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[发明专利]有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜、有机半导体膜形成用分散液、有机半导体薄膜的制造方法及有机薄膜晶体管-CN201180041963.0有效
发明人：市川结;全现九;小熊尚实;平田直毅;河野寿夫 -专利权人：国立大学法人信州大学;大日精化工业株式会社
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明为有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜及有机晶体管，有机半导体微粒材料的特征在于，所述有机半导体微粒材料是能够作为有机半导体材料使用的微粒状的材料，该微粒是在被加热至50℃～350℃的温度时向液晶状态发生相变的热致液晶根据上述本发明，能够提供有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜及有机晶体管，所述有机半导体微粒材料容易大面积且均一地制作通过印刷制膜法形成的有机半导体薄膜，具有高的电子迁移率及高的开/关值，并且能够通过使用了微粒的分散液涂布法来形成有机半导体薄膜
有机半导体微粒材料薄膜形成分散制造方法有机薄膜晶体管

[发明专利]有机和无机光活性装置-CN200380108688.5无效
发明人：约翰·丹尼尔斯 -专利权人：约翰·丹尼尔斯
申请日： 2003-11-17 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： H01J1/62 文献下载
摘要：一种光活性装置，包括分散在载流子材料(12)内的半导体微粒(10)。提供第一接点层(14)，以便施加场时，使有某一极性的电荷载流子通过载流子材料，注入半导体微粒中。提供第二接点层(14)，以便向该第二接点层施加电场时，使有相反极性的电荷载流子通过载流子材料，注入半导体微粒中。半导体微粒至少包括有机和无机半导体之一。半导体微粒(10)可以包括有机光活性微粒。
有机无机活性装置

[发明专利]具有双功能的突波吸收材料-CN200710123039.2有效
发明人：朱颉安;章丽云;谭玉雯 -专利权人：宏起奈米科技股份有限公司
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01C7/10 文献下载
摘要：一种突波吸收材料，以一级、二级和三级分散方法将微米、亚微米及纳米级的导体或半导体微粒分散在以玻璃组成的连续相中，其微观结构包括微米级的导体或半导体微粒分散在玻璃组成的连续相中，两微米级导体或半导体微粒间的连续相有亚微米级的导体或半导体微粒分散于其中，且两亚微米级的导体或半导体微粒间的连续相有纳米级的导体或半导体微粒分散于其间；这种突波吸收材料具有双功能，除具有突波吸收特性外，同时具有电容、电感、压电或热敏的其中一种特性。
具有功能吸收材料

[发明专利]半导体薄膜的形成方法以及电子设备的制造方法-CN200910176186.5无效
发明人：平田晋太郎;保原大介 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了半导体薄膜的形成方法以及电子设备的制造方法，其中，形成半导体薄膜的方法包括以下步骤：(a)在基板上涂敷无机半导体微粒分散溶液并对涂层进行干燥以形成半导体微粒层，以及(b)将半导体微粒层浸入溶液中以形成半导体薄膜通过本发明，可以使用无机半导体微粒作为起始材料通过简单方便的湿处理来以低成本地形成具有期望特性的半导体薄膜，从而提供具有期望特性的电子设备。
半导体薄膜形成方法以及电子设备制造

[发明专利]电子照相感光体-CN201510107857.8有效
发明人：小玉大典;藤田俊行;早田裕文 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2015-03-12 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： G03G5/04 文献下载
摘要：电子照相感光体是在导电性支撑体上形成感光层，在该感光层上形成表面层而成的，其特征在于，上述表面层含有通过将交联性的聚合性化合物进行聚合反应而得到的树脂、N型半导体微粒、以及P型半导体微粒。上述表面层中，相对于上述N型半导体微粒的上述P型半导体微粒的比例以质量比计(P型半导体微粒的质量份数/N型半导体微粒的质量份数)优选为0.1～0.8。
电子照相感光

[发明专利]使用微粒多束显微镜电压对比成像的方法，电压对比成像的微粒多束显微镜以及使用微粒多束显微镜电压对比成像的半导体结构-CN202080081375.9在审
发明人： D.蔡德勒;G.F.德尔曼;S.舒伯特 -专利权人：卡尔蔡司MULTISEM有限责任公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01J37/26 文献下载
摘要：本发明包含一方法、一微粒多束显微镜和一半导体结构，以通过微粒多束显微镜的多个微粒束对半导体样品进行充电，并进行高分辨率的电压对比成像，无需切换微粒多束显微镜或移动半导体样品。在这种情况下，由各自具有低的微粒电流的所选微粒束的总和所形成的相加总电流在半导体结构中产生电荷并因此产生电压差。
使用微粒显微镜电压对比成像方法以及半导体结构

[发明专利]微晶半导体膜的制造方法及半导体装置的制造方法-CN201110228409.5有效
发明人：小松立;神保安弘;宫入秀和 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的一个方式是如下：在第一条件下在绝缘膜上形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种，然后在第二条件下使混合相微粒生长而以填埋混合相微粒的空隙的方式在晶种上形成第一微晶半导体膜，并且，在不扩大第一微晶半导体膜所包含的混合相微粒之间的空隙且形成高结晶性的微晶半导体膜的第三条件下在第一微晶半导体膜上层叠形成第二微晶半导体膜
半导体制造方法装置

[发明专利]用于对半导体废气进行处理的净气器-CN200610103589.3有效
发明人：李瑢灿;金滢克;李相根 -专利权人：清洁系统韩国股份有限公司
申请日： 2006-07-25 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： B01D53/72 文献下载
摘要：本发明公开一种用于对半导体制造工艺中产生的半导体废气进行处理的净气器，该净气器以高温火焰燃烧废气、过滤及收集废气燃烧后所产生的微粒、将滤掉了微粒的废气排出到大气中。该半导体废气处理净气器包括：供应部分，用于供应半导体废气、燃料和氧气；燃烧器，连接于供应部分而通过火焰来燃烧半导体废气；燃烧室，结合于燃烧器而使半导体废气燃烧时所产生的微粒掉落；湿塔，安装在燃烧室的侧部而使从燃烧室传送的微粒在用水吸附后掉落；以及储水罐，连接于燃烧室和湿塔，从而收集从燃烧室和湿塔掉落的微粒。本发明增加了废气燃烧效率、使得微粒不会沉积在燃烧室的内壁上且使得易于对燃烧室进行维护和修复。
用于对半导体废气进行处理净气器

[发明专利]微晶半导体膜的制造方法及半导体装置的制造方法-CN201110126400.3有效
发明人：手塚祐朗;神保安弘;佐佐木俊成;宫入秀和 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种高生产率地制造电特性优良的半导体装置的方法。在微粒密度低地提供高晶性的混合相微粒的第一条件下，在氧化绝缘膜上形成第一微晶半导体膜。然后，在使混合相微粒进行结晶生长来填充混合相微粒之间的空隙的第二条件下，在所述第一微晶半导体膜上层叠第二微晶半导体膜。
半导体制造方法装置

[发明专利]研磨微粒及其制造方法-CN201810244970.4在审
发明人：杨鹏;张磊;周文斌;侯婧文 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种研磨微粒，该研磨微粒包括弹性芯体和包裹所述芯体的磨料层。该研磨微粒可以被用于制作在平坦化工艺中使用的研磨剂。本发明提供的研磨微粒，由于具有弹性芯体，因而在研磨芯片等半导体材料时，能够发生弹性形变，因而可以降低由于压力过大而划伤半导体材料表面的风险。此外，由于降低划伤半导体材料的风险功能主要由弹性芯体实现，所以本发明提供的研磨微粒在被用于研磨半导体材料时，还能够降低活性剂的消耗。
研磨半导体材料弹性芯体划伤半导体材料表面弹性形变活性剂磨料层平坦化研磨剂芯体消耗芯片制作制造

[发明专利]一种低电容层积型芯片变阻器及其所使用的过电压保护层-CN201210353420.9有效
发明人：连清宏;许鸿宗 -专利权人：立昌先进科技股份有限公司
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01C7/105 文献下载
摘要：一种低电容层积型芯片变阻器，其包括具有特殊微观结构的过电压保护材料，该过电压保护材料包含10～30wt%多孔陶瓷基材、65～80wt%微米级导体和半导体微粒和5～10wt%纳米级导体和半导体微粒；尤其，该多孔陶瓷基材的内部布满微细开孔，且所述微米级导体和半导体微粒以一级分散均匀散布于该多孔陶瓷基材的内部，而所述纳米级导体和半导体微粒以二级分散散布于所述微细开孔之间以及一级分散的微米级导体和半导体微粒之间
一种电容层积芯片变阻器及其使用过电压保护层

[发明专利]单片半导体陶瓷电子元件-CN99124805.8有效
发明人：川本光俊 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 1999-11-11 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01C7/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种单片半导体陶瓷电子元件，它包含交替设置的钛酸钡基半导体陶瓷层和内部电极、电气连接到内部电极层的外部电极。半导体陶瓷层包含陶瓷微粒，其平均微粒尺寸大约1μm或更小，每一层陶瓷微粒沿垂直于半导体层方向上的平均数量为大约10或更大。内部电极层最好由镍基金属制成。
单片半导体陶瓷电子元件

[发明专利]涂布剂、涂料和涂布剂的制造方法-CN02816683.3无效
发明人：永江良行 -专利权人：永江良行
申请日： 2002-07-09 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： B01J35/02 文献下载
摘要：将一种光半导体粉末分散于水中，并向该分散液中添加一种胶体例如一种氟聚合物乳状液。该胶体微粒的粒径至少一倍于该光半导体微粒的粒径，且该光半导体微粒占整个涂料的0.1～10wt％。该光半导体微粒调整得能在该胶体微粒的表面上吸附1～5层。该涂料可以进一步含有一种多孔性材料的溶胶。可以使用一种通过使光半导体粉末用一种吸附剂物质包衣得到的材料代替光半导体粉末。
涂布剂涂料制造方法

[发明专利]半导体层的表面处理方法及半导体装置的制造方法-CN200810108776.X有效
发明人：唐唯耀;吴家伟 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-05-29 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种半导体层的表面处理方法及半导体装置的制造方法。此表面处理方法首先提供半导体层，此半导体层的表面具有多个微粒。接着，利用清洁方法移除这些微粒。于此清洗方法中，依序使半导体层接触有机物移除剂、第一过氧化物混合液以及第二过氧化物混合液。
半导体表面处理方法装置制造

[发明专利]减少侧墙隔离工艺中的微粒缺陷的方法-CN200910194953.5无效
发明人：黄辉;郭海波 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-01 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少侧墙隔离工艺中的微粒缺陷的方法，该方法包括：利用酸槽去除半导体晶圆的栅极周围的聚合物保护膜；利用氢氟酸溶液清洗所述半导体晶圆的背面；和在背面清洗后的半导体晶圆上形成侧墙间隔层。利用本发明的方法可以去除在前道酸槽中形成的聚合物碎片，避免在后道侧墙工艺中形成微粒缺陷，减小了由于微粒缺陷而对源、漏区的形成造成的影响，同时也避免了由于这种微粒而造成的对后续接触刻蚀的影响以及微粒对半导体器件电学性能的影响
减少隔离工艺中的微粒缺陷方法

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