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[发明专利]碳纳米管的分离方法、分散液及用该分离方法得到的碳纳米管-CN200580026051.0无效
发明人：赤阪健;若原孝次;前田优 -专利权人：国立大学法人筑波大学
申请日： 2005-07-29 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明是能够实现从束状的碳纳米管选择地分离金属性单层碳纳米管和半导体碳纳米管的方法，用该方法，使得到高纯度地分离的金属性单层碳纳米管成为可能。基于金属性单层碳纳米管和半导体碳纳米管的电特性的不同，在利用金属性单层碳纳米管和半导体碳纳米管对胺的相互作用的不同的同时，利用胺在SWNTs的分离中成为重要的因素，从束状的碳纳米管使金属性单层碳纳米管分散(解开)成单根，将像这样已分散的碳纳米管利用离心分离和非分散状态的半导体碳纳米管分离。
纳米分离方法分散得到

[发明专利]半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法-CN202080079201.9在审
发明人：平石笃司 -专利权人：花王株式会社
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C01B32/172 文献下载
摘要：本发明在一个方式中提供一种半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法，其可在水性介质中并且通过容易获取的分离剂的使用和简单的操作来从包含半导体型单层碳纳米管和金属型单层碳纳米管的单层碳纳米管混合物中分离半导体型单层碳纳米管本发明在一个方式中涉及一种半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法，其包括：制备被分离单层碳纳米管分散液的工序A，上述被分离单层碳纳米管分散液含有包含半导体型单层碳纳米管和金属型单层碳纳米管的单层碳纳米管、水性介质、以及包含源自下式(1)所表示的单体的结构单元A和源自下式(3)所表示的单体的结构单元B的共聚物；以及将上述被分离单层碳纳米管分散液离心分离后，从经离心分离的上述被分离单层碳纳米管分散液中提取包含上述半导体型单层碳纳米管的上清液的工序
半导体单层纳米分散制造方法

[发明专利]半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法-CN202080079242.8在审
发明人：浅井光夫;平石笃司 -专利权人：花王株式会社
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C01B32/172 文献下载
摘要：本发明的一个方式提供可在水性介质中、且通过使用容易获取的分离剂及简单操作而从包含半导体型单层碳纳米管与金属型单层碳纳米管的单层碳纳米管混合物中分离半导体型单层碳纳米管的半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法本发明的一个方式涉及一种半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法，包含：工序A，制备含有包含半导体型单层碳纳米管与金属型单层碳纳米管的单层碳纳米管、水性介质及包含源自下述式(1)所表示的单体的结构单元A的非离子性聚合物的被分离单层碳纳米管分散液；及工序B，对上述被分离单层碳纳米管分散液进行离心分离后，从经离心分离的上述被分离单层碳纳米管分散液中提取包含上述半导体型单层碳纳米管的上清液，上述聚合物的所有结构单元中的结构单元A的含量为2摩尔％以上
半导体单层纳米分散制造方法

[发明专利]包含具有密集部分和稀疏部分的单层碳纳米管的膜以及具有该膜的材料-CN201710382326.9有效
发明人：丸山茂夫;千足升平;崔可航 -专利权人：国立大学法人东京大学;昭和电工株式会社
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明提供一种具有单层碳纳米管的膜以及具有该膜的材料，所述单层碳纳米管具有能够充分发挥其特性的形状。本发明提供一种膜，是具有单层碳纳米管的膜，该膜具有单层碳纳米管的密集部分和单层碳纳米管的稀疏部分，通过所述密集部分在所述膜上形成类蜂窝结构，所述稀疏部分实质上仅由其轴向对于所述膜水平配置了的单层碳纳米管构成，所述密集部分实质上仅由单层碳纳米管构成。
包含具有密集部分稀疏单层纳米以及材料

[发明专利]包含具有密集部分和稀疏部分的单层碳纳米管的膜及其制造方法、以及具有该膜的材料及其制造方法-CN201480024508.3有效
发明人：丸山茂夫;千足升平;崔可航 -专利权人：国立大学法人东京大学;株式会社电装
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明提供一种具有单层碳纳米管的膜及其制造方法，所述单层碳纳米管具有能够充分发挥其特性的形状。本发明提供一种膜，是具有单层碳纳米管的膜，该膜具有单层碳纳米管的密集部分和单层碳纳米管的稀疏部分，通过该密集部分在膜上形成类蜂窝结构。
单层碳纳米管稀疏制造蜂窝结构

[发明专利]单层碳纳米管的制造方法及其应用-CN200710080027.6无效
发明人：梶浦尚志;孙静;高濂;王焱;刘阳桥 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-03-05 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供一种单层碳纳米管的制造方法，其可以将集束化的单层碳纳米管良好地分散成单个的单层碳纳米管，而不会牺牲单层碳纳米管固有的化学性质和刚合成后的长的长度，以及提供一种利用该制造方法的单层碳纳米管应用装置的制造方法将FePt纳米颗粒或CeO₂纳米颗粒分散在氢氧化四甲铵水溶液等水溶液中。在该水溶液中添加利用各种方法合成的单层碳纳米管。超声波处理该水溶液得到悬浮液。通过例如磁搅拌该悬浮液，得到被单个分离的单层碳纳米管。
单层纳米制造方法及其应用

[发明专利]高取向碳纳米管薄膜或纤维及其微梳法制备装置和方法-CN201510698259.2有效
发明人：张丽雯;赵静娜;朱运田;李清文 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明公布了一种高取向碳纳米管薄膜或纤维及其微梳法制备装置和方法。在一实施例中，该制备方法包括：提供碳纳米管阵列，并从所述碳纳米管阵列中拉出单层碳纳米管薄膜；以表面分布有一排以上微米级微齿的微梳对于所述单层碳纳米管薄膜进行微梳处理，从而使所述单层碳纳米管薄膜中的碳纳米管取向基本一致；以及，以收集轴收集经微梳处理后的单层碳纳米管薄膜，并形成高取向碳纳米管薄膜或碳纳米管纤维。藉由本发明可以使碳纳米管纤维、薄膜的结构更加致密，并大幅提升其载荷传递效率和力学性能。同时，本发明还成功实现了将碳纳米管材料从微观体到宏观体的转变，增加了其宏观可操作性，便于后续处理和加工。
取向纳米薄膜纤维及其法制装置方法

[发明专利]单层碳纳米管的制造方法-CN200610140271.2无效
发明人：梶浦尚志;刘阳桥;高濂;孙静 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-10-20 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供能够安全、高收率地制造具有相同长度的高纯度单层碳纳米管，且可控制长度的单层碳纳米管的制造方法。通过用硝酸等酸处理利用各种方法合成的包含单层碳纳米管的炭系材料，除去金属杂质，并且在单层碳纳米管的管壁上生成缺陷。接着，通过使用硝酸、过氧化氢、过硫酸盐化合物等氧化剂处理该炭系材料，切断单层碳纳米管。然后，利用氨气等还原性气体处理该炭系材料，从而除去碳杂质，并使单层碳纳米管的缺陷恢复。
单层纳米制造方法

[发明专利]单层碳纳米管以及取向单层碳纳米管块结构体以及它们的制造方法、装置以及用途-CN201010241548.7有效
发明人：畠贤治;饭岛澄男;汤村守雄;D·N·弗塔巴 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2005-07-27 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： C01B31/00 文献下载
摘要：本发明涉及含有多个取向单层碳纳米管的集合体、高度在10微米以上的取向单层碳纳米管·块状体，以及含有多个取向单层碳纳米管的集合体、形状被图形化为规定形状的取向单层碳纳米管·块状体。将该结构体是在金属催化剂的存在下，在反应气氛中添加氧化剂、优选水，使碳纳米管进行化学气相成长(CVD)进行制造的。本发明提供高纯度、长度或者高度达到飞跃地大尺寸化的取向单层碳纳米管块结构体以及其制造方法以及制造装置。
单层纳米以及取向结构它们制造方法装置用途

[发明专利]单层碳纳米管以及取向单层碳纳米管块结构体以及它们的制造方法、装置以及用途-CN200580029818.5有效
发明人：畠贤治;饭岛澄男;汤村守雄;D·N·弗塔巴 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2005-07-27 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明涉及含有多个取向单层碳纳米管的集合体、高度在10微米以上的取向单层碳纳米管·块状体，以及含有多个取向单层碳纳米管的集合体、形状被图形化为规定形状的取向单层碳纳米管·块状体。将该结构体是在金属催化剂的存在下，在反应气氛中添加氧化剂、优选水，使碳纳米管进行化学气相成长(CVD)进行制造的。本发明提供高纯度、长度或者高度达到飞跃地大尺寸化的取向单层碳纳米管块结构体以及其制造方法以及制造装置。
单层纳米以及取向结构它们制造方法装置用途

[发明专利]一种单层碳纳米管无纺布及其制备方法-CN200810103179.8无效
发明人：宋礼;解思深;周维亚;马文君 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2008-04-01 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： D04H1/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种含单层碳纳米管的无纺布及其制备方法。所述无纺布是由许多单层碳纳米管管束相互纠缠而形成；其面积为10～100cm²，厚度为100nm～20μm；所述单层碳纳米管管束的直径为10～50nm，长度为10μm～1mm；管束中的单层碳纳米管直径为1～3nm；所述单层碳纳米管无纺布的杨氏模量为100～300GPa。经过简单纯化后，所述单层碳纳米管无纺布几乎所有的催化剂颗粒都能被除去，并且无纺布的外形仍然保持完好。本发明的单层碳纳米管无纺布具有较高的机械强度和宏观的面积。本发明提供的制备方法简单、灵活、环保、绿色化学且低能耗，并且得到的单层碳纳米管无纺布具有高产率、结构稳定、可操作性强的优点。
一种单层纳米无纺布及其制备方法

[发明专利]单层碳纳米管及其制备方法、以及电子元件的制备方法-CN200610002907.7无效
发明人：王钰;付磊;刘云圻;梶浦尚志 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-01-27 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：提供一种单层碳纳米管的制备方法，该方法是一种可以很容易地制备出结构可控的高品质单层碳纳米管，并且可以制备直径极其小的单层碳纳米管、且直径分布范围可控的单层碳纳米管的方法。使用通过气化乙醇等的醇或醇的水溶液而得到的气体作为反应气体，利用化学气相沉积法，在常压下使单层碳纳米管生长。还提供一种通过该方法制备的单层碳纳米管以及利用该单层碳纳米管制备电子元件的方法。
单层纳米及其制备方法以及电子元件

[发明专利]碳纳米管和碳纳米管的提纯方法-CN200480039981.5无效
发明人：小松直树;大须贺笃弘;矶田正二;中嶋直敏;村上裕人 -专利权人：国立大学法人京都大学;日本电信电话株式会社;日本先锋公司;罗姆株式会社
申请日： 2004-12-28 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明旨在提纯单层碳纳米管(SWCNT)，并使得可以分选经提纯的单层碳纳米管的直径和长度。碳纳米管通过以下步骤进行提纯：碳纳米管浸入溶有模板化合物的溶液之中，并将特定的碳纳米管提取到该溶液中，所述模板化合物由具有共轭环状结构的受体部位和固定多个所述受体部位的间隔体部位组成；以及回收所提取的碳纳米管
纳米提纯方法

[发明专利]取向单层碳纳米管集合体及其制造方法-CN201610822916.4在审
发明人：畠贤治;D·N·弗塔巴;汤村守雄 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2009-12-28 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：本发明涉及取向单层碳纳米管集合体、块状取向单层碳纳米管集合体、粉体状取向单层碳纳米管集合体、及其制造方法。本发明提供一种取向单层碳纳米管集合体，可以容易制造，比表面积大，一根一根的碳纳米管(CNT)取向于规则的方向，且松密度低，因此具有成型加工性。所述取向单层碳纳米管集合体具备：基板、设置于该基板上且个数密度为1×1010～5×1013个/cm2的催化剂微粒、从该催化剂微粒成长的多个单层CNT，其中，所述多个单层CNT，比表面积为600m2/g～
取向单层纳米集合体及其制造方法

[发明专利]取向单层碳纳米管集合体、块状取向单层碳纳米管集合体、粉体状取向单层碳纳米管集合体、及其制造方法-CN201410075589.1无效
发明人：畠贤治;D·N·弗塔巴;汤村守雄 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2009-12-28 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明涉及取向单层碳纳米管集合体、块状取向单层碳纳米管集合体、粉体状取向单层碳纳米管集合体、及其制造方法。本发明提供一种取向单层碳纳米管集合体，可以容易制造，比表面积大，一根一根的碳纳米管(CNT)取向于规则的方向，且松密度低，因此具有成型加工性。所述取向单层碳纳米管集合体具备：基板、设置于该基板上且个数密度为1×1010～5×1013个／cm2的催化剂微粒、从该催化剂微粒成长的多个单层CNT，其中，所述多个单层CNT，比表面积为600m2／g～
取向单层纳米集合体块状粉体状及其制造方法

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