖爱斌;罗磊;唐民;汪洋;王文炎;刘靖宇;郑雪松 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速软恢复二极管功能性能的评估方法，特别涉及一种基于安全工作区验证的快速软恢复二极管功能性能的评估方法，属于元器件应用验证技术领域。通过对快速软恢复二极管进行全面的功能性能评估来检验快速软恢复二极管是否满足应用要求，评估内容包括不同温度条件下正向电压与正向电流关联特性、不同温度条件下反向耐压与反向漏电流关联特性、不同温度条件下反向恢复特性、反向恢复时间与温度的关联特性、反向恢复电流与温度的关联特性、稳态功率安全工作区验证和浪涌功率安全工作区验证。该方法结合用户需求和器件特性给出了基于安全工作区验证的快速软恢复二极管的功能性能的全面的验证项目。
一种快速恢复二极管功能性能评估方法

[发明专利]一种反向恢复特性好的RC-IGBT芯片及其制造方法-CN202010165552.3有效
发明人：阳平 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种反向恢复特性好的RC‑IGBT芯片，本发明的反向恢复特性好的RC‑IGBT芯片，其FRD区内相邻发射沟槽区之间设置有与发射极电极形成欧姆接触的第二P型基区，第二P型基区的两侧设有与发射极电极形成肖特基接触的本发明的反向恢复特性好的RC‑IGBT芯片其反向恢复电流较小，此外，本发明还涉及该RC‑IGBT芯片的制造方法。
一种反向恢复特性 rc igbt 芯片及其制造方法

[发明专利]一种逆导型IGBT器件-CN202211581134.8在审
发明人：孙娜;高绪兵 -专利权人：宁波达新半导体有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：二极管元胞区的第二栅极导电材料层作为二极管元胞区的阳极，背面阴极区作为二极管元胞区的阴极，第二栅极导电材料层连接到发射极，在IGBT单元截止并开始反向续流时，二极管元胞区会导通，从而使得反向恢复电流能快速导通本发明通过单极导电模式的肖特基或异质结二极管来输运反向恢复电流，能提高反向恢复的开关速度和功耗，改善反向恢复特性，同时还能改善器件的电容特性和栅电荷特性。
一种逆导型 igbt 器件

[发明专利]一种改善槽栅VDMOS器件寄生体二极管反向恢复特性的方法-CN202011379084.6在审
发明人：吴立成;殷丽;王昊;杨小兵 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善槽栅VDMOS器件寄生体二极管反向恢复特性的方法，该方法通过在P阱区与N‑外延之间设置一个轻掺杂的P buffer缓冲层，通过设置缓冲层可有效降低寄生体二极管正向导通时阳极注入效率，减小寄生体二极管反向恢复电荷。在漏极侧对应源极P+位置下设置高掺杂的p+型控制区，器件漏极区由N型和P+型区镶嵌组成，P+型区为理想欧姆接触，反向恢复过程中为空穴提供了通道，有效改善器件寄生体二极管开关特性。本发明制造方法可有效降低槽栅VDMOS器件寄生体二极管反向恢复电荷，改善器件寄生体二极管反向恢复特性。相比电子辐照本发明可靠性更高，可与现有槽栅VDMOS工艺相兼容。
一种改善 vdmos 器件寄生二极管反向恢复特性方法

[发明专利]半导体装置-CN201010209502.7有效
发明人：三好诚二;冈田哲也;有本志峰 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2010-06-21 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：在Si-FRD中存在释放被积累的电荷量Qrr为止的时间即反向恢复时间trr长的问题，要消除该问题，却存在正向电压VF增高的问题。Si-SBD作为器件本身的特性，反向恢复时间短，但要实现高击穿电压的器件，正向电压VF变得非常大。即无论是Si-FRD、Si-SBD，VF-trr特性都处于折中的关系。相对于此，SiC-SBD的正向电压VF低且反向恢复时间trr也短，因此能够改善VF-trr特性。但是SiC-SBD的价格非常贵。Si-SBD的结电容可累积的电荷量是Si-FRD在反向恢复时产生的电荷量的同等以上。Si-SBD与S-FRD相比，击穿电压变低。
半导体装置

[实用新型]超结MOSFET-CN202121129551.X有效
发明人：赵浩宇;雷秀芳;姜春亮;杜兆董;李伟聪;林泳浩 -专利权人：深圳市威兆半导体有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开一种超结MOSFET，其基于传统超结MOSFET，通过在P型柱的下方对应设置N型缓冲区，N型缓冲区与P型柱之间有间隔，如此设置的N型缓冲区能够增加超结MOSFET内部存在的体二极管的阴极区反向恢复期间载流子浓度，使得反向恢复电流达到最大反向恢复电流的90％时所需的时间tb增加，反向恢复电流达到最大反向恢复电流的10％时所需的时间ta反向恢复阶段中的软恢复特性，则其可称为软恢复超结MOSFET。
mosfet

[发明专利]一种快速软恢复二极管及其生产方法-CN201110456082.7有效
发明人：周立敬 -专利权人：周立敬
申请日： 2011-12-18 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种快速软恢复二极管，由至少两只快速二极管并联组合构成，其特征是：所述并联组合中各快速二极管的反向恢复时间具有：trra＝(0.1-0.9)trrb，其中trra为较大一只快速二极管的反向恢复时间；trrb为其余任意一只快速二极管的反向恢复时间。其生产方法是将符合上述反向恢复时间trra＝(0.1-0.9)trrb的至少两只快速二极管并联组合构成一种快速软恢复二极管。其加工简单，成本低，并且具有软恢复特性。
一种快速恢复二极管及其生产方法

[发明专利]一种二极管及其制造方法-CN201810914705.2有效
发明人：阳林涛;王永贵 -专利权人：深圳市天佑照明有限公司
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：通过在第一外延层设置埋层，使得在阴极侧形成一个寄生的雪崩二极管，其击穿电压较低，可以缩短反向恢复时间，并具有较软反向恢复特性，同时在衬底上下表面分别注入形成第二导电类型的阱区，其与场氧区配合作用，也可以降低反向恢复电荷，缩短反向恢复时间和具有更软的反向恢复特性。
外延层衬底第一导电类型二极管导电类型反向恢复阱区反向恢复特性两侧边缘上下表面场氧区埋层金属雪崩二极管击穿电压电荷掺杂区阴极侧制造背面配合

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