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[发明专利]层叠陶瓷电容器-CN201510468891.8有效
发明人：森田浩一郎;齐藤贤二 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供层叠陶瓷电容器，该层叠陶瓷电容器(10)包括23个单位电容器(UC1～UC23)，该23个单位电容器构成由3个单位电容器(UC1～UC3)构成的第一低电容区域(LA1)；由单位电容比该3个单位电容器(UC1～UC3)的单位电容大的17个单位电容器(UC4～UC20)构成的高电容区域(HA)；由单位电容比该17个单位电容器(UC4～UC20)的单位电容小的3个单位电容器(UC21～UC23)构成的第二低电容区域(LA2)；第一电容变化部，其设置于第一低电容区域与高电容区域之间，包括相邻的两个单位电容器(UC3和UC4)；和第二电容变化部，其设置于高电容区域与第二低电容区域之间，包括相邻的两个单位电容器(UC20
层叠陶瓷电容器

[发明专利]集成电路装置与电容器对-CN200910001320.8有效
发明人：陈家逸;张家龙;赵治平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-09-19 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路装置与电容器对，该集成电路装置包括电容器阵列，其具有排列成行与列的单位电容器，其中每个单位电容器由两电性绝缘的电容板组成。单位电容器具有至少一第一单位电容器，位于电容器阵列的每一列与每一行中，至少一第一单位电容器彼此互相电性连接，其中电容器阵列的每一行如同其它行与列，具有相同数量的至少一第一单位电容器，并且其中电容器阵列的每一列如同其它列与行，具有相同数量的至少一第一单位电容器。单位电容器还具有至少一第二单位电容器，位于上述电容器阵列的每一列与每一行中，其中至少一第二单位电容器彼此互相电性连接且平均分布于电容器阵列中。
集成电路装置电容器

[发明专利]集成电路装置与电容器对-CN200710153396.3有效
发明人：陈家逸;张家龙;赵治平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-09-19 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路装置与电容器对，该集成电路装置包括电容器阵列，其具有排列成行与列的单位电容器，其中每个单位电容器由两电性绝缘的电容板组成。单位电容器具有至少一第一单位电容器，位于电容器阵列的每一列与每一行中，至少一第一单位电容器彼此互相电性连接，其中电容器阵列的每一行如同其它行与列，具有相同数量的至少一第一单位电容器，并且其中电容器阵列的每一列如同其它列与行，具有相同数量的至少一第一单位电容器。单位电容器还具有至少一第二单位电容器，位于上述电容器阵列的每一列与每一行中，其中至少一第二单位电容器彼此互相电性连接且平均分布于电容器阵列中。
集成电路装置电容器

[发明专利]在带有多图案化的技术中带有相关误差抑制和改进的系统不匹配的电容器结构-CN202210802071.8在审
发明人：王涛;M·克拉玛特;Y·C·A·付 -专利权人：苹果公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01G4/38 文献下载
摘要：本发明题为“在带有多图案化的技术中带有相关误差抑制和改进的系统不匹配的电容器结构”。本发明描述了电容器阵列和操作数模转换器的方法。在实施方案中，电容器阵列包括单位电容器(Cu)结构，该Cu结构通过单位电容值来表征；多个不同的超级单位电容器结构；以及多个不同的子单位电容器结构，每个不同的子单位电容器结构具有由单位电容值的分数定义的不同电容
带有图案技术相关误差抑制改进系统匹配电容器结构

[发明专利]在带有多图案化的技术中带有相关误差抑制和改进的系统不匹配的电容器结构-CN201910360482.4有效
发明人：王涛;M·克拉玛特;Y·C·A·付 -专利权人：苹果公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01G4/38 文献下载
摘要：本发明题为“在带有多图案化的技术中带有相关误差抑制和改进的系统不匹配的电容器结构”。本发明描述了电容器阵列和操作数模转换器的方法。在实施方案中，电容器阵列包括单位电容器(Cu)结构，该Cu结构通过单位电容值来表征；多个不同的超级单位电容器结构；以及多个不同的子单位电容器结构，每个不同的子单位电容器结构具有由单位电容值的分数定义的不同电容
带有图案技术相关误差抑制改进系统匹配电容器结构

[发明专利]SAR型ADC电容重分布阵列归一化桥接电容电路-CN201810451472.7在审
发明人：杨平;李永凯;王波;齐旭;岑远军;黄欣 -专利权人：成都华微电子科技有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H03M1/46 文献下载
摘要：SAR型ADC电容重分布阵列归一化桥接电容电路，涉及集成电路。本发明低N位电容阵列仅由N个低位电容构成，每个低位电容对应一个数据位；所述桥接电容的电容值为1个单位电容值；桥接电容和数据位电容均由X个独立的单位电容组成，X为自然数，取值由该电容所在位置确定，每个单位电容的电容值为1个单位电容值。本发明保证整个电容阵列均为单位电容，最大限度提升DA内核的转换线性度。
电容单位电容桥接电容电路电容阵列分布阵列归一化低位线性度内核集成电路转换保证

[发明专利]带校准型归一化桥接电容转换电路-CN201810450924.X有效
发明人：杨平;岑远军;李大刚;李永凯;王波;廖志凯 -专利权人：成都华微电子科技股份有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H03M1/46 文献下载
摘要：带校准型归一化桥接电容转换电路，包括桥接电容和由数据位电容构成的低N位电容阵列、高M位电容阵列，所有数据位电容的电容值均为单位电容值的整数倍，其倍数与其数据位权重值相对应，所述低N位电容阵列仅由N个低位电容构成，每个低位电容对应一个数据位；所述桥接电容的电容值为1个单位电容值；桥接电容和数据位电容均由X个独立的单位电容组成，X为自然数，取值由该电容所在位置确定，每个单位电容的电容值为1个单位电容值；高M位电容阵列中，每个电容都与一个修调阵列配对连接，N‑X≤10。本发明保证整个电荷重分布电容阵列均为单位电容，同时在高X位均增加电容修调阵列，保证最终成品电路精度达到12位及以上精度要求。
校准归一化电容转换电路

[发明专利]半导体器件及分压电路-CN200410063391.8有效
发明人：斋藤博 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-07-08 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：一种半导体器件，具有由多个单位电容元件构成的电容元件组，其中，所述单位电容元件的电容值被设定，以便使所述电容元件组的目标电容值与构成该电容元件组的多个所述单位电容元件的合成电容值间的误差更小。此外，可形成多个电容元件组。
半导体器件压电

[发明专利]一种可调负载、逆变器残余电流的测量装置及逆变器-CN201911263916.5在审
发明人：鲁统洲;阮熙仑;王克勤;郭辉;张振明;孙海铭;于晓玲 -专利权人：工业和信息化部威海电子信息技术综合研究中心
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G01R1/20 文献下载
摘要：本发明提供一种可调负载、逆变器残余电流的测量装置及逆变器，其中该可调负载包括：至少一个电容单元，不同所述电容单元之间并联，所述电容单元包括至少一个单位电容，其中，不同单位电容之间并联，通过所述单位电容并联后的等效电容值表征所述电容单元的输出电容值；至少档位开关，分别与所述单位电容串联，且不同所述单位电容对应的所述档位开关串联，通过调整所述档位开关的开闭状态调整当前电容单元的输出电容值。本发明利用了电容并联技术，形成的功率负载电容阵列，该负载电容阵列不仅解决了类似电容电桥以开关调解电容时不可避免的瞬间断路问题，也充分利用了并联电容阵列中等效电容可由基础电容叠加的特点，极大降低了测量仪器的尺寸
一种可调负载逆变器残余电流测量装置

[实用新型]一种可调负载、逆变器残余电流的测量装置及逆变器-CN201922206850.8有效
发明人：鲁统洲;阮熙仑;王克勤;郭辉;张振明;孙海铭;于晓玲 -专利权人：工业和信息化部威海电子信息技术综合研究中心
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G01R1/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可调负载、逆变器残余电流的测量装置及逆变器，其中该可调负载包括：至少一个电容单元，不同所述电容单元之间并联，所述电容单元包括至少一个单位电容，其中，不同单位电容之间并联，通过所述单位电容并联后的等效电容值表征所述电容单元的输出电容值；至少挡位开关，分别与所述单位电容串联，且不同所述单位电容对应的所述挡位开关串联，通过调整所述挡位开关的开闭状态调整当前电容单元的输出电容值。本实用新型利用了电容并联技术，形成的功率负载电容阵列，该负载电容阵列不仅解决了类似电容电桥以开关调解电容时不可避免的瞬间断路问题，也充分利用了并联电容阵列中等效电容可由基础电容叠加的特点，极大降低了测量仪器的尺寸
一种可调负载逆变器残余电流测量装置

[发明专利]改善SOI MOSFET模型后端仿真精准性的方法-CN202211314500.3在审
发明人：张东阳 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明提供一种改善SOI MOSFET模型后端仿真精准性的方法，方法包括：获取有效沟道宽度及孔栅电容；根据孔栅电容及有效沟道宽度得到接触孔与第一多晶硅栅之间的单位宽度电容及其与第二多晶硅栅之间的第二电容；获取第一多晶硅栅的单位宽度边缘电容，并根据单位宽度边缘电容及单位宽度电容得到第一多晶硅栅与器件源漏区之间的单位宽度本征边缘电容；获取第二多晶硅栅的第二边缘电容，并根据第二边缘电容及第二电容得到第二多晶硅栅与器件源漏区之间的第二本征电容；根据单位宽度本征边缘电容、第二本征电容及有效沟道宽度得到器件的侧边电容。
改善 soi mosfet 模型后端仿真精准方法

[实用新型]一种全密封扁平状叠装电容单体-CN201520945955.4有效
发明人：欧阳一凤;罗庆齐 -专利权人：欧阳一凤
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01G11/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种全密封扁平状叠装电容单体，其设计要点在于：包括至少一个电容单位，电容单位由多孔碳电极板、涂抹于多孔碳电极板上的电解液及外包封绝缘片组成，在两个电容单位之间设置有绝缘胶层；两电容单位的正极端子位于电容单体一端，两正极端子正对连接；两电容单位的负极端子位于电容单体另一端，两负极端子错开设置。本实用新型提供了结构简单、体积小、电容量大、使用方便的一种全密封扁平状叠装电容单体。
一种密封扁平状叠装电容单体

[发明专利]逆变器结构-CN202211281196.7在审
发明人：佐藤隆之;林口匡司 -专利权人：马自达汽车株式会社;罗姆股份有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H02M7/42 文献下载
摘要：在具有平滑电容器(19)和多个功率模块(20)的逆变器中，平滑电容器(19)包括：分别在两端具有电极的多个柱状的单位电容器(45)；与各单位电容器(45)的一端的电极连接的一端侧汇流板(19c)；以及与另一端的电极连接的另一端侧汇流板(19d)，多个单位电容器(45)布置成多个单位电容器(45)的轴向相互平行且多个单位电容器(45)在与轴向垂直的方向上排列，单元电容器(45)布置在与中心之间的距离相等的位置上，与最接近的单位电容器(
逆变器结构

[发明专利]触摸屏装置的悬停位置计算-CN201480062806.1有效
发明人：迈克尔·帕特里克·希尔斯;帕特里克·普伦德加斯特;何维 -专利权人：谱瑞科技有限公司
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：公开了一种用于计算悬停在多个互电容传感器上方的导电物体的位置的方法。所述方法始于测量多个互电容传感器上的电容，每一互电容传感器被表示为单位器件阵列中的单位器件。在测量电容之后，所述方法基于测得电容来识别峰值单位器件，且从测得电容计算边缘临界值。在计算边缘临界值之后，选择具有边缘临界值所界定的范围内的测得电容的多个单位器件，且计算悬停导电物体的位置。
触摸屏装置悬停位置计算

[发明专利]一种双绞式共用中心电容阵列及其版图设计方法-CN201710791860.5有效
发明人：陈功 -专利权人：成都易源芯辰微电子科技有限公司
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H03M1/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种双绞式共用中心电容阵列及其版图设计方法,该电容阵列为n个单位电容组成的行列电容阵列，以单位电容阵列的共用中心为原点，原点处对应通道为水平通道0，单位电容以水平通道0为对称线呈双绞式对称布局，每若干个单位电容组成一个有效位电容，有效位电容包括上极板和下级板，上级板连接地端线网“G”线，下级板连接信号端线网“S”线，偶数位水平通道布线连接有效位电容的上极板；奇数位水平通道布线连接有效位电容的下极板
一种双绞式共用中心电容阵列及其版图设计方法

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