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[发明专利]一种平衡微带线过渡的全模双脊基片集成波导-CN201210284348.9有效
发明人：林澍;田雨;陆加;刘曦;马欣茹;赵志华;王力卓;王立娜 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2012-08-06 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01P3/18 文献下载
摘要：一种平衡微带线过渡的全模双脊基片集成波导，它一种全模双脊基片集成波导，具体涉及一种平衡微带线过渡的全模双脊基片集成波导。本发明为了解决现有介质集成波导单模工作带宽较窄的问题。本发明的中层介质基片的上表面和下表面分别各贴有一个金属带条，上层介质基片、中层介质基片、下层介质基片由上至下依次叠加设置，且中层介质基片的两个端部外露，中层介质基片两个端部的上表面与下表面分别各贴装一个平衡微带线，每个第二上金属化过孔和第三上金属化过孔分别与上金属贴片和中层介质基片上表面上的金属带条连接形成上脊，每个第二下金属化过孔和第三下金属化过孔分别与下金属贴片和中层介质基片下表面上的金属带条连接形成下脊。
一种平衡微带过渡全模双脊基片集成波导

[发明专利]镜像功率合成/分配网络-CN202111343010.1在审
发明人：曾欣 -专利权人：成都浩翼创想科技有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：镜像功率合成/分配网络，包括类双脊波导外腔，类双脊波导外腔顶面设有开口，盖板封住开口；盖板上设有内导体，内导体上的同轴馈线与连接器I的连接；内导体上，与同轴馈线同轴设有内导体阻抗变换段；类双脊波导外腔底面设有与同轴馈线对应的圆形开口；类双脊波导外腔空腔内，类双脊波导外腔底面与圆形开口同轴设有环形阶梯状的类双脊波导下导体台阶；在类双脊波导外腔腔内，绕圆心设有若干设有微带腔槽，其内还设有类双脊波导短路变换段，与微带腔槽连通；微波介质基片包括环形的基片短路渐变段和均匀沿着圆周分布在其上的微带线，微带线位于微带腔槽内，在类双脊波导外腔圆周外围均匀设有若干连接器II，连接器II与微带线连接。
功率合成分配网络

[实用新型]镜像功率合成/分配网络-CN202122773254.5有效
发明人：曾欣 -专利权人：成都浩翼创想科技有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：镜像功率合成/分配网络，包括类双脊波导外腔，类双脊波导外腔顶面设有开口，盖板封住开口；盖板上设有内导体，内导体上的同轴馈线与连接器I的连接；内导体上，与同轴馈线同轴设有内导体阻抗变换段；类双脊波导外腔底面设有与同轴馈线对应的圆形开口；类双脊波导外腔空腔内，类双脊波导外腔底面与圆形开口同轴设有环形阶梯状的类双脊波导下导体台阶；在类双脊波导外腔腔内，绕圆心设有若干设有微带腔槽，其内还设有类双脊波导短路变换段，与微带腔槽连通；微波介质基片包括环形的基片短路渐变段和均匀沿着圆周分布在其上的微带线，微带线位于微带腔槽内，在类双脊波导外腔圆周外围均匀设有若干连接器II，连接器II与微带线连接。
功率合成分配网络

[发明专利]一种基于模式复合单脊波导的双极化漏波天线-CN202010891353.0在审
发明人：林先其;刘铮;文章;苏一洪;康玉兴;杨鑫;王豹;曾姜杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-08-30 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01Q1/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于模式复合单脊波导的双极化漏波天线，包括模式复合单脊波导、基于基片集成波导TE10模式的横缝周期漏波天线、基于基片集成单脊波导TE20模式的纵缝周期漏波天线、基片集成波导馈电网络、基片集成单脊波导馈电网络、微带线导体和介质基板。
一种基于模式复合波导极化天线

[发明专利]一种平衡微带线过渡的半模双脊基片集成波导-CN201210187099.1有效
发明人：林澍;张兴起;张馨月;王立娜;蔡润南;马泽众;田雨;陆加 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01P3/00 文献下载
摘要：一种平衡微带线过渡的半模双脊基片集成波导，它涉及一种基片集成脊波导，具体涉及一种平衡微带线过渡的半模双脊基片集成波导，以解决现有介质集成波导尺寸较大及单模工作带宽较窄的问题，它包括上层介质基片、中层介质基片、下层介质基片、上金属贴片、下金属贴片、上金属带条、下金属带条和四个平衡微带线；上金属贴片附着在上层介质基片的上表面上，下金属贴片附着在下层介质基片的下表面上；中层介质基片的上表面上附着有上金属带条，中层介质基片的下表面上附着有下金属带条，中层介质基片的上表面上设置的上金属带条的两端和中层介质基片的下表面上设置的下金属带条的两端各连接有一个平衡微带线，本发明用于无线电领域中。
一种平衡微带过渡半模双脊基片集成波导

[发明专利]双波段共孔径平板阵列天线-CN201110166424.1无效
发明人：李斌;赵交成;刘辉 -专利权人：中国兵器工业第二○六研究所
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H01Q13/20 文献下载
摘要：一种双波段共孔径平板阵列天线，应用于多波段导引头、智能弹药制导系统。该天线包含单脊波导缝隙阵面，基片集成波导缝隙阵面，单脊波导缝隙阵馈电网络，基片集成波导缝隙阵馈电网络。单脊波导辐射缝隙阵面由多排平行的单脊波导辐射缝隙线阵组成，基片集成波导辐射缝隙阵列由多排平行的基片集成波导辐射缝隙线阵组成，天线阵面被划分为四个象限，馈电网络对四个象限阵面分别单独馈电，从而具有实现单脉冲功能的条件每个象限有两套馈电网络对单脊波导缝隙阵和基片集成波导缝隙阵分别馈电。单脊波导缝隙阵面工作在X波段，基片集成波导缝隙阵面工作在Ka波段，两种形式的阵列共孔径而又互不影响，解决了天线阵面不共面造成的电磁波遮挡问题。
波段孔径平板阵列天线

[发明专利]一种共口径双频双极化大角度扫描漏波天线-CN202310405582.0在审
发明人：张波;苏一洪;袁军;尹千里;张云珂;邵嘉妤;牛中乾;支炜;杨骑东;孙明伟 -专利权人：苏州华域祥电子科技有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种共口径双频双极化大角度扫描漏波天线，包括作为天线载体的结构复合脊波导、设置于结构复合脊波导上的高频漏波天线、设置于高频漏波天线两侧的低频漏波天线、设置于结构复合脊波导上的基片集成波导TE10模式的馈电网络、设置于结构脊波导上的基片集成脊波导TE20模式的馈电网络；本发明的有益效果是，改善了多频天线漏波不完全，辐射效率不高，双频天线漏波不均衡的问题
一种口径双频极化角度扫描天线

[发明专利]基于平面正交模耦合器的双极化喇叭天线-CN201710549498.0有效
发明人：洪伟;聂星河 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：本发明设计了一种基于平面正交模耦合器的双极化喇叭天线，自上而下包括喇叭天线、脊波导到方波导的转接结构、平面正交模耦合器以及金属衬底，平面正交模耦合器包括介质基片以及设置在介质基片上的微带传输线、高阻抗微带线、基片集成波导传输线、基片集成波导功分器，微带传输线为两根，形成平面正交模耦合器的第一端口和第二端口。整个天线输入端口为微带传输线，通过过渡结构转换为基片集成波导传输线，基片集成波导传输线再通过脊波导过渡到方波导后通过喇叭天线将信号辐射至自由空间中。本发明中的双极化天线，相比利用波导结构正交模耦合器实现的双极化天线，体积大大减小，而且结构简单，不仅方便加工且成本显著降低，还大大提高了集成度。
基于平面正交耦合器极化喇叭天线

[发明专利]在塑料物件内模塑双凸透镜板材时保护油墨并提供增强接合的方法-CN01821163.1无效
发明人：理查德·格斯特 -专利权人：数字重放公司
申请日： 2001-06-13 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： B29C45/14 文献下载
摘要：一种带有整体的双凸透镜材料的塑料产品的制造方法，它热保护双凸透镜材料的油墨层和外透镜表面。提供一个带有双凸透镜层的双凸透镜插入件，并且带有光学脊岭(22)的一个外表面和一个油墨层(28)接合至一个透明的透镜层(24)。一个热保护基片(30)包括不透明的石版印刷油墨涂覆至油墨层。涂覆热保护基片是使用一台石版印刷机的涂覆装置进行的。一个双凸透镜插入件是由涂覆的双凸透镜材料形成的以及插入件定位在模具空腔内。热保护基片热隔离油墨层。随后模具的邻接插入件的部分被冷却至低于光学脊岭的变形温度。
塑料物件内模塑双凸透镜板材保护油墨提供增强接合方法

[发明专利]一种脊半模基片集成波导传输线-CN202011227774.X有效
发明人：李晓春;纪磊;毛军发 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01P3/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种脊半模基片集成波导传输线。该脊半模基片集成波导传输线包括：脊半模基片集成波导和人工表面等离激元结构；所述人工表面等离激元结构刻蚀在所述脊半模基片集成波导的中间金属层上；通过调节所述人工表面等离激元结构刻蚀凹槽的长度来调节所述脊半模基片集成波导传输线的波导波长；所述凹槽的长度方向与所述脊半模基片集成波导中间金属层的宽度方向一致。本发明可以实现基片集成波导的纵向尺寸的调节。
一种脊半模基片集成波导传输线

[发明专利]基片集成双脊波导馈电的对拓Vivaldi天线及应用-CN201911218933.7在审
发明人：邓敬亚;曹润;孙冬全;雍婷;郭立新 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：本发明属于天线技术领域，公开了一种基片集成双脊波导馈电的对拓Vivaldi天线及应用，包括：微带到基片集成双脊波导的过渡，基片集成双脊波导，对拓Vivaldi天线辐射结构，介质基板及金属地板。本发明用基片集成双脊波导馈电，由微带线通过梯形渐变结构过渡到基片集成双脊波导，再由基片集成双脊波导给Vivaldi天线馈电，最后Vivaldi天线将信号辐射出去。采用基片集成双脊波导馈电，降低了截止频率，增加了带宽；带宽范围为11.22GHz到40GHz，覆盖Ku、K和Ka频段；在截止频率下的电尺寸比常规基片集成波导馈电的对拓Vivaldi天线要小，成功地实现了对拓
集成波导馈电 vivaldi 天线应用

[实用新型]一种毫米波混频器-CN201520992593.4有效
发明人：任文骅;杨涛 -专利权人：四川华讯中星科技有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01P1/213 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种毫米波混频器，包括混频电路基片，用于封装混频电路基片并带有本振和射频输入端的金属壳体，以及垂直于混频电路基片设置并带有中频输出端的金属针，所述金属壳体包括通过前后夹持混频电路基片安装且具有双脊波导腔结构的前夹持块和后夹持块本实用新型基于双平衡混频电路，对混频器的波导结构进行设计，利用波导腔的双脊渐变结构，在不进一步减小元件尺寸的基础上稳定地提高了性能，降低变频损耗，改善了阻抗匹配，同时通过波导腔内的金属凸块设计减小了中频输出线引入的引线电感
一种毫米波混频器

[发明专利]平衡微带线过渡全模双脊集成波导馈电对称振子印刷天线-CN201210424564.9有效
发明人：林澍;田雨;陆加;刘梦芊;荆丽雯;刘曦;马欣茹 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：平衡微带线过渡全模双脊集成波导馈电对称振子印刷天线，它涉及对称振子印刷天线，具体涉及平衡微带线过渡全模双脊集成波导馈电对称振子印刷天线。本发明为了解决现有平衡微带线馈电的天线会产生较大的辐射损耗，不利于应用在需要较长馈电距离的场合和基片集成波导单模工作带宽较窄的问题。本发明的左侧振子与右侧振子沿中层介质基片的中线对称印刷在中层介质基片另一端的上表面上，左侧振子的直边和右侧振子的直边分别与中层介质基片的中线平行并远离中线，左侧振子的圆弧边与位于中层介质基片上表面的短平衡微带线连接
平衡微带过渡全模双脊集成波导馈电对称印刷天线

[实用新型]一种单纵模F-P激光器的沟槽结构-CN202122326283.7有效
发明人：姚中辉;张子旸;陈红梅;蒋成;王洪培 -专利权人：青岛翼晨镭硕科技有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单纵模F‑P激光器的沟槽结构，包括基片以及脊型波导，所述脊型波导位于所述基片的顶部，所述基片中设置有沟槽，所述沟槽设置于所述脊型波导的正下方，所述沟槽的排布方向与所述脊型波导延伸的方向倾斜布置沟槽位于基片中，能够在基片各层的外延生长过程中采用紫外光刻机光刻形成沟槽，相较于直接在脊型波导上刻蚀，无需增加刻蚀深度，简化了工艺而且提高了成品率；而且掩埋结构的沟槽制备在更加接近有源区的位置，极大的提高了耦合效率
一种单纵模激光器沟槽结构

[发明专利]光学信息记录介质及其记录和再现方法-CN01816626.1无效
发明人：宇野真由美;山田升 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2001-09-25 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： G11B7/00 文献下载
摘要：一种光学信息记录介质包括第一基片；第二基片；以及在第一基片和第二基片之间形成的记录层。光学信息记录介质包括凸脊和凹槽，照射光学信息记录介质的激光光源和凸脊之间的距离大于光源和凹槽之间的距离。激光光源到凸脊之间的距离和激光光源到凹槽之间的距离之差D处于0＜D＜λ/(4N)的范围内(N为基片的折射率)，其中λ是激光的波长。凹槽以小于或等于0.40μm的间距在光学信息记录介质中形成。
光学信息记录介质及其再现方法

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