专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种涡轮导叶冷却空气量评估方法-CN202211198553.3在审
  • 董平;周旭;李涛;牛夕莹;林洪飞;韩蕊;于子杰;张宇轩 - 哈尔滨工程大学
  • 2022-09-29 - 2023-01-20 - G06F30/28
  • 从现有的半经公式中提取影响涡轮冷却空气量的参数;作为拟合函数的输入参数,涡轮叶片冷却所需空气量作为拟合公式的输出参数;根据选取的影响参数构造不同的工况进行三维数值计算,得到涡轮叶片冷却空气量数据库;利用涡轮叶片冷却空气量数据库以及确定的输入—输出参数和确定的拟合函数形式建立涡轮导叶冷却空气量半经评估公式;基于涡轮导叶冷却空气量半经评估公式,得到特定几何结构以及流动参数下涡轮导叶所需的冷却空气量,即涡轮导叶冷却空气量评估方法。解决现有半经公式对涡轮叶片冷却空气量进行预测时存在预测结果与实际误差较大,不能准确的预测涡轮叶片冷却所需空气量的问题。
  • 一种涡轮冷却气量评估方法
  • [发明专利]一种金属二次电子发射系数计算方法-CN202010124577.9有效
  • 胡笑钏;张瑞;谷文萍;张赞;徐小波 - 长安大学
  • 2020-02-27 - 2023-06-20 - G16C60/00
  • 本发明公开了一种金属二次电子发射系数计算方法,考虑入射电子在材料中散射并激发内二次电子,内二次电子向表面运动,并发生级联散射,表面处的内二次电子越过表面势垒形成二次电子发射,建立依次考虑上述过程涉及的物理机制的金属二次电子发射系数半经公式,对电子射程与内二次电子能量分布函数进行优化,并考虑了斜入射和背散射修正,获得金属的二次电子发射系数半经公式,结果表明,优化公式计算结果与实验测量结果的相对误差不超过20%,相对于以往公式相对误差至少降低了10%,验证了优化公式的可靠性和普适性,本发明相对于其他传统的实验测量方法和蒙特卡洛计算方法,能够大幅缩短计算时间,使用更加简洁、方便,并且结果精准。
  • 一种金属二次电子发射系数计算方法
  • [发明专利]一种薄膜沉积工艺仿真模型参数优化方法及装置-CN202211728408.1在审
  • 邵花;韦亚一 - 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
  • 2022-12-30 - 2023-06-23 - G06F30/20
  • 本申请提供一种薄膜沉积工艺仿真模型参数优化方法及装置,通过工艺仿真模型,基于将初始衬底轮廓信息、沉积工艺条件和初始半经系数进行仿真,得到仿真膜层的仿真轮廓信息,初始衬底轮廓为初始结构的表面轮廓信息,根据仿真轮廓信息和实际轮廓信息可以确定仿真预测误差,实际轮廓信息为针对初始结构经过该沉积工艺条件进行沉积之后得到的实际膜层的轮廓信息,以降低仿真预测误差为目的,调整初始半经参数,在仿真预测误差达到预设误差值时,初始半经参数被调整为优化半经参数,提高了参数确定的效率利用工艺仿真模型,基于优化半经参数、初始衬底轮廓信息和沉积工艺条件进行沉积工艺仿真,准确模拟实际沉积工艺,利于辅助工艺开发。
  • 一种薄膜沉积工艺仿真模型参数优化方法装置

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