专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体工艺件处理装置-CN200510028563.2有效
  • 陈爱华;户高良二 - 中微半导体设备(上海)有限公司
  • 2005-08-05 - 2007-02-07 - H01L21/00
  • 一种半导体工艺件处理装置,包括至少一个半导体工艺件处理腔室,处理腔室内设置有多个半导体工艺件处理平台,每一个半导体工艺件处理平台处理一片半导体工艺件,每一个半导体工艺件处理平台可以分别旋转,半导体工艺件处理装置还设有密封机构以在半导体工艺件处理平台运动时保持半导体工艺件处理腔室内部密封本发明的半导体工艺件处理装置在对多个半导体工艺件处理时,能具有独立的半导体工艺件处理环境,以保证每片半导体工艺件处理的均一性,并且能够灵活地对半导体工艺件进行处理。
  • 半导体工艺处理装置
  • [发明专利]多晶硅栅极关键尺寸的先进控制方法-CN201610510996.X在审
  • 聂钰节;唐在峰;吴智勇;任昱;吕煜坤 - 上海华力微电子有限公司
  • 2016-06-30 - 2016-10-12 - H01L23/544
  • 本发明提供了一种多晶硅栅极关键尺寸的先进控制方法,用于在多晶硅栅极薄膜结构进行工艺时对半导体设备进行工艺控制,包括:提供测试半导体图形控片,所述测试半导体图形控片用于模拟测试半导体设备的工艺参数;在所述半导体设备中对所述测试半导体图形控片进行测试半导体工艺;基于所述测试半导体工艺获得所述半导体设备的当前工艺参数;将所述当前工艺参数更新至先进工艺过程控制系统;所述先进工艺过程控制系统基于所述当前工艺参数控制所述半导体设备对多晶硅栅极薄膜结构进行工艺。本发明能够在半导体设备的工艺参数发生漂移的情况下,控制半导体工艺的稳定性,解决了不同批次间以及设备腔体维护保养前后的半导体工艺的稳定性问题。
  • 多晶栅极关键尺寸先进控制方法
  • [发明专利]半导体加工工艺传感器及表征半导体加工工艺的方法-CN201410379803.2有效
  • J.H.李 - 天工方案公司
  • 2009-09-22 - 2017-08-08 - H03F1/30
  • 半导体加工工艺传感器以及表征用来形成半导体加工工艺传感器的半导体加工工艺的方法。所述半导体加工工艺传感器包括恒定参考电压源,配置为产生恒定参考电压信号;加工工艺传感器元件,其耦接到所述恒定参考电压源,并被配置为接收所述恒定参考电压信号,感测表示用来形成所述半导体加工工艺传感器的半导体加工工艺的加工工艺参数,并基于该感测的加工工艺参数产生表征用来将半导体加工工艺传感器形成为额定、高于额定或低于额定中的一种的半导体加工工艺的加工工艺测量信号。
  • 半导体加工工艺传感器表征方法
  • [发明专利]工艺颗粒监测处理的方法及半导体工艺设备-CN202210860054.X在审
  • 史晶 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2022-07-21 - 2022-11-15 - G01N15/06
  • 本申请公开了一种工艺颗粒监测处理的方法及半导体工艺设备,属于半导体工艺技术。该方法在半导体工艺腔室闲置时,对半导体工艺腔室进行气体吹扫,且实时监测半导体工艺腔室中的异常气体浓度,得到相应的第一浓度值,异常气体浓度与潜在工艺颗粒源的浓度正相关;若第一浓度值大于所述第一阈值,则在气体吹扫的基础上,将预设气体通入半导体工艺腔室中,使得预设气体与半导体工艺腔室中的潜在工艺颗粒源发生化学反应,生成相应的反应物颗粒,且反应物颗粒在气体吹扫下进入与半导体工艺腔室连通的尾排处理器。本技术方案,可在半导体工艺处理过程中,有效清除半导体工艺腔室中的工艺颗粒,避免出现工艺颗粒超标影响产品良率的问题。
  • 工艺颗粒监测处理方法半导体工艺设备
  • [发明专利]一种半导体加工方法及其系统-CN202210144623.0有效
  • 章泽润;方敏 - 无锡芯坤电子科技有限公司
  • 2022-02-17 - 2023-06-16 - H01L21/67
  • 本发明公开了一种半导体加工方法及其系统,应用在半导体加工技术领域,其技术方案要点是:具体方法包括以下步骤:将需要加工成型的半导体进行分类设置;根据不同分类设置半导体分配相对应的半导体加工型腔加工制作半导体;根据需要加工制作的半导体对相对应的半导体加工型腔配置第一工艺配置方式和第二工艺配置方式;通过第一工艺配置方式对半导体进行切割加工成型的制作,得到初步加工成型半导体;通过第二工艺配置方式对初步加工成型半导体进行定位裁切成型,得到加工半导体成品;具有的技术效果是:通过采用第一工艺配置方式与第二工艺配置方式相互结合的方法实现对半导体的加工制作,提高了工作效率。
  • 一种半导体加工方法及其系统
  • [发明专利]半导体器件的制造方法-CN01124761.4有效
  • 池谷浩司 - 三洋电机株式会社
  • 2001-08-03 - 2002-02-27 - H01L21/50
  • 一种半导体器件的制造方法。以往的半导体器件的电特性的测定、判断工艺和判断为优良品的半导体器件的捆扎工艺在单独的工艺中进行处理。因此,具有作为捆扎工艺的前工艺,半导体器件需要分开为优良品等级差的工艺,需要多余的时间和工艺这样的缺点。本发明在半导体器件40的特性测定、判断工艺时,把该半导体器件40的数据存储在测试器的存储器中。而且,如图10(B)所示,一个一个地记录所有的半导体器件40的数据,因此,具有在捆扎半导体器件40时,以一条捆扎线,根据该数据按照特性的等级差捆扎半导体器件的特征。
  • 半导体器件制造方法
  • [发明专利]半导体工艺的执行方法-CN202110583705.0有效
  • 杨浩;李建国;王达;王博 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2021-05-27 - 2023-03-21 - G06F9/30
  • 本发明提供一种半导体工艺的执行方法,包括:获取半导体工艺对应的工艺配方,工艺配方为纯文本格式,包括硬件指令和工艺流程指令,硬件指令和工艺流程指令均为字符串,硬件指令用于控制半导体工艺设备执行半导体工艺工艺步骤,工艺流程指令用于控制半导体工艺工艺流程;将工艺配方编译为工艺执行链表;控制半导体工艺设备根据工艺执行链表执行半导体工艺。在本发明中,硬件指令和工艺流程指令为字符串形式,尤其组成的工艺配方可以以纯文本形式保存,降低了工艺配方的编辑难度,提高了工艺配方的编辑效率,同时提高了工艺配方的适用性。
  • 半导体工艺执行方法
  • [发明专利]半导体晶圆背面工艺和功率器件的形成方法-CN201310258539.2在审
  • 王万礼;邓小社;王根毅;黄璇 - 无锡华润上华半导体有限公司
  • 2013-06-25 - 2014-12-31 - H01L21/306
  • 一种半导体晶圆背面工艺和功率器件的形成方法。其中,所述半导体晶圆背面工艺包括:提供半导体晶圆;在所述半导体晶圆的正面贴膜;利用物理机械磨削工艺对所述半导体晶圆的背面进行机械减薄;对进行过机械减薄的半导体晶圆进行浸泡式腐蚀。本发明提供的半导体晶圆背面工艺中,在对半导体晶圆进行的浸泡式腐蚀中,对所述半导体晶圆背面各处的腐蚀量都是一致的,膜的拉力引起的半导体晶圆的变化对被各处腐蚀量没有影响,能够保证腐蚀后半导体晶圆厚度的均匀性,同时释放应力,能够避免半导体晶圆在剥膜后不发生翘曲,避免半导体晶圆在后续流通中发生碎片,保证晶圆后续工艺的正常流通。
  • 半导体背面工艺功率器件形成方法
  • [发明专利]支持无线电力传输和近场通信的通信装置-CN201310378647.3有效
  • A·史密斯 - 美国博通公司
  • 2013-08-27 - 2014-03-12 - H04B5/00
  • 这些通信装置的各种集成电路可以使用高电压半导体工艺、低电压半导体工艺或其任何组合而被制造在一个或多个半导体衬底、芯片和/或模片上。这些高电压和/或低电压半导体工艺集成电路中的一些可以与其他模块的其他高电压和/或低电压半导体工艺集成电路一起在单个半导体衬底、芯片和/或模片上制造。这允许一个模块的低电压半导体工艺集成电路和/或高电压半导体工艺集成电路与通信装置的另一模块的低电压半导体工艺集成电路和/或高电压半导体工艺集成电路组合。
  • 支持无线电力传输近场通信装置

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