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[发明专利]化学机械抛光系统-CN200910194798.7无效
发明人：蒋莉;李杰;臧伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械抛光系统，包括：外罩；位于所述外罩内的化学机械抛光装置；所述化学机械抛光系统还包括超声波喷雾器，用于向所述外罩内喷雾。本发明在现有的化学机械抛光系统上增加了用于医学领域的超声波喷雾器，使得外罩内的环境湿度足够大，这样研磨液不易粘在研磨头上凝结成结晶化的颗粒，或者即便研磨头上粘有结晶化的颗粒，在一个湿度足够大的环境内，也容易地用去离子水冲洗掉本发明极大地降低了化学机械抛光工艺中晶圆表面发生刮伤的概率，简化了工艺过程，提高了生产效率。
化学机械抛光系统

[实用新型]化学机械抛光系统-CN201621056481.9有效
发明人：许振杰;陈祥玉;王剑;庞伶伶;沈攀;王国栋;裴召辉;郑全午;陈映松;王同庆;李昆;路新春 -专利权人：天津华海清科机电科技有限公司;清华大学
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种化学机械抛光系统，所述化学机械抛光系统包括前端模块，所述前端模块用于存储和/或检测晶圆；多个抛光单元，多个所述抛光单元并排设置，且至少一个邻近所述前端模块；抛光机械手，所述抛光机械手设在多个所述抛光单元之间用以传递晶圆；后清洗单元，所述后清洗单元与所述抛光单元和所述前端模块均相连，且设置为清洗时晶圆纵置；中转机械手，所述中转机械手用于将晶圆在所述抛光单元与所述后清洗单元之间顺次传递。本实用新型的化学机械抛光系统，生产效率高，工艺流程更加灵活，清洗效果更好，且后清洗单元的体积小，结构紧凑。
化学机械抛光系统

[发明专利]化学机械抛光系统-CN201780003705.0在审
发明人：许振杰;陈祥玉;王剑;庞伶伶;沈攀;王国栋;裴召辉;陈映松;赵德文;王同庆;李昆;路新春 -专利权人：清华大学;天津华海清科机电科技有限公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：一种化学机械抛光系统，包括：前端模块(101)，所述前端模块用于存储和/或检测晶圆；多个抛光单元(102，103，104，105)，多个所述抛光单元并排设置，且至少一个邻近所述前端模块；抛光机械手(107，109)，所述抛光机械手设在多个所述抛光单元之间用以传递晶圆；后清洗单元(108，110)，所述后清洗单元与所述抛光单元和所述前端模块均相连，且设置为清洗时晶圆纵置；中转机械手(408)，所述中转机械手用于将晶圆在所述抛光单元与所述后清洗单元之间顺次传递化学机械抛光系统生产效率高，工艺流程更加灵活，清洗效果更好，且后清洗单元的体积小，结构紧凑。
抛光单元前端模块清洗单元晶圆化学机械抛光系统抛光机械手中转机械手并排设置清洗效果生产效率工艺流程体积小传递纵置清洗存储邻近检测灵活

[发明专利]抛光垫与抛光盘之间的气泡检测方法-CN200410017563.8有效
发明人：李京漋;张海峰;徐根保 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2004-04-07 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种化学机械抛光系统中抛光垫与抛光盘之间的气泡的监测方法，包括步骤：声波检测装置发射进入抛光垫上晶片运行轨迹处的声波；接收从抛光垫上晶片运行轨迹处返回的回波；分析回波延迟，监测是否出现气泡和出现的气泡大小；显示监测结果；根据监测结果产生控制化学机械抛光系统运行的命令信号；控制化学机械抛光系统运行的命令信号发送到化学机械抛光系统，由此控制化学机械抛光系统运行。
抛光之间气泡检测方法

[发明专利]含聚醚胺的抛光组合物-CN200780015036.5有效
发明人：杰弗里·戴萨德;保罗·菲尼;斯里拉姆·安朱尔;蒂莫西·约翰斯;辛云表;王力 -专利权人：卡伯特微电子公司
申请日： 2007-04-18 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明的化学机械抛光系统包含抛光组分、液体载体及聚醚胺。本发明的方法包括用上述抛光系统来化学机械抛光基板。
含聚醚胺抛光组合

[发明专利]用于金属移除速率控制的卤化物阴离子-CN200780006695.2有效
发明人：李守田 -专利权人：卡伯特微电子公司
申请日： 2007-03-16 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明的化学机械抛光系统包含抛光组分、液体载体、氧化剂及卤素阴离子。本发明的方法包括以该抛光系统对基板进行化学机械抛光。
用于金属速率控制卤化物阴离子

[发明专利]一种化学机械抛光系统及其工作过程-CN201811581768.7有效
发明人：夏文羽;吴科;同小刚;陈智;文静;张传民 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械抛光系统，涉及集成电路生产工艺，包括：研磨液供给装置、研磨液循环装置和研磨机台，所述研磨液循环装置位于连通所述研磨液供给装置与所述研磨机台的研磨液流通管路中，其中当化学机械抛光系统正常工作时，所述研磨液供给装置提供研磨液，研磨液通过所述研磨液流通管路和所述研磨液循环装置供给所述研磨机台以进行化学机械抛光；当化学机械抛光系统发出故障报警后，所述研磨液供给装置停止工作，所述研磨液循环装置供应研磨液给所述研磨机台以进行化学机械抛光
研磨液化学机械抛光系统研磨液供给装置研磨液循环装置研磨机台化学机械抛光流通管路集成电路生产故障报警生产效率成品率晶圆连通

[发明专利]用于提高平坦化的聚合物抑制剂-CN200680019115.9有效
发明人：艾萨克·谢里安;周仁杰;史蒂文·格鲁宾;张剑 -专利权人：卡伯特微电子公司
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种包含抛光组分、表面活性剂和液体载体的化学机械抛光系统。本发明进一步提供一种用该抛光系统对基板进行化学机械抛光的方法。
用于提高平坦聚合物抑制剂

[发明专利]一种化学机械抛光系统和化学机械抛光方法-CN202010349692.6在审
发明人：许振杰 -专利权人：华海清科股份有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光系统和化学机械抛光方法，化学机械抛光系统包括前置单元、抛光单元和清洗单元，所述抛光单元包括抛光装置和晶圆装卸装置；所述抛光装置与晶圆装卸装置水平间隔设置，所述抛光装置具有承载头并且该承载头设置成在抛光装置两侧的晶圆装卸装置之间移动，以使晶圆在抛光单元内部传输。
一种化学机械抛光系统方法

[发明专利]用于化学机械抛光的摩擦减小辅助物-CN200680043796.2在审
发明人：凯文·J·莫根伯格;菲利普·W·卡特 -专利权人：卡伯特微电子公司
申请日： 2006-10-24 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种用于抛光基板的化学机械抛光系统，其包含抛光组分、水溶性硅酸盐化合物、氧化剂及水，其中该抛光系统的pH为8至12。本发明进一步提供一种用前述抛光系统对基板进行化学机械抛光的方法。该抛光系统在基板的抛光过程中提供减小的摩擦。
用于化学机械抛光摩擦减小辅助

[发明专利]化学机械抛光系统-CN201110169865.7无效
发明人：刘立中;陈逸男;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光系统，包含有晶圆抛光单元，此晶圆抛光单元包含废液底槽用来接受使用过的抛光液，以及废弃抛光液排放管路用来排放该使用过的抛光液，以及抛光后清洗单元，与该晶圆抛光单元结合，并且将该抛光后清洗单元的使用过的碱性化学物流入该晶圆抛光单元，使该使用过的碱性化学物能即时的清洗废弃抛光液排放管路，避免该废弃抛光液排放管路阻塞。
化学机械抛光系统

[发明专利]化学机械抛光系统-CN201110169985.7无效
发明人：刘立中;陈逸男;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光系统，包含有一晶圆抛光单元，其产生一使用过的抛光液、一抛光液处理系统，用来接受并处理使用过的抛光液，藉以萃取出一碱液、以及一抛光后清洗单元，使用萃取出的碱液来清洗一经过抛光的晶圆表面抛光后清洗单元包含有多个滚轴，用来支撑并转动一晶圆、一清洗刷，用来刷洗晶圆、以及一喷洒棒，设置在清洗刷附近，用来将萃取出的碱液喷洒至抛光过的晶圆表面。
化学机械抛光系统

[发明专利]用于抛光贵金属的具有聚合物添加剂的化学机械抛光组合物-CN200580034854.0有效
发明人：弗朗西斯科·德雷吉西索罗;本杰明·拜尔 -专利权人：卡伯特微电子公司
申请日： 2005-10-11 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种抛光基板的方法，包括使包含(a)选自研磨剂、抛光垫及其组合的抛光成分、(b)氧化剂、(c)含环氧乙烷的聚合物及(d)液体载体的化学机械抛光系统与在基板表面上包括贵金属的基板，并使用该化学机械抛光系统研磨至少一部分该贵金属以抛光该基板
用于抛光贵金属具有聚合物添加剂化学机械抛光组合

[实用新型]化学机械抛光设备的清洗装置-CN200720068728.3无效
发明人：陈肖科 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2007-04-03 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： B24B29/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种化学机械抛光设备的清洗装置，包括：输入口，用于接收经化学机械研磨的晶圆；超声波清洗池，用于对晶圆进行超声波清洗；第一刷洗池，用于对晶圆的两个表面进行刷洗；第二刷洗池，用于对晶圆的两个表面进行刷洗；干燥间，用于干燥晶圆；输出口，用于将晶圆从清洗装置中取出；干燥晶舟，用于暂时存放输出口传送的经干燥的晶圆，并传输给化学机械抛光系统的晶圆存放箱。本实用新型化学机械抛光设备的清洗装置能够避免当化学机械抛光系统的晶圆存放箱出现故障时，晶圆长时间浸泡于清洗液内以及晶圆暴露于空气中。
化学机械抛光设备清洗装置

[发明专利]高生产量CMP平台-CN201310163387.8在审
发明人：吴健立;沈宪聪;黃循康;黄正吉;杨棋铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-05-06 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：一种化学机械抛光系统，具有：第一抛光装置，被配置成对工件实施第一化学机械抛光；以及第二抛光装置，被配置成对工件实施第二化学机械抛光。一种再加工抛光装置包括再加工抛光盘和再加工CMP头，并且被配置成当工件被放置在再加工抛光盘上时，对工件实施辅助化学机械抛光。测量装置测量工件的一个或多个参数，以及传送装置在第一抛光装置、第二抛光装置、再加工抛光装置、以及测量装置之间传送工件。仅当一个或多个参数不符合要求时，控制器确定通过传送装置将工件选择传送到再加工抛光装置。本发明还提供了高生产量CMP平台。
生产量 cmp 平台

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