专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于直拉法单晶硅的提方法-CN202310877372.1在审
  • 丁波;关树军;洪华;路建华 - 乐山市京运通新材料科技有限公司
  • 2023-07-18 - 2023-10-10 - C30B15/20
  • 本发明公开了一种基于直拉法单晶硅的提方法,在制备单晶硅的熔料完成后操作提方法,依次包括以下步骤:步骤一:拉制一段单晶硅晶体,使单晶硅晶体脱离熔硅液面;步骤二:提高单晶的加热功率;步骤三:回熔单晶硅晶体的底端;步骤四:提及清除杂质;步骤五:清除杂质完成后,依次完成引晶、放肩、转肩、等径、收尾和停工序,得到拉制成型的单晶硅棒。使首次投料的引放次数有效的降低到平均1.5‑1.8次,首投更快的拉出后,对后面的循环段更有效,降低晶体成晶难度,降低人员劳动强度,减少了生产成本,提高了单晶单晶成晶率和成品率。
  • 一种基于直拉法单晶硅方法
  • [发明专利]一种直拉硅单晶的生产工艺-CN201110199181.1有效
  • 周建华 - 西安华晶电子技术股份有限公司
  • 2011-07-15 - 2011-11-16 - C30B15/20
  • 本发明公开了一种直拉硅单晶的生产工艺,包括以下步骤:1、硅原料及掺杂剂准备;2、装料;3、抽真空处理;4、熔料;5、熔料后提,其提过程如下:501、降温结晶;502、逐步升温并维持结晶过程连续进行直至硅熔体表面漂浮的不溶物全部被结晶物凝结住;503、取晶后清;6、后续处理:采用单晶且按直拉法的常规处理工艺,依次完成引晶、放肩、转肩、等径、收尾和停工序,并获得拉制成型的硅单晶成品。本发明设计合理、方法步骤简单、实现方便且易于掌握、使用效果好,能有效保证所生产硅单晶晶体的质量,并能解决现有硅单晶生产过程中存在的除时间不易把握、提效果较差、所生产硅单晶的纯度较低等实际问题。
  • 一种直拉硅单晶生产工艺
  • [发明专利]炸棒后残留硅的处理方法和单晶-CN202310956068.6在审
  • 唐涛;陈铭;龙昭钦;徐涛;林雨生;代理华 - 四川晶科能源有限公司
  • 2023-07-31 - 2023-09-12 - C30B29/06
  • 本发明公开了炸棒后残留硅的处理方法和单晶,该炸棒后残留硅的处理方法包括利用单晶对硅进行处理,单晶包括位于主室的导流筒和坩埚,以及位于副室的重锤,导流筒位于坩埚的上方,重锤与籽晶旋转提升机构相连接,籽晶旋转提升机构带动重锤沿竖直方向相对运动;重锤的底部连接有撞硅装置;包括以下步骤:在晶棒炸棒后,打开副室将剩余的晶棒吊出副室并取下;将撞硅装置装配于重锤上;将撞硅装置吊入副室,籽晶旋转提升机构通过重锤带动撞硅装置沿竖直方向向下运动,使得撞硅装置击落硅并掉入导流筒下方的坩埚中。通过籽晶旋转提升机构带动撞硅装置沿竖直方向向下运动,使得炸棒后残留的硅无需通过受热方式脱离导流筒。
  • 炸棒后残留处理方法单晶炉
  • [实用新型]一种单晶真空泵的保护过滤系统-CN202221003559.6有效
  • 王再雄 - 南京雄凯过滤设备有限公司
  • 2022-04-28 - 2022-09-23 - B01D46/72
  • 本实用新型涉及真空泵辅助保护结构领域,特别是涉及一种单晶真空泵的保护过滤系统,包括单晶本体,单晶本体连接有与其内部贯穿相通的进气管道,进气管道连接有进口阀,进气管道远离单晶本体的一端连接有金属粉末烧结过滤器,金属粉末烧结过滤器连接有花板,花板螺纹连接有金属粉末烧结滤芯,金属粉末烧结过滤器顶部连接有贯穿至其内部的反吹管道,反吹管道连接有反吹阀,金属粉末烧结过滤器底部连接有贯穿至其内部的排管道,排管道连接有排
  • 一种单晶炉真空泵保护过滤系统
  • [实用新型]一种用于清理转炉口及帽积的刮-CN201520651370.1有效
  • 杨锋功;容晨光;李建业 - 石家庄钢铁有限责任公司
  • 2015-08-27 - 2015-12-23 - C21C5/46
  • 一种用于清理转炉口及帽积的刮器,属于转炉设备技术领域,用于解决转炉口及不易清理的问题。其技术方案是:刮器包括底座、清臂、配重和吊装板,清臂位于底座前部,清臂倾斜延伸,清臂前端设有扁平的清刃,配重位于底座后部,吊装板位于清臂和配重之间,吊装板上部设有起吊孔。本实用新型清理积时,清刃紧贴在口或帽下沿,摇动转炉,利用转炉向下转动的动力将由清刃将口或帽处的刮掉。本实用新型结构简单,可以方便、快捷地清理口或,减少清处理时间,降低人工劳动强度,消除拆机进行振打口积而造成口、帽镁碳砖损伤的弊端,还可以降低设备日常维护的运行成本。
  • 一种用于清理转炉炉帽积渣刮渣器
  • [实用新型]一种自动清洁单晶炉上筒内壁的装置-CN202023211388.X有效
  • 房现阁;刘进;柯尊斌;王卿伟 - 中锗科技有限公司
  • 2020-12-28 - 2021-08-17 - C30B15/00
  • 本实用新型公开了一种自动清洁单晶炉上筒内壁的装置,包括清洁环、接带、除尘布贴片、螺纹杆和底座;清洁环为圆环结构,包括内环和外环,内环和外环之间的清洁环上设有沿轴向设置的螺纹通孔;清洁环的螺纹通孔螺纹连接在螺纹杆上;接带沿清洁环的外侧壁周边设置,除尘布贴片有两块以上,除尘布贴片分布在接带上;螺纹杆的底部垂直连接在底座上,底座上设有驱动螺纹杆转动的电机。本实用新型自动清洁单晶炉上筒内壁的装置,通过螺纹杆和上筒内壁摩擦的共同作用,可实现清洁环的上下移动,进而实现上筒内壁的清洁,且不影响上筒内的籽晶绳,安全性好,可控性强,能够自动快速、高效处理单晶炉上筒内壁挥发质
  • 一种自动清洁单晶炉上炉筒内壁装置
  • [发明专利]一种转炉清理的方法-CN202111223322.9有效
  • 赵龙;江涛勇;杨林;潘佳;王世杰 - 阳春新钢铁有限责任公司
  • 2021-10-20 - 2023-01-13 - C21C5/46
  • 本发明提供了一种转炉清理的方法,涉及转炉冶炼技术领域,包括以下步骤:调节夹角、调节高度、窜枪喷氧、氧射流加热、化学软化、加热、二次吹氧和定期清理;本发明初步清理时,根据夹角角度计算好铜头高度,在吹炼结束将氧枪提至预设高度,利用氧枪喷射高温氧射流,调低氧压至0.5MPa,开氧吹扫,驱动氧枪的铜头摆动,并上下窜枪,即可有效清除大部分的,控制厚的问题,氧气吹扫,用时短,比单一用拆机清理效率高,且无需击打,降低对水冷口的影响,有利于型维护和兑铁加废钢作业,且针对顽固的,采用特制的软化剂配合加热和二次吹氧,有利于将顽固的清理下,清理效果更好。
  • 一种转炉炉帽粘渣清理方法
  • [发明专利]用于单晶的石墨坩埚-CN201210233147.6无效
  • 陈五奎;耿荣军;李军;徐文州;冯加保 - 乐山新天源太阳能科技有限公司
  • 2012-07-06 - 2012-10-10 - C30B15/10
  • 本发明公开了一种能够提高单晶硅纯度的用于单晶的石墨坩埚。该石墨坩埚,包括锅壁与锅底,所述锅壁上设置有多个沿壁厚方向贯穿锅壁的排孔。通过设置排孔,使得从石英坩埚毛面脱落的二氧化硅颗粒在高速惰性气体的裹带下,会直接从排孔中排出,然后从单晶炉体底部设置的抽气孔排出,能够有效防止脱落的二氧化硅颗粒沿着石英坩埚与石墨坩埚之间的缝隙向上冲出后掉落至石英坩埚内,进而避免最后生产出来的单晶硅存在二氧化硅的杂质颗粒,能够大大提高单晶硅的纯度,使其达到生产要求。适合在单晶生产设备领域推广应用。
  • 用于单晶炉石墨坩埚
  • [实用新型]用于单晶的石墨坩埚-CN201220326037.X有效
  • 陈五奎;耿荣军;李军;徐文州;冯加保 - 乐山新天源太阳能科技有限公司
  • 2012-07-06 - 2013-01-23 - C30B15/10
  • 本实用新型公开了一种能够提高单晶硅纯度的用于单晶的石墨坩埚。该石墨坩埚,包括锅壁与锅底,所述锅壁上设置有多个沿壁厚方向贯穿锅壁的排孔。通过设置排孔,使得从石英坩埚毛面脱落的二氧化硅颗粒在高速惰性气体的裹带下,会直接从排孔中排出,然后从单晶炉体底部设置的抽气孔排出,能够有效防止脱落的二氧化硅颗粒沿着石英坩埚与石墨坩埚之间的缝隙向上冲出后掉落至石英坩埚内,进而避免最后生产出来的单晶硅存在二氧化硅的杂质颗粒,能够大大提高单晶硅的纯度,使其达到生产要求。适合在单晶生产设备领域推广应用。
  • 用于单晶炉石墨坩埚
  • [发明专利]一种单晶液体连续加料装置-CN202111300662.7在审
  • 张忠涛;曹玉宝;尹嘉琦;李万朋;王建波 - 连城凯克斯科技有限公司
  • 2021-11-04 - 2022-02-08 - C30B15/12
  • 本发明属于单晶硅制备技术领域,具体的说是一种单晶液体连续加料装置,包括拉晶、熔料、拉晶坩埚和熔料坩埚;所述熔料坩埚外侧安装有加热器;所述熔料炉顶部安装有提装置;所述拉晶与熔料之间设有支撑管;所述支撑管内部安装有上料管;所述拉晶与熔料之间连通有气压平衡管路,气压平衡管路上安装有控制阀;将硅料送入熔料坩埚中,加热器将硅料熔化,关闭控制阀,给熔料内部加压,利用压差效应,将熔料坩埚中的熔料通过上料管导入拉晶坩埚中,完成一次上料,进而打开控制阀,调节压差,保护设备,再向熔料坩埚中投入硅料,拉晶和熔料同时进行,无需再在拉晶内熔料,大量节省时间,更方便提,提高单晶工作效率。
  • 一种单晶炉液体连续加料装置

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