|
钻瓜专利网为您找到相关结果 1652238个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]一种内介电层的制备方法-CN201410217636.1有效
-
张雪琴;罗飞
-
上海华力微电子有限公司
-
2014-05-20
-
2017-06-23
-
H01L21/316
- 本发明的内介电层制备方法,包括在半导体器件衬底上沉积一层原始内介电层;对原始内介电层的顶部进行研磨,直至达到目标厚度;量测研磨后的原始内介电层的厚度,如果研磨后的原始内介电层的厚度小于目标厚度,则计算目标厚度与研磨后的内介电层的厚度的差值;计算差值与后续要沉积的覆盖氧化层的厚度的总和值,其中,原始内介电层的成分与覆盖氧化层的成分相同;在研磨后的原始内介电层表面沉积氧化硅层,氧化硅层的厚度为上述总和值。采用本发明的方法,一次性沉积氧化硅层的厚度既可以补偿研磨后的原始介电层的厚度的差值,又可以完成覆盖氧化层的沉积,使半导体器件衬底减少了一次经历等离子体损伤的机会,减小了器件特性偏移的问题。
- 一种内介电层制备方法
|