专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于单相机的单晶单晶棒直径的测量方法-CN202211199062.0在审
  • 欧世乐;王克;秦文 - 霍克视觉科技(苏州)有限公司
  • 2022-09-29 - 2023-01-03 - G06T7/80
  • 本发明涉及一种基于单相机的单晶单晶棒直径的测量方法,第一步,安装相机,获取相机的相关参数;第二步,获取实时图形,并计算出导流筒及导流筒倒影在成像平面上的直径;第三步,构建基于小孔成像的数学模型,并根据相似三角形的定理,计算出真实的口距,进而得到单晶内的高度;第四步,根据面高度,基于相似三角形的定理,计算出光圈的真实物理直径,并得到单晶棒的直径。本发明采用单相机实现对单晶单晶棒直径进行测量,基于小孔成像的原理建立数学模型,能够获取真实物理测量值,避免传统测量方法需要人为调整系数而使得操作复杂且易存在误差的问题,也可避免对人员技术的严重依赖
  • 一种基于相机单晶炉液位单晶棒直径测量方法
  • [发明专利]12吋单晶硅棒的拉制收尾工艺-CN202110344138.3在审
  • 不公告发明人 - 广东高景太阳能科技有限公司
  • 2021-03-30 - 2021-07-06 - C30B15/20
  • 本发明涉及12吋单晶硅棒生产技术领域,公开了一种12吋单晶硅棒的拉制收尾工艺,按如下步骤进行:S1、升温维持:当单晶硅棒的长度拉制到规定长度后,开始收尾,维持初始温度和单晶硅棒等径末期的晶升速度,将单晶内的温度升温,并降低晶升速度;S2、缩颈生长:在所述升温维持阶段末端单晶的温度基础上提高单晶的温度,调节单晶硅棒的上升速度;S3、收尖阶段:在所述缩颈生长阶段末端单晶的温度基础上提高单晶的温度,提高单晶硅棒的晶升速度;S4、结束收尾:当单晶硅棒收尾阶段的长度达到180~240mm,优选小于等于200mm,单晶硅棒收尾末端的断面直径小于30mm时,降低埚,使单晶硅棒脱离埚内的硅单质熔面,结束收尾。
  • 12单晶硅拉制收尾工艺
  • [发明专利]一种单晶棒的生产工艺及设备-CN202211541972.2在审
  • 张向东;章斌;王林 - 衢州晶哲电子材料有限公司
  • 2022-12-02 - 2023-03-21 - C30B27/02
  • 本发明属于技术领域,尤其涉及一种单晶棒的生产工艺及设备,单晶包括第一室、第二室和隔离组件,第一室用于将硅料融化成硅,第一室上设置有第一口;第二室,第二室包括工作和卸料,第二室通过卸料机构在工作和卸料之间切换,第二室上设置有第二口;隔离组件隔离组件具有隔热结构;籽晶提拉旋转机构,籽晶提拉旋转机构设置在第二室上方,籽晶提拉旋转机构包括籽晶夹具;单晶炉上还设置有引导机构,引导机构用于引导第二室复位至工作本发明通过引导机构使第二室在工作和卸料切换时平稳且快速的对接或分离,也能降低引导机构零部件之间的磨损,节约成本,节省加工时间,提高工作效率。
  • 一种单晶棒生产工艺设备
  • [实用新型]单晶小副室-CN202120171922.4有效
  • 王怡然;罗建明;关成 - 包头晶澳太阳能科技有限公司
  • 2021-01-22 - 2022-01-14 - C30B15/00
  • 本实用新型公开了提供一种单晶小副室,包括单晶小副室主体和用于封闭单晶小副室主体开口部的盖板,盖板端部与单晶小副室主体之间连接有使得盖板于第一置与第二置之间翻转的连接件,盖板封闭单晶小副室主体开口部时位于第一置,盖板位于第二置时,盖板与单晶小副室主体开口部形成大于90°的夹角;在单晶小副室主体开口部设置能封闭单晶小副室主体的盖板,在副室旋开后,盖板能阻隔外部的金属碎屑、灰尘等杂质从而防止外部杂质落入小副室中污染原料,盖板与单晶小副室主体开口部之间通过铰链连接,使得盖板打开时翻转至单晶小副室主体侧面,在副室复位时盖板打开翻转至单晶小副室主体侧面,避免阻碍后续拉晶操作。
  • 单晶炉小副室
  • [发明专利]一种口距测量方法和装置-CN202111399627.5在审
  • 郭力;张伟建;杨正华;杜婷婷;武高峰;马宝;王正远 - 隆基绿能科技股份有限公司
  • 2021-11-19 - 2023-05-23 - G06T7/00
  • 本发明实施例提供了一种口距测量方法和装置,涉及单晶硅直拉法生长技术领域,该方法包括:获取第一置对应的第一埚、热屏倒影在竖直测量的第一竖直像素值和在水平测量的第一水平像素值;获取第二置对应的第二埚、热屏倒影在竖直测量的第二竖直像素值和在水平测量的第二水平像素值;基于所述第一埚、所述第二埚、所述第一竖直像素值、所述第二竖直像素值、所述第一水平像素值和所述第二水平像素值计算出所述单晶口距通过上述方式,在不需要采用激光位移传感器、红外测距等设备的情况下,通过视觉算法即可确定出单晶口距。
  • 一种液口距测量方法装置

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