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[发明专利]基于阻抗圆的ZnO压敏陶瓷稳定性评估方法及装置-CN202210975664.4在审
发明人：赵霞;郭璊;张搏宇;吕雪斌;文远东 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国网北京市电力公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于阻抗圆的ZnO压敏陶瓷稳定性评估及装置。其中，方法包括：在预设温度以及给定频率下对新制作的ZnO压敏陶瓷进行阻抗测试，确定ZnO压敏陶瓷的第一阻抗圆；在ZnO压敏陶瓷工作预定时间段后，在预设温度以及给定频率下对ZnO压敏陶瓷进行阻抗测试，确定ZnO压敏陶瓷的第二阻抗圆；根据第一阻抗圆以及第二阻抗圆，确定ZnO压敏陶瓷的阻抗变化率；根据阻抗变化率，确定ZnO压敏陶瓷的稳定性。实现了对ZnO压敏陶瓷的长期稳定性的有效评估。
基于阻抗 zno 陶瓷稳定性评估方法装置

[发明专利]一种多点电极氧化锌压敏陶瓷的制备方法及电化学试验-CN202110920052.0有效
发明人：刘建科;李智智 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明提供了一种多点电极氧化锌压敏陶瓷的制备方法及电化学试验，通过该方法得到多点电极氧化锌压敏陶瓷，所设计的多点电极氧化锌压敏陶瓷，通过接陶瓷上极板和下极板表面上不同的点电极，可以实现具有一定范围的压敏电压的压敏陶瓷本发明中得到的多点电极氧化锌压敏陶瓷使得一个氧化锌压敏陶瓷可同时具备多个压敏电压下的高响应特性，起到同时对多个电路的有效保护；多点电极氧化锌压敏陶瓷大大节约了压敏陶瓷的制作成本，具有很好的经济效益；本发明原理简单
一种多点电极氧化锌陶瓷制备方法电化学试验

[实用新型]一种并联式高能量防雷压敏电阻器-CN201420447603.1有效
发明人：胡勇;黄瑞南;林榕;赵明辉;黄哲;谢冬桔 -专利权人：汕头高新区松田实业有限公司
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01C7/105 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种并联式高能量防雷压敏电阻器，包括外包层、第一压敏陶瓷片、第一引脚、第二引脚、第二压敏陶瓷片、U型金属夹和导电层；第一引脚、第二引脚分别与第一压敏陶瓷片的两端面连接；第二压敏陶瓷片的第二端面通过导电层与第一压敏陶瓷片的第二端面连接；U型金属夹将第一压敏陶瓷片、第二压敏陶瓷片夹合在一起，U型金属夹的第一直线边焊接在第一压敏陶瓷片的第一端面上，U型金属夹的第二直线边焊接在第二压敏陶瓷片的第一端面上；外包层包覆在第一压敏陶瓷片、第二压敏陶瓷片的外面由于将第一压敏陶瓷片、第二压敏陶瓷片并联，大幅度提高压敏电阻器的脉冲冲击耐受能力；由于端面面积不会增加，只是厚度增加，实现了压敏电阻器的小型化。
一种并联高能量防雷压敏电阻

[发明专利]一种用于分析压敏陶瓷缺陷分布的方法及系统-CN202111237735.2在审
发明人：赵霞;郭璊;张搏宇;吕雪斌;郝留成;李凯;陈蕊;陈晓刚 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国网浙江省电力有限公司;国家电网有限公司;平高集团有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于分析压敏陶瓷缺陷分布的方法及系统，属于压敏陶瓷技术领域。本发明方法，包括：将不同掺杂量或制作工艺的压敏陶瓷冷却至第一设定温度，测量所述压敏陶瓷在设定频率范围内的第一介电响应；加热所述压敏陶瓷至第二设定温度，测量所述压敏陶瓷在设定频率范围内的第二介电响应；根据第一介电响应绘制所述压敏陶瓷在第一设定温度的第一频谱图，根据第二介电响应绘制所述压敏陶瓷在第二设定温度的第二频谱图；提取第一频谱图及第二频谱图中损耗峰两侧曲线的斜率，根据斜率，确定压敏陶瓷的缺陷分布。本发明实现了对压敏陶瓷的缺陷分布的表征，为压敏陶瓷老化检测提供了新思路。
一种用于分析陶瓷缺陷分布方法系统

[发明专利]一种高性能ZnO压敏陶瓷的制备工艺-CN201811177527.6在审
发明人：庞驰;赵文英;方超;费自豪;施斌 -专利权人：贵州大学;贵阳高新益舸电子有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能ZnO压敏陶瓷的制备工艺，包括如下步骤：1)取ZnO压敏陶瓷掺杂料原料；2)将ZnO压敏陶瓷掺杂料原料装入球磨罐充分混合球磨，将球磨后得到的浆料放置在干燥箱中烘干，得粉体；3)向粉体加入水，再加入氨水、柠檬酸或草酸中的一种或任意几种的组合物，然后加热进行水热处理，水热处理后的粉末烘干，得ZnO压敏陶瓷掺杂料；4)将步骤3)制得的ZnO压敏陶瓷掺杂料与ZnO粉体混合得ZnO压敏陶瓷原料粉体，将ZnO压敏陶瓷原料粉体采用传统ZnO压敏陶瓷的处理工艺处理，得高性能ZnO压敏陶瓷。本发明具有制得的ZnO压敏陶瓷性能好，原料用量少，成本低，污染小，工艺更加简单，工艺稳定性好的特点。
压敏陶瓷掺杂水热处理原料粉体制备工艺粉体球磨柠檬酸氨水草酸工艺稳定性充分混合处理工艺粉末烘干粉体混合原料用量干燥箱烘干浆料磨罐加热污染

[发明专利]一种ZnO压敏陶瓷添加剂及其制备方法和应用-CN201810833880.9有效
发明人：陈冲;李伟;刘琦;董守峰;耿梦如;成建凤 -专利权人：聊城大学
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：本发明属于压敏材料领域，提供一种ZnO压敏陶瓷添加剂及其制备方法和应用，所述制备方法包括如下步骤：1）将ZnO和Sb2O32O3的摩尔比为1~14：1；2）将步骤1）得到的浆料进行烘干和煅烧，即得所述ZnO压敏陶瓷添加剂本发明还进一步提供该ZnO压敏陶瓷添加剂及其应用。所述ZnO压敏陶瓷添加剂添加至制备ZnO压敏陶瓷的原料中，促进ZnO晶粒长大，降低压敏电压，保持压敏电阻低温烧结，并且能增大压敏陶瓷的非线性系数，ZnO压敏陶瓷烧结温度降低至850～900℃，材料的非线性系数α值可达91，压敏场强低至500~760V/mm。
一种 zno 陶瓷添加剂及其制备方法应用

[发明专利]全陶瓷超高温压力传感器及其封装方法-CN201910321090.7有效
发明人：李晨;薛亚楠;洪应平;熊继军;孙博山 -专利权人：中北大学
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G01L9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种全陶瓷超高温压力传感器，包括耐高温陶瓷压敏元件、耐高温陶瓷样机封装管壳、耐高温陶瓷读取天线，耐高温陶瓷压敏元件由耐高温压敏电容与矩形螺旋电感线圈组成，耐高温陶瓷压敏元件安装在耐高温陶瓷样机封装管壳内的一侧，耐高温陶瓷压敏元件与耐高温陶瓷样机封装管壳之间安装有耐高温防热防震棉，耐高温陶瓷读取天线安装在耐高温陶瓷样机封装管壳内的另一侧；耐高温陶瓷样机封装管壳敏感端设有垂直于耐高温陶瓷压敏元件的气流孔；耐高温陶瓷读取天线通过与压敏
陶瓷超高温压力传感器及其封装方法

[发明专利]一种基于氧化铝陶瓷的超高温燃气压力传感器封装工艺方法-CN202011297256.5有效
发明人：李晨;熊继军;洪应平;薛亚楠;孙博山 -专利权人：中北大学
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氧化铝陶瓷的超高温燃气压力传感器，包括耐高温陶瓷压敏元件、耐高温陶瓷样机封装管壳、耐高温陶瓷读取天线，耐高温陶瓷压敏元件由耐高温压敏电容与矩形螺旋电感线圈组成，耐高温陶瓷压敏元件安装在耐高温陶瓷样机封装管壳内的一侧，耐高温陶瓷压敏元件与耐高温陶瓷样机封装管壳之间安装有耐高温防热防震棉，耐高温陶瓷读取天线安装在耐高温陶瓷样机封装管壳内的另一侧；耐高温陶瓷样机封装管壳敏感端设有垂直于耐高温陶瓷压敏元件的气流孔；耐高温陶瓷读取天线通过与压敏
一种基于氧化铝陶瓷超高温燃气压力传感器封装工艺方法

[发明专利]一种具有分步失效功能的浪涌保护器内置压敏芯片-CN200410040931.0无效
发明人：李欣;李炬;敬履伟;谭宜成 -专利权人：成都铁达电子有限责任公司;李欣
申请日： 2004-10-29 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： H01C7/10 文献下载
摘要：一种具有分步失效功能的浪涌保护器内置压敏芯片，具有压敏陶瓷基片、导电涂层和电极片，其特征是所述压敏陶瓷基片由至少两个相互独立的压敏陶瓷基片单元组成，在各压敏陶瓷基片单元的两个相对表面上分别涂覆有导电涂层，各压敏陶瓷基片单元一面上的导电涂层通过一公共电极片相连通，各压敏陶瓷基片单元另一面的导电涂层上分别设置有独立的电极片。本发明的压敏芯片具有可降低浪涌保护器总体制造成本、提高生产效率的特点，它可以有效地减小具有分步失效功能的浪涌保护器的体积，且便于制作出实用性更好、防护性能更强的浪涌保护器。
一种具有分步失效功能浪涌保护器内置芯片

[实用新型]一种具有分步失效功能的浪涌保护器内置压敏芯片-CN200420061842.X无效
发明人：李欣;李炬;敬履伟;谭宜成 -专利权人：成都铁达电子有限责任公司;李欣
申请日： 2004-10-29 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： H01C7/10 文献下载
摘要：一种具有分步失效功能的浪涌保护器内置压敏芯片，具有压敏陶瓷基片、导电涂层和电极片，其特征是所述压敏陶瓷基片由至少两个相互独立的压敏陶瓷基片单元组成，在各压敏陶瓷基片单元的两个相对表面上分别涂覆有导电涂层，各压敏陶瓷基片单元一面上的导电涂层通过一公共电极片相连通，各压敏陶瓷基片单元另一面的导电涂层上分别设置有独立的电极片。本实用新型的压敏芯片具有可降低浪涌保护器总体制造成本、提高生产效率的特点，它可以有效地减小具有分步失效功能的浪涌保护器的体积，且便于制作出实用性更好、防护性能更强的浪涌保护器。
一种具有分步失效功能浪涌保护器内置芯片

[发明专利]提高压敏陶瓷性能的表面处理方法-CN201510235935.2有效
发明人：黄文森;徐松;李历阳;杨维涛;庞驰 -专利权人：贵州大学
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： C04B41/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高压敏陶瓷性能的表面处理方法，其特征在于包括如下步骤①提供一种压敏陶瓷体；②分别配制Ca(OH)2溶液，硼酸和磷酸二氢钙的混合溶液，备用；③将压敏陶瓷体浸泡于Ca(OH)2溶液中，得A品；④取出A品，加热烘干，得B品；⑤将B品浸泡于硼酸和磷酸二氢钙的混合溶液中，得C品；⑥取出C品，先烘干，再进行热处理，在压敏陶瓷体表面生成硼磷酸钙玻璃薄膜，得成品。本发明通过在压敏陶瓷表面生成硼磷酸钙玻璃薄膜，能够很好的填补陶瓷表面的孔洞，从而增强电极材料在压敏陶瓷表面渗入的均匀性，提高压敏陶瓷的电学性能，并且由于玻璃薄膜的存在，同时也显著提高了陶瓷的耐潮能力。
提高陶瓷性能表面处理方法

[发明专利]一种TiO2压敏陶瓷的制备方法-CN201610830522.3在审
发明人：严继康;姜贵民;段志操;杜景红;甘国友;易健宏 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：本发明公开一种TiO2压敏陶瓷的制备方法，将掺杂金属氧化的TiO2复合粉末进行球磨、干燥、过筛、压块、排胶、烧结，烧结采用热压烧结的方式进行，烧结工艺如下以5~20℃/min的升温至750~850℃，保温30min，以5~15℃/min的升温速率升温至1250~1450℃，保温30min，以5℃/min的降温速率降温100℃后保温2~5 h，再自然冷却至室温，得到TiO2压敏陶瓷；本发明克服传统TiO2压敏陶瓷烧结过程的不足，改善TiO2压敏陶瓷材料的微观结构，提高TiO2压敏陶瓷材料的压敏性能。
一种 tio2 陶瓷制备方法

[发明专利]一种ZnO压敏陶瓷用无机粘合剂-CN201010135304.0无效
发明人：郑嘹赢;李国荣;李玉科;程丽红;曾江涛 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： C09J1/00 文献下载
摘要：本发明属于电工材料和制备领域，具体涉及一种ZnO压敏陶瓷用无机粘合剂。该ZnO压敏陶瓷用无机粘合剂为硅酸铝镁、硝酸铝、硝酸银和水混合形成的混合物胶体。本发明的无机粘合剂，既是一种粘合剂，起到与PVA粘合剂同样的造粒和成型功能；同时，它也是ZnO压敏陶瓷中的一种添加剂，可以提高其电学性能。本发明的无机溶胶型粘合剂在用于制备ZnO压敏陶瓷过程中，造粒成型后不需要排胶工艺可直接烧成压敏陶瓷，减少了ZnO压敏陶瓷制备的工艺环节，可大幅度降低生产成本。
一种 zno 陶瓷无机粘合剂

[发明专利]一种基于二氧化锡的低残压比压敏陶瓷材料的制备方法-CN201010532613.1无效
发明人：魏乔苑;何金良;胡军 -专利权人：清华大学
申请日： 2010-11-05 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二氧化锡的低残压比压敏陶瓷材料的制备方法，属于半导体材料技术领域。本方法由SnO2复合掺杂Co2O3、Cr2O3、Nb2O5，通过陶瓷制备工艺，通过压敏陶瓷材料制备工艺，制得残压比为1.86，非线性系数为42.6，电压梯度为364.6V/mm的压敏陶瓷材料。本发明与现有技术相比，比现有的SnO2基压敏陶瓷残压比低，具有较高的非线性系数和适当的电压梯度；与商用ZnO基压敏陶瓷具有可比的残压比、非线性系数、电压梯度等电学特性，同时具有简单的微观结构和更好的稳定性
一种基于氧化低残压陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种SiCN陶瓷无线无源压力传感器及其制备方法-CN201711374477.6在审
发明人：余煜玺;刘熠新;余洪哿 -专利权人：厦门大学
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：一种SiCN陶瓷无线无源压力传感器及其制备方法，SiCN陶瓷无线无源压力传感器设有圆柱形非晶态SiCN陶瓷压敏元件、谐振腔和耦合槽天线；圆柱形非晶态SiCN陶瓷压敏元件的表面包裹有金属层，金属层形成谐振腔制备圆柱形非晶态SiCN陶瓷压敏元件；对非晶态SiCN陶瓷压敏元件表面处理；在非晶态SiCN陶瓷压敏元件上，贴上与耦合槽天线尺寸一致的聚酰亚胺胶带后，再在非晶态SiCN陶瓷压敏元件表面涂上金属层形成谐振腔，去除聚酰亚胺胶带，得上表面带有耦合槽天线的谐振腔；完成金属浆料的金属化，得非晶态SiCN陶瓷无线无源压力传感器。
一种 sicn 陶瓷无线无源压力传感器及其制备方法

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