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[发明专利]采用深沟槽隔离的图像传感器的制作方法-CN201510280051.9在审
发明人：赵立新;杨瑞坤 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种采用深沟槽隔离的图像传感器的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底包括衬底单晶硅层；刻蚀所述衬底单晶硅层以形成若干凸起的单晶硅墙，所述单晶硅墙的顶表面和侧表面覆盖有介质层；选择性外延所述单晶硅墙之间的衬底单晶硅层表面以形成第一外延单晶硅层，去除覆盖单晶硅墙顶表面的介质层以暴露出单晶硅墙顶表面，选择性外延所述单晶硅墙顶表面和第一外延单晶硅层表面以形成第二外延单晶硅层；在所述第一外延单晶硅层和第二外延单晶硅层中形成图像传感器的部分器件。本发明有效减少了隔离结构和外延单晶硅层的缺陷，避免了图像传感器器件的功能损害，提高了图像传感器器件质量。
采用深沟隔离图像传感器制作方法

[发明专利]单片单晶硅微机械加工的电容式压力传感器-CN200510092880.0无效
发明人：涂相征;李韫言 -专利权人：李韫言
申请日： 2005-08-25 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： G01L9/12 文献下载
摘要：一种微机械加工的电容式压力传感器，其结构主要包括：单晶硅衬底；处于单晶硅衬底表面，起电容器弹性电极作用的外延单晶硅层；处于单晶硅衬底边缘表面的外延单晶硅框架；覆盖外延单晶硅框架表面的介质薄膜；由外延单晶硅框架支持，起电容器固定电极作用的外延单晶硅层；由外延单晶硅框架所围绕，处于两外延单晶硅层之间的空洞夹层。传感器的制造采用多孔硅选择性形成，多孔硅上外延生长，以及多孔硅选择性腐蚀等技术。由于器件为全单晶硅结构，器件性能可以得到很大改进，制造成本也能大幅度降低。
单片单晶硅微机加工电容压力传感器

[实用新型]采用深沟槽隔离的图像传感器-CN201520352531.7有效
发明人：赵立新;杨瑞坤 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供一种采用深沟槽隔离的图像传感器，包括：衬底，所述衬底包括衬底单晶硅层；单晶硅墙，凸出设置于衬底单晶硅层表面，所述单晶硅墙的侧表面覆盖有介质层；第一外延单晶硅层，位于所述单晶硅墙之间的衬底单晶硅层表面；第二外延单晶硅层，位于所述单晶硅墙顶表面和第一外延单晶硅层表面；图像传感器的部分器件，位于所述第一外延单晶硅层和第二外延单晶硅层中。本实用新型有效减少了隔离结构和外延单晶硅层的缺陷，避免了图像传感器器件的功能损害，提高了图像传感器器件质量。
采用深沟隔离图像传感器

[发明专利]SOI衬底的制造方法-CN202080003712.2在审
发明人：朴振源 -专利权人：韩商则舒穆公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及多个SOI衬底的制造方法，所述SOI衬底的制造方法的特征包括：(a)在第一单晶硅衬底的一面上形成硅剥离层的步骤；(b)在硅剥离层上形成第一单晶硅外延层的步骤；(c)在第一单晶硅外延层的一面上形成多个绝缘图案的步骤；(d)在第一单晶硅外延层和绝缘图案上形成第二单晶硅外延层的步骤；(e)将第二单晶硅外延层进行平坦化的步骤；(f)接合第一单晶硅衬底与表面上形成有氧化层的第二单晶硅衬底的步骤；(g)通过向硅剥离层施加能量来分离并去除第一单晶硅衬底的步骤；(h)从第一单晶硅外延层的另一面向一面方向缩减厚度的同时进行去除的步骤。
soi 衬底制造方法

[发明专利]SOI基板的制造方法-CN202111550729.2在审
发明人：李永浩 -专利权人：韩商则舒穆公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及SOI基板的制造方法，SOI基板的制造方法包括以下步骤：(a)在第一单晶硅基板的一面上形成硅剥离层；(b)在硅剥离层上形成单晶硅外延层；(c)在单晶硅外延层的一面上形成多个阴刻图案；(d)在阴刻图案和单晶硅外延层上形成绝缘层；(e)在绝缘层的表面上接合形成有氧化层的第二单晶硅基板；(f)通过向硅剥离层施加能量，将第一单晶硅基板分离并去除；(g)从单晶硅外延层的另一面向一面方向缩减厚度的同时进行去除。
soi 制造方法

[发明专利]外延晶圆的制造方法-CN202180088195.8在审
发明人：铃木克佳 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延晶圆的制造方法，是在单晶硅晶圆上形成单晶硅层的外延晶圆的制造方法，包含以下工序：通过氢氟酸将所述单晶硅晶圆表面的自然氧化膜去除；在已去除所述自然氧化膜的所述单晶硅晶圆的表面形成氧原子层；以及在形成有所述氧原子层的所述单晶硅晶圆的表面上使所述单晶硅层外延生长，其中，使所述氧原子层的氧的平面浓度为1×1015atoms/cm2由此，提供一种能够将氧原子层稳定且简便地导入至外延层，且具有优质的单晶硅外延层的外延晶圆的制造方法。
外延制造方法

[实用新型]一种高导通低漏电的肖特基芯片-CN201921868925.2有效
发明人：薛涛;关仕汉;迟晓丽 -专利权人：淄博汉林半导体有限公司
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：包括衬底，在衬底表面设置有外延层，在外延层中部形成肖特基界面（4），其特征在于：所述的外延层包括第一外延层和第二外延层，在肖特基界面（4）下部的第二外延层内间隔设置有多个第二单晶硅区（5），在每一个第二单晶硅区（5）的下方分别设置有第一单晶硅区（3），第二单晶硅区（5）的宽度大于其底部对应的第一单晶硅区（3）的宽度。在本高导通低漏电的肖特基芯片中，设置有两层外延层，并通过设置第一单晶硅区和第二单晶硅区，可以有效阻断反向电流，同时有效增大肖特基界面的面积，降低了正向导通的电阻，因此增大了正向导通电流。
一种高导通低漏电肖特基芯片

[发明专利]锗硅外延生长方法-CN201410138306.3在审
发明人：曹威;江润峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供了一种锗硅外延生长方法，所述锗硅外延生长方法包括：清洗单晶硅衬底；对所述单晶硅衬底表面执行原位刻蚀；在所述单晶硅衬底表面生长锗硅外延层。在本发明提供的锗硅外延生长方法中，通过对所述单晶硅衬底表面执行原位刻蚀，便可去除自然生长的氧化层，从而避免了所形成的锗硅外延层中产生层错、位错、滑移线等晶格缺陷，进而可提高器件/产品质量。
外延生长方法

[发明专利]制造单晶薄膜的方法以及由其制造的单晶薄膜器件-CN200480041710.3无效
发明人：野田优 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
申请日： 2004-12-22 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供制造单晶薄膜的方法以及由如上方法制得的器件，根据上述方法，单晶硅薄膜的剥离可良好进行，得到高纯度的单晶硅薄膜。准备单晶硅衬底(模板Si衬底)201，在这种单晶硅衬底201上，形成外延牺牲层202。然后，在这个牺牲层202上，用RVD方法快速外延生长单晶硅薄膜203，随后刻蚀掉牺牲层202，由此形成用作太阳能电池光生伏打层的单晶硅薄膜204。
制造薄膜方法以及器件

[发明专利]外延晶片及其制造方法-CN02816297.8有效
发明人：户部敏视 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2002-08-21 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明提供一种外延晶片，在掺杂氮的单晶硅晶片表面形成有硅外延层，其特征在于：体内具有吸气能力的氧析出物密度不低于10⁸个/cm³。另外，本发明是提供一种外延晶片的制造方法，其特征在于：用CZ法拉制添加了氮的单晶硅，将该单晶硅加工成晶片，以制造出单晶硅晶片，在该单晶硅晶片进行热处理，使将晶片的体内的具有吸气能力的尺寸的氧析出物密度不低于10⁸个/cm³，然后在上述单晶硅晶片上进行外延生长。由此，不依存于器件工序，可确实获得一种具有高吸气能力的单晶硅晶片。
外延晶片及其制造方法

[发明专利]双极性三极管器件及其制备方法-CN201811573593.5在审
发明人：孙澜;章剑锋;刘宗华 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极性三极管器件及其制备方法，该双极性三极管器件包括衬底、外延层和双极性三极管；双极性三极管包括：由轻掺杂的N‑型单晶硅外延层组成的集电区；由掺杂碳原子的P型单晶硅锗合金组成的基区，P型单晶硅锗合金中锗的含量沿第一方向由零递增至第一阈值后再递减为零；由重掺杂的N+型单晶硅组成的发射区；金属电极，包括集电极、基极和发射极；衬底为重掺杂的P+型单晶硅衬底；外延层包括沿第一方向层叠设置的轻掺杂的P‑型单晶硅外延层和重掺杂的N+型单晶硅外延层，集电区位于在N+型单晶硅外延层上，以使P+型单晶硅衬底与集电区之间形成反向PN结隔离。
极性三极管器件及其制备方法

[实用新型]双极性三极管器件-CN201822164690.0有效
发明人：孙澜;章剑锋;刘宗华 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双极性三极管器件，该双极性三极管器件包括衬底、外延层和双极性三极管；双极性三极管包括：由轻掺杂的N‑型单晶硅外延层组成的集电区；由掺杂碳原子的P型单晶硅锗合金组成的基区，P型单晶硅锗合金中锗的含量沿第一方向由零递增至第一阈值后再递减为零；由重掺杂的N+型单晶硅组成的发射区；金属电极，包括集电极、基极和发射极；衬底为重掺杂的P+型单晶硅衬底；外延层包括沿第一方向层叠设置的轻掺杂的P‑型单晶硅外延层和重掺杂的N+型单晶硅外延层，集电区位于在N+型单晶硅外延层上，以使P+型单晶硅衬底与集电区之间形成反向PN结隔离。
双极性三极管单晶硅外延衬底单晶硅集电区轻掺杂外延层锗合金重掺杂本实用新型层叠设置电流增益隔离效果金属电极掺杂的发射极发射区集电极碳原子基区递减掺杂递增

[发明专利]硅外延片-CN200810095543.0有效
发明人：保科祐章;田中纪通 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2004-05-21 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种硅外延片，具有单晶硅基片，形成于该单晶硅基片的背面的硅氧化膜，以及形成于上述单晶硅基片的主表面上的硅外延层，其特征是，从上述单晶硅基片的上述背面延续到该单晶硅基片的外周部的至少最外缘的外周氧化膜
外延

[发明专利]单晶硅微机械加工的电容式麦克风及其制造方法-CN200410042603.4无效
发明人：涂相征;李韫言 -专利权人：李韫言
申请日： 2004-05-27 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：一种单晶硅微机械加工的电容式麦克风，其电容器的柔性平板，刚性平板，以及将两平板隔开，并在其内部形成空气隔层的支持边框都由外延单晶硅层进行微机械加工而成。外延单晶硅层的形成采用了介质图案上外延生长和多孔单晶硅层上外延生长技术。而其微结构的形成则采用了多孔单晶硅的选择性形成和腐蚀的微机械加工技术。由于构成电容器的材料都是同质的单晶硅材料，从而消除了所有由异质材料热失配应力所引起的有关问题，使麦克风的性能价格比得到很大提高。
单晶硅微机加工电容麦克风及其制造方法

[实用新型]大功率肖特基势垒器件-CN201420385324.7有效
发明人：徐吉程;毛振东;薛璐 -专利权人：苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开一种大功率肖特基势垒器件，位于所述单晶硅外延层上部并开口于所述单晶硅外延层上表面的沟槽，其特征在于：所述沟槽四壁均具有第一二氧化硅氧化层，一导电多晶硅体嵌入所述沟槽内，位于导电多晶硅体中下部的多晶硅中下部位于沟槽内且与单晶硅外延层之间设有所述第一二氧化硅氧化层，位于导电多晶硅体上部的多晶硅上部位于上金属层内，位于单晶硅外延层内的上部区域且位于所述沟槽上部外侧四周具有第二导电类型掺杂区，第二导电类型掺杂区与单晶硅外延层的接触面为弧形面，所述第二导电类型掺杂区位于单晶硅外延层的深度小于导电多晶硅体位于单晶硅外延层的深度
大功率肖特基势垒器件

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