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[发明专利]半导体晶片-CN201910061284.8有效
发明人： R·绍尔;C·哈格尔 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：一种用于在半导体晶片的前侧上的层的沉积期间保持具有定向缺口的半导体晶片的基座；所述基座包括：放置表面，用于放置半导体晶片的后侧的边缘区域；放置表面的台阶形外定界；和放置表面的外定界的凹口，以便将半导体晶片的后侧的边缘区域的所述定向缺口位于其中的局部区域放置在所述放置表面的由其外定界的凹口限定的局部区域上一种用于在具有定向缺口的半导体晶片上沉积层的方法和由单晶硅制成的半导体晶片，其中基座被在方法中被使用。
半导体晶片

[发明专利]半导体晶片-CN03800842.4无效
发明人：宫下昭;讃岐幸悦;佐藤正和 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2003-06-10 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是一种半导体晶片，其特征为：该半导体晶片的外周部形状是在晶片表面弯曲成凸起(翘起)，并且在晶片背面弯曲成悬垂(下垂)。由此，提供在器件制造工程中，即使光刻工程的曝光装置的晶片夹具形状具有偏差，也能够以高良品率在晶片上形成器件图形，并且于进行CMP时能以均匀的研磨量来研磨晶片的半导体晶片。
半导体晶片

[发明专利]半导体晶片-CN200910003674.6无效
发明人：吉田雅昭;神埜聪 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2006-11-22 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L27/118 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶片，该半导体晶片具有将该半导体晶片划分为多个半导体芯片的矩阵的划片线。该半导体晶片包括多晶硅层、形成于该多晶硅层上的多晶硅金属层间绝缘膜、以及形成于该多晶硅金属层间绝缘膜上的第一金属布线层。该半导体晶片包括形成于该划片线的切片区域上的工艺监测电极焊盘。
半导体晶片

[实用新型]半导体晶片-CN202020619631.2有效
发明人：孙倩;陈伟钿;张永杰;周永昌;李浩南 -专利权人：创能动力科技有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开半导体晶片。根据一实施例的半导体晶片包括：划道区，设置有多个沟槽；多个器件单元，相邻的器件单元被划道区隔开；以及支撑结构，包括本体和多个腿部，多个腿部中的每个腿部与多个沟槽中的相应沟槽相匹配，使得每个腿部的一部分能被限定在相应沟槽中根据本实用新型的半导体晶片可消除或改善晶片的翘曲、提高良率、降低制造成本。
半导体晶片

[发明专利]半导体晶片-CN201780021775.9有效
发明人：小幡俊之 -专利权人：斯坦雷电气株式会社
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：【课题】本发明的目的在于，在以蓝宝石基板作为基底基板的情况下，利用不降低位错密度的方法提供输出较高的半导体晶片、最终从该半导体晶片可以得到的半导体芯片。【解决方法】本发明涉及一种半导体晶片，在蓝宝石基板的一个面上具有包括n型层、活性层及p型层的元件层，其特征在于，该元件层的表面翘曲成凸状，其曲率为530km‑1
半导体晶片

[发明专利]半导体晶片-CN200510115701.0有效
发明人：傅宗民;林晃生;韩郁琪;陈宪伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-11-08 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶片，其具有形成于一基底的一集成电路区，并包含置于上述基底且邻近上述集成电路区的至少一晶片角落非电路区、与形成于上述晶片角落非电路区内的至少一查检记号。本发明所述半导体晶片，可以使电路布局所需的有效晶片面积最大化。
半导体晶片

[实用新型]半导体晶片-CN201822029819.7有效
发明人：陈辰;宋杰;崔周源 -专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体晶片，其包括：含有半极性面的PSS衬底；第一GaN半导体层，外延生长在PSS衬底的半极性面上，并具有第一厚度第二GaN半导体层，外延生长在第一GaN半导体层表面上，具有第二厚度，其中所述第二GaN半导体层与第一GaN半导体层之间有阻断第一GaN半导体层内的穿透位错的氮化硅岛体。
半导体晶片外延生长半极性衬底穿透位错氮化硅岛

[发明专利]半导体晶片-CN202210600263.0在审
发明人：克里斯·哈迪曼;荣-槿·李;法比亚·拉杜勒斯库;丹尼尔·纳米希亚;斯科特·托马斯·谢泼德 -专利权人：沃孚半导体公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体晶片，包括基底，所述基底包括由基底终止边缘限定的边界；有源区域，所述有源区域通过势垒区域与所述基底终止边缘隔离；以及在所述势垒区域上的电荷重新分配路径，其中，所述电荷重新分配路径耦接到电位。本申请的半导体晶片具有改进的强度。
半导体晶片

[发明专利]半导体晶片-CN200510081382.6无效
发明人：林宗辉;刘洪民;饶瑞孟;张文通;陈国明;何凯光 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-06-28 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明披露一种半导体晶片，其特征是，包括多个集成电路芯片区域，每一集成电路芯片区域周围是切割线围绕，经由切割线以及晶片机械切割步骤，可以将多个集成电路芯片区域分开，其中每一集成电路芯片具有四个转角；保护层
半导体晶片

[发明专利]半导体封装与其制造方法-CN201611225737.9有效
发明人：林柏均 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体封装与其制造方法，半导体封装包含封装基板、第一半导体晶片、第二半导体晶片与上中介层。第一半导体晶片与第二半导体晶片置于封装基板上。上中介层电性连接至第一半导体晶片与第二半导体晶片。第一半导体晶片与第二半导体晶片置于封装基板与上中介层之间。因上中介层连接半导体晶片，使得一个半导体晶片可通过上中介层而电性连接至另一个半导体晶片。亦即，上中介层在半导体晶片之间提供晶片至晶片的连接。
半导体封装与其制造方法

[发明专利]将半导体晶片弓形弯曲-CN201780087700.0有效
发明人：伊曼纽尔·楚阿·阿巴斯 -专利权人：迈可晟太阳能有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本说明书描述了用于处理半导体晶片的方法、用于将半导体晶片装载至晶片载体中的方法，以及半导体晶片载体。通过有意将晶片(例如，大而薄的晶片)弓形弯曲到不破坏晶片的程度，这些方法和晶片载体可用于增加晶片的刚度。在一些示例中，一种用于处理半导体晶片的方法包括：将每个半导体晶片装载至半导体晶片载体的相应的半导体晶片槽中；将每个半导体晶片水平地弓形弯曲；以及在将半导体晶片装载至半导体晶片载体中并水平地弓形弯曲的同时，将半导体晶片载体移动至处理站中并在处理站处理半导体晶片。
半导体晶片弓形弯曲

[发明专利]半导体晶片的保护方法及半导体晶片保护用粘着膜-CN200510002444.X有效
发明人：小清水孝信;片冈真;宫川诚史;福本英树;才本芳久 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2005-01-20 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体晶片加工工序中的半导体晶片保护方法及用于该保护方法的半导体晶片保护用粘着膜。该保护方法具备把在基材膜的一面形成了粘着剂层的半导体晶片保护用粘着膜粘贴到半导体晶片的电路形成面的第一工序、对粘贴了该半导体晶片保护用粘着膜的半导体晶片进行加热的第二工序、把粘贴了该半导体晶片保护用粘着膜的半导体晶片固定在磨削机或研磨机上来加工半导体晶片电路非形成面的第三工序、以及从半导体晶片剥离半导体晶片保护用粘着膜的第四工序。通过该半导体晶片保护方法，即使对半导体晶片进行薄层化至厚度小于等于150μm左右，也能够矫正半导体晶片的翘曲，防止晶片输送时的破损。
半导体晶片保护方法粘着

[发明专利]检测晶片的装置及方法以及非暂时性计算机可读媒体-CN202110083892.6在审
发明人：林镇民;陈弦泽 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： B07C5/02 文献下载
摘要：一种装置可检测要从源晶片载体转移到目标晶片载体的半导体晶片，且可使光源照亮半导体晶片。所述装置可在光源照亮半导体晶片之后使照相机捕获半导体晶片的图像，且可对半导体晶片的图像实行图像识别以判断半导体晶片的边缘是否被损坏。当确定半导体晶片的边缘被损坏时，所述装置可使半导体晶片被提供给源晶片载体，且当确定半导体晶片的边缘未被损坏时，所述装置可使半导体晶片被提供给目标晶片载体。
检测晶片装置方法以及暂时性计算机可读媒体

[发明专利]层叠型半导体晶片-CN202210508351.8在审
发明人：山田康利;上村浩二;安达隆郎 -专利权人：超极存储器股份有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：本发明提供一种层叠型半导体晶片，其由多个半导体晶片、备用半导体晶片、控制晶片堆叠而成，多个半导体晶片包含半导体芯片，备用半导体晶片包括用于作为半导体芯片的备品来使用的备用半导体芯片，控制晶片包括控制芯片，控制芯片包括存储部，基于存储部存储的信息，对多个半导体芯片的工作状态和备用半导体芯片的工作状态进行控制，包含半导体芯片的多个半导体晶片和包含备用半导体芯片的备用半导体晶片中的存在缺陷的半导体芯片所相关的信息被存储在如下位置的控制芯片的存储部，该控制芯片位于控制晶片中的与存在缺陷的半导体芯片重叠的位置。由此能够提高半导体芯片的成品率。
层叠半导体晶片

[发明专利]包括层叠的半导体晶片的层叠封装-CN201811579339.6有效
发明人：都恩惠 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：包括层叠的半导体晶片的层叠封装。一种层叠封装包括：第一半导体晶片；第二半导体晶片，该第二半导体晶片被层叠在所述第一半导体晶片上；以及第三半导体晶片，该第三半导体晶片被设置在所述提升支撑件上。所述第三半导体晶片与所述第二半导体晶片在竖直方向部分地交叠。
包括层叠半导体晶片封装

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