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[发明专利]双极晶体管-CN201510578851.9有效
发明人：托尼·范胡克;维特·桑迪·恩;皮特鲁斯·H·C·马涅;蓬奇·伊沃;迪克·克拉森;马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·阿尔沙蒂 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种包括双极晶体管的半导体器件及其制造方法。一种包括双极晶体管的功率放大器。所述双极晶体管包括：包括横向延伸的漂移区的集电极。所述双极晶体管还包括：位于所述集电极上方的基极。所述双极晶体管还包括：位于所述基极上方的发射极。所述双极晶体管还包括具有与集电极的导电类型不同的导电类型的掺杂区域。掺杂区域在集电极下方横向延伸以在掺杂区域和集电极之间的接触区域处形成结。所述掺杂区域的掺杂级别在离所述双极晶体管的集电极‑基极结最近的那部分掺杂区域中最高。
双极晶体管掺杂区域集电极导电类型横向延伸半导体器件功率放大器横向掺杂接触区域不均匀发射极漂移区掺杂制造

[发明专利]双极晶体管-CN202311090224.1在审
发明人： A·高蒂尔;P·舍瓦利耶 -专利权人：意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及双极晶体管。一种双极晶体管包括集电极。集电极通过在腔体底部处形成第一基本均匀掺杂层的工艺来制造。然后，通过第一基本均匀掺杂层的掺杂剂的扩散来形成第二渐变掺杂层。
双极晶体管

[发明专利]双极晶体管-CN201910940618.9有效
发明人： A·高蒂尔;P·舍瓦利耶 -专利权人：意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及双极晶体管。一种双极晶体管包括集电极。集电极通过在腔体底部处形成第一基本均匀掺杂层的工艺来制造。然后，通过第一基本均匀掺杂层的掺杂剂的扩散来形成第二渐变掺杂层。
双极晶体管

[实用新型]双极晶体管-CN201921652626.5有效
发明人： A·高蒂尔;P·舍瓦利耶 -专利权人：意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及双极晶体管。一种双极晶体管包括集电极。集电极通过在腔体底部处形成第一基本均匀掺杂层的工艺来制造。然后，通过第一基本均匀掺杂层的掺杂剂的扩散来形成第二渐变掺杂层。
双极晶体管

[发明专利]双极晶体管-CN201010027284.5有效
发明人：朱丽霞;张帅 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极晶体管，在传统双极晶体管的基础上新增了阻挡层(201)、(202)、(203)，这些阻挡层覆盖在浅槽隔离结构(151’)和(153’)之间的所有PN结的交界面以及其他交界面的上方，可以阻止金属硅化物溶解后渗入到浅槽隔离结构(151’)和(153’)与有源区的间隙中，与现有的双极晶体管相比，相当于在大电压、大电流的情况下，有效提高了发射区和集电区的反向击穿电压。
双极晶体管

[发明专利]双极晶体管-CN201910939656.2在审
发明人： A·高蒂尔;P·舍瓦利耶 -专利权人：意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及双极晶体管。一种双极晶体管包括集电极。集电极由以下部分形成：集电极的第一部分，在绝缘沟槽下方延伸；以及集电极的第二部分，穿过绝缘沟槽。集电极的第一和第二部分物理接触。
双极晶体管

[实用新型]双极晶体管-CN201921652468.3有效
发明人： A·高蒂尔;P·舍瓦利耶 -专利权人：意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及双极晶体管。一种双极晶体管包括集电极。集电极由以下部分形成：集电极的第一部分，在绝缘沟槽下方延伸；以及集电极的第二部分，穿过绝缘沟槽。集电极的第一和第二部分物理接触。
双极晶体管

[其他]双极晶体管-CN86100522无效
发明人：西井雅晴;栗原一夫 -专利权人：三洋电机株式会社;东京三洋电机株式会社
申请日： 1986-03-07 - 公布日： 1986-09-10 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：岛区16上所形成的双极晶体管的hFE值由发射极区20和第1基极区18的杂质浓度与基极宽度B所决定。因此用同一制造工艺扩散第1基极区18及发射极区20时，各晶体管的hFE值大致相等。本发明为调整晶体管的hFE值设置了第2基极区23。部分第2基极区23与发射极区20相重叠并做得比第1基极区18要深。这样，通过第2基极区23使基极宽度B′增大，可使hFE值变小。
双极晶体管

[发明专利]双极晶体管-CN200910202011.7有效
发明人：邱慈云;朱东园;钱文生;范永洁 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极晶体管，有源区由浅槽场氧隔离，包括：一集电区，由形成于有源区中的第一导电类型的杂质离子注入层构成，底部连接由两个第一导电类型的赝埋层连接而形成的埋层，所述赝埋层通过在有源区两侧的浅槽底部注入第一导电类型杂质离子形成
双极晶体管

[发明专利]双极晶体管-CN201911147141.5有效
发明人：高桥新之助 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供了适合于减少基极电阻以及基极集电极间结电容并能够实现高频区域中的性能改善的双极晶体管。在基板上的基极台面上配置发射极台面以及基极电极。基极电极上的基极布线经过基极开口与基极电极连接。
双极晶体管

[发明专利]双极晶体管-CN201910071581.0有效
发明人：赵传珍;杨博翔 -专利权人：立积电子股份有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种双极晶体管，包含一集极层、一基极层，设于该集极层上、一第一长条形射极台面设于该基极层上，具有一长边与一短边，该长边与一第一方向平行；以及n个分隔的第一射极接触结构，沿着该第一方向设于该第一长条形射极台面上
双极晶体管

[发明专利]双极晶体管-CN200410075885.8无效
发明人：约翰·K·特怀纳姆 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-11-29 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本发明的双极晶体管包括由n－型半导体制成的集电极层和在该集电极层上由n－型半导体制成的发射极层。在发射极层上提供用于注入p－型载流子(空穴)到发射极层的栅极层。双极晶体管具有其性能不被基极层的表面电阻影响的结构，而且甚至在高频率区也能有高电流增益。
双极晶体管

[其他]双极晶体管-CN86100558无效
发明人：田端辉夫 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 1986-04-16 - 公布日： 1989-02-15 - 主分类号：文献下载
摘要：本发明的双极晶体管具有以下构成：Ｐ型半导体衬底、在衬底的表面层部分区域上形成的Ｎ+型内埋层、覆盖衬底的整个表面并埋置内埋层的Ｎ型外延层、包围内埋层并从外延层的表面贯通至衬底的
双极晶体管

[发明专利]双极晶体管-CN86100558.9无效
发明人：田端辉夫 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 1986-04-16 - 公布日： 1989-02-15 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本发明的双极晶体管具有以下构成P型半导体衬底、在衬底的表面层部分区域上形成的N+型内埋层、覆盖衬底的整个表面并埋置内埋层的N型外延层、包围内埋层并从外延层的表面贯通至衬底的P+型隔离区、被隔离区包围而分隔成岛状的外延层所构成的
双极晶体管

[发明专利]双极晶体管-CN201080049791.7有效
发明人： W·A·拉尼;A·D·贝因;D·F·鲍尔斯;P·M·达利;A·M·德格纳恩;M·T·邓巴;P·M·迈克古尼斯;B·P·斯坦森 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2010-11-01 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：一种双极晶体管，其包括发射极区(50)、基极区(40)和集电极区(20)以及与该基极区(40)间隔开并环绕该基极区(40)的保护区(200)。可以通过使用同掺杂掩模来形成该基极区(40)和该保护区(200)，在晶体管工作时，该保护区(200)可以用于扩展耗尽层。
双极晶体管

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