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[发明专利]半导体封装-CN202210849832.5在审
发明人：陈华日;高知韩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体封装，包括下半导体芯片和在垂直于下半导体芯片的顶表面的第一方向上在下半导体芯片上堆叠的半导体芯片。连接凸块位于下半导体芯片与最下面的半导体芯片之间以及半导体芯片之间。保护层覆盖每个连接凸块的侧表面。模制层位于下半导体芯片上并且覆盖半导体芯片的侧表面。模制层在最下面的半导体芯片与下半导体芯片之间以及在半导体芯片之间延伸。保护层位于模制层与每个连接凸块的侧表面之间。
半导体封装

[发明专利]半导体封装器件及其制造方法-CN202280004800.3在审
发明人：许二岗;曹凯;张雷 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体器件包括第一半导体芯片、第二半导体芯片和密封剂。第一半导体芯片包括第一晶体管。第二半导体芯片设置在第一半导体芯片上方并包括第二晶体管。密封剂封装第一半导体芯片。第一半导体芯片完全嵌入密封剂中，第一半导体芯片的有源表面和背表面被密封剂所覆盖。第二半导体芯片具有有源表面和背表面。第二半导体芯片的有源表面未被密封剂所覆盖。第二半导体芯片的背表面未被密封剂所覆盖且朝向所述第一半导体芯片的有源表面。
半导体封装器件及其制造方法

[发明专利]半导体芯片、封装体以及制造半导体芯片和封装体的方法-CN201210395117.5在审
发明人：黄仁哲;金载勉;金承知;李赈洙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-08-08 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了半导体芯片、封装体以及制造半导体芯片和封装体的方法。半导体芯片包括第一半导体芯片和接合到第一半导体芯片的第二半导体芯片。第一半导体芯片包括具有第一底表面的第一基板。第二半导体芯片包括具有第二底表面的第二基板。第一底表面直接接触第二底表面。
半导体芯片封装以及制造方法

[发明专利]半导体封装件-CN202010405998.9在审
发明人：崔允硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：公开了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一半导体芯片；位于第一半导体芯片的第一表面上的第二半导体芯片；以及位于第一半导体芯片的第一表面上并且与第二半导体芯片的至少一侧相邻的多个导电柱。第一半导体芯片包括与第一半导体芯片的第一表面相邻的第一电路层。第二半导体芯片和多个导电柱连接到第一半导体芯片的第一表面。
半导体封装

[发明专利]半导体器件-CN200610159539.7有效
发明人：佐藤惠亮 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-09-27 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种半导体器件(1)，包括：衬底(10)；半导体芯片(20)，即第一半导体芯片；半导体芯片(30)，即第二半导体芯片；和热沉(40)。半导体芯片(20)和(30)被贴装在衬底(10)上。衬底(10)上的半导体芯片(20)的上表面的水平面低于半导体芯片(30)的上表面的水平面。热沉(40)被固定于半导体芯片(20)。在半导体芯片(20)和半导体芯片(30)当中，只在半导体芯片(20)之上提供热沉(40)。
半导体器件

[发明专利]半导体芯片及其制造方法-CN201410674233.X在审
发明人： K·J·古德诺;R·S·格拉夫;C·R·奥格尔维;S·T·文特朗;C·S·伍德鲁夫 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体芯片及其制造方法。导热层沉积在半导体芯片的晶片的第一表面上。刻蚀导热层以形成在每个半导体芯片的第一表面上暴露贯通电极的过孔。导电凸块沉积在每个半导体芯片的第二表面上的贯通电极上。堆叠半导体芯片，其中半导体芯片中的第二半导体芯片的导电凸块通过半导体芯片中的第一半导体芯片的过孔电接触第一半导体芯片的贯通电极，以及半导体芯片中的第三半导体芯片的导电凸块通过第二半导体芯片的过孔电接触第二半导体芯片的贯通电极
半导体芯片及其制造方法

[实用新型]半导体封装件-CN201120351130.1有效
发明人：陈庠稀;陈思翰;谢兴友 -专利权人：深圳中星华电子有限公司
申请日： 2011-09-19 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：一种半导体封装件，包括导线架、半导体芯片及封装胶。导线架具有由导热金属构成的芯片座，芯片座具有上表面与下表面；半导体芯片固定于芯片座的上表面，与导线架电性连接；封装胶用于包封所述导线架及半导体芯片，并将所述芯片座的下表面外露。上述半导体封装件具有由导热金属构成的芯片座，封装胶将导线架和固定在芯片座的上表面的半导体芯片包封，并将芯片座的下表面外露，半导体芯片驱动时，通过芯片座就可以将热量散发到半导体封装件的外面，因此，上述半导体封装件具有较低的封装成本
半导体封装

[发明专利]半导体封装-CN202010600567.8在审
发明人：姜东训 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了一种半导体封装件包括：第一半导体芯片，具有彼此相对的第一表面和第二表面；第二半导体芯片，在第一半导体芯片的第二表面上并电连接到第一半导体芯片；以及模制图案，与第一半导体芯片的侧表面和第二半导体芯片的侧表面接界第一半导体芯片的第一表面的至少一部分没有模制图案。玻璃图案在第一半导体芯片的第一表面上。
半导体封装

[发明专利]热增强的薄半导体封装件-CN200880105612.X有效
发明人： R·P·马德瑞德 -专利权人：费查尔德半导体有限公司
申请日： 2008-08-05 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：披露一种半导体芯片封装件。该半导体芯片封装件包括半导体芯片，该半导体芯片具有位于第一半导体芯片顶表面的输入以及位于第二半导体芯片底表面的输出。具有第一引线框表面以及与第一引线框表面相对的第二引线框表面的引线框位于半导体芯片封装件中并联接于第一半导体芯片顶表面。具有第一夹头表面和第二夹头表面的夹头联接于第二半导体芯片底表面。具有外模制材料表面的模制材料覆盖引线框、夹头和半导体芯片的至少一部分。第一引线框表面和第一夹头表面由模制材料露出，而第一引线框表面、第一夹头表面和模制材料的外模制材料表面形成半导体芯片封装件的外表面。
增强半导体封装

[发明专利]半导体封装件-CN201610392256.0有效
发明人：李亨周;金珉秀;李泽勋;池永根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括包括第一半导体芯片、第二半导体芯片和一体化的粘附结构，第一半导体芯片堆叠在封装基底上，其中，第一半导体芯片包括面对封装基底的第一表面和与第一表面相对的第二表面，第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片上，其中，第二半导体芯片包括面对第一半导体芯片的第三表面和与第三表面相对的第四表面，一体化的粘附结构基本上连续地填充封装基底和第一半导体芯片之间的第一空间以及第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的第二空间一体化的粘附结构包括从第一半导体芯片和第二半导体芯片的外侧壁突出的延伸部。延伸部具有在第一表面的水平和第四表面的水平之间的一个连续凸侧壁。
半导体封装

[发明专利]半导体装置-CN201280031587.1有效
发明人：永井纪行;土肥茂史 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：半导体装置具备第1半导体芯片(1)；上表面与第1半导体芯片(1)的上表面相向配置，比第1半导体芯片(1)的尺寸小的第2半导体芯片(2)；从第2半导体芯片(2)的侧面朝向外侧而形成的扩展部(9)；和上表面与第1半导体芯片(1)的上表面相向配置，并且上表面与第2半导体芯片(2)的下表面相向配置的布线基板(3)。半导体装置还具备第1布线(10)，该第1布线(10)形成于第2半导体芯片(2)的下表面以及扩展部(9)的下表面上，与布线基板(3)连接。
半导体装置

[发明专利]一种半导体芯片的焊接方法-CN201310245796.2有效
发明人：孙良 -专利权人：常州银河世纪微电子有限公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片的焊接方法，具有以下具体步骤取出半导体芯片，在半导体芯片的正面和背面涂覆上焊膏；将双面涂覆焊膏的半导体芯片放入高温焊接炉，使半导体芯片表面形成焊接层；使用划片机将半导体芯片的正面和背面刻划光刻凹槽形成所需的图形；将正面和背面涂覆有焊膏的半导体芯片与铜极相接触，经高温焊接工艺形成半导体分立器件。采用本发明的工艺后，半导体芯片的正面和背面涂覆上焊膏，代替以往半导体芯片的表面镀金属，使半导体芯片的表面不易氧化，确保其表面的致密性。
一种半导体芯片焊接方法

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN201510573810.0有效
发明人：许埈荣;赵汊济;赵泰济 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本公开提供了半导体封装及其制造方法。实施例包括一种半导体封装，该半导体封装包括：基板；第一半导体芯片，安装在基板上；第二半导体芯片，安装在第一半导体芯片的顶表面上；连接凸块，设置在第一和第二半导体芯片之间以将第二半导体芯片电连接到第一半导体芯片；以及第一散热部件，在第一和第二半导体芯片之间设置在第一半导体芯片的顶表面上且与第二半导体芯片的底表面分隔开。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装件-CN202210843635.2在审
发明人：吴东俊;姜芸炳;金炳赞;朴点龙;宋乺智;李忠善;黄贤洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：一种半导体封装件，包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括具有彼此相对的第一有源表面和第一无源表面的第一半导体衬底以及位于所述第一有源表面上的多个第一芯片焊盘；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括具有彼此相对的第二有源表面和第二无源表面的第二半导体衬底以及位于所述第二有源表面上的多个第二芯片焊盘，所述第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上使得所述第二有源表面面对所述第一无源表面；接合绝缘材料层，所述接合绝缘材料层介于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间；以及多个接合焊盘，所述多个接合焊盘被所述接合绝缘材料层围绕，并且将所述第一半导体芯片电连接到所述第二半导体芯片。
半导体封装

[发明专利]堆叠半导体封装及其制造方法-CN200810174768.5无效
发明人：韩权焕 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-10-30 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种堆叠半导体封装及其制造方法。该堆叠半导体封装包括半导体芯片模组，该半导体芯片模组包括至少两个半导体芯片，每个半导体芯片具有第一表面、与该第一表面相反的第二表面、以及电路部分。贯穿部分穿过半导体芯片的第一和第二表面。凹陷部形成于部分第二表面中在第二表面与贯穿部分相遇处。贯穿电极电连接到电路部分且设置在贯穿部分内。连接部件设置于凹陷部内以电连接相邻堆叠半导体芯片的贯穿电极。该半导体芯片模组安装到基板。该堆叠半导体封装防止半导体芯片之间的间隙以及贯穿电极的未对准。
堆叠半导体封装及其制造方法

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