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[发明专利]一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管-CN201510756113.9有效
发明人：丁国华;罗寅;谭在超;张海滨 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管，包括增强型MOS场效应管、耗尽型MOS场效应管和POLY电阻，所述增强型MOS场效应管和耗尽型MOS场效应管共漏极连接，所述耗尽型MOS场效应管的栅极和源极间串接有POLY电阻，将增强型MOS场效应管和耗尽型MOS场效应管共漏极引出作为功率MOS场效应管的漏电极，将增强型MOS场效应管的栅极引出作为功率MOS场效应管的第一栅电极，将增强型MOS场效应管的源极引出作为功率MOS场效应管的第一源电极，将耗尽型MOS场效应管的源极与POLY电阻的连接端引出作为功率MOS场效应管的第二源电极，将耗尽型MOS场效应管的栅极与POLY电阻的连接端引出作为功率MOS场效应管的第二栅电极整个功率MOS场效应管低功耗，简化了设计复杂度和降低成本。
一种集成耗尽启动器件功率 mos 场效应

[实用新型]一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管-CN201520890627.9有效
发明人：丁国华;罗寅;谭在超;张海滨 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管，包括增强型MOS场效应管、耗尽型MOS场效应管和POLY电阻，增强型MOS场效应管和耗尽型MOS场效应管共漏极连接，耗尽型MOS场效应管的栅极和源极间串接有POLY电阻，将增强型MOS场效应管和耗尽型MOS场效应管共漏极引出作为功率MOS场效应管的漏电极，将增强型MOS场效应管的栅极引出作为功率MOS场效应管的第一栅电极，将增强型MOS场效应管的源极引出作为功率MOS场效应管的第一源电极，将耗尽型MOS场效应管的源极与POLY电阻的连接端引出作为功率MOS场效应管的第二源电极，将耗尽型MOS场效应管的栅极与POLY电阻的连接端引出作为功率MOS场效应管的第二栅电极整个功率MOS场效应管低功耗，简化了设计复杂度和降低成本。
一种集成耗尽启动器件功率 mos 场效应

[实用新型]一种高输出功率的音频放大电路-CN201220505098.2有效
发明人：周命福 -专利权人：深圳市矽普特科技有限公司
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：一种高输出功率的音频放大电路，以解决现有技术存在路一般比较复杂，可靠性差的问题。它包括有两对大功率场效应管，其特征是：与每组复合大功率场效应管的一级大功率场效应管电接有两个偏压兼温度补偿的小功率场效应管；且两个小功率场效应管通过散热片紧贴一级大功率场效应管布置，并采用夹板、螺栓将两个小功率场效应管固定本实用新型是利用场效应管的源极与漏极之间的导通电压来代替普通电路中采用的二极管为大功率场效应管提供偏压，原因是小功率场效应管的特性与大功率场效应管的特性更加接近，可以更加精确地对大功率场效应管偏压进行偏压补偿本电路结构简单，性能可靠，能有效消除大功率管场效应管的正温度系数问题。
一种输出功率音频放大电路

[发明专利]一种限流短路保护电路-CN200610063149.X有效
发明人：刘坚斌;刘军;余佳 -专利权人：深圳安凯微电子技术有限公司
申请日： 2006-10-16 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种限流短路保护电路，包括场效应管M0、场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3、场效应管M4、功率管MP1、功率管MP2及电阻R3，所述场效应管M0、场效应管M1、场效应管M2组成的电流镜等比例镜像电路，所述场效应管M0、场效应管M1、场效应管M2的源极均与地连接，场效应管M1、场效应管M2的漏极分别与场效应管M3、场效应管M4的漏极相连，场效应管M3、场效应管M4组成镜像电路，电阻R3的一端与场效应管M3的源极及功率管MP1的源极相连，电阻R3的另一端与场效应管M4的源极及功率管MP2的源极相连。
一种限流短路保护电路

[发明专利]电池的双向升降压电路、方法、终端设备以及介质-CN202310959194.7在审
发明人：严笑寒;周扬 -专利权人：深圳市沛城智能控制技术有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明公开了一种电池的双向升降压电路、方法、终端设备以及计算机存储介质，电池的双向升降压电路包括：两个并联接入电池功率主回路的功率部分电路和一个功率电感，两个功率部分电路各自包括：第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第一栅极驱动器和第二栅极驱动器；第一场效应管和第二场效应管与电池连接，第三场效应管和第四场效应管与电池功率主回路的输出端连接；第一场效应管和第二场效应管的连接端与功率电感的第一端连接，第三场效应管和第四场效应管的连接端与功率电感的第二端连接；第一栅极驱动器同时与第一场效应管和第二场效应管连接，第二栅极驱动器同时与第三场效应管和第四场效应管连接。
电池双向升降压电方法终端设备以及介质

[实用新型]一种新型大功率场效应管-CN202021502013.6有效
发明人：罗小兵;王琴;黄爱民 -专利权人：珠海锦泰电子科技有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型大功率场效应管，具体涉及场效应管技术领域，包括大功率场效应管，所述大功率场效应管的底端固定安装有三个安装块，三个所述安装块的一端均固定连接有远离大功率场效应管一侧的引脚，所述大功率场效应管的开关电路主要由场效应管、可控硅以及二极管组成，所述大功率场效应管的外侧活动套设有保护套，所述保护套的内侧开设有内腔。本实用新型通过保护套、导热丝和冷却液的设置，不仅能够将大功率场效应管产生的热量快速导出，也可以快速冷却，提高了散热效果，保证了大功率场效应管的使用性能，同时通过保护套和缓冲机构的设置，能够对大功率场效应管起到缓冲使用
一种新型大功率场效应

[实用新型]一种单通道激光器调谐电路-CN201020676023.1无效
发明人：郭敏;王丽丽;张正杨 -专利权人：山东远普光学股份有限公司
申请日： 2010-12-23 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01S5/0683 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单通道激光器调谐电路，包括采样放大电路、功率放大电路、保护电路和电源电路，保护电路包括场效应管D1、场效应管D2、场效应管D3、场效应管D4、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、稳压二极管D5和稳压二极管D6，场效应管D1的栅极与场效应管D2的漏极、源极相连，场效应管D3的漏极、源极与场效应管D4的栅极相连，场效应管D2的栅极、场效应管D4的源极、漏极与功率放大电路电连接，场效应管D3的栅极、场效应管D1的源极、漏极与功率放大电路电连接，可输出高功率高精度的0-100V电压控制信号，保护电路能够对功率放大电路中的大功率元件进行可靠的保护。
一种通道激光器调谐电路

[发明专利]在分立的功率MOS场效应管集成传感场效应管的器件及方法-CN201110200041.1有效
发明人：苏毅;安荷·叭剌 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2011-07-06 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及在不增加掩膜层以及制备工艺程序的数量的前提下，提供的一种在一个分立的功率MOS场效应管内集成一个或多个传感场效应管的功率器件及其制备方法。该半导体器件包含一个主场效应管以及一个或多个传感场效应管；传感场效应管的晶体管部分被主场效应管的晶体管包围着；包围主场效应管的电绝缘结构，使主场效应管的源极和本体区，与传感场效应管的源极和本体区电绝缘。传感场效应管源极垫位于主场效应管的边缘处，并与传感场效应管的晶体管部分分隔开；传感场效应管源极垫通过传感场效应管探针金属，连接到传感场效应管的晶体管部分；配置绝缘结构，使传感场效应管的晶体管部分以及传感场效应管源极垫位于主场效应管的有源区外部
分立功率 mos 场效应集成传感器件方法

[发明专利]一种功率放大电路、功率放大器及发射机-CN202111163809.2在审
发明人：任志雄;吕宇艳;桂小琰 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本申请提供了一种功率放大电路、功率放大器及发射机，在功率放大电路中包括功率放大单元和补偿单元；功率放大单元中包括第一MOS场效应管，补偿单元中包括第三MOS场效应管，所述第三MOS场效应管的源极与所述第一MOS场效应管的漏极连接，且所述第三MOS场效应管的导电类型与所述第一MOS场效应管的导电类型相反，从而利用所述第三MOS场效应管的栅‑源电容随输入电压的变化趋势与第一MOS场效应管的栅‑漏电容随输入电压的变化趋势相反，实现补偿后第一MOS场效应管的栅‑漏电容基本不随输入电压变化而变化，从而对AM‑PM进行补偿，进而提高功率放大电路的线性度，并且该功率放大电路设计简单。
一种功率放大电路功率放大器发射机

[发明专利]功率测试系统-CN201110245851.9无效
发明人：罗奇艳;童松林;涂一新;周海清 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种功率测试系统一种功率测试系统，用于测试场效应管的开关功率及导通功率，该功率测试系统包括一脉冲驱动器，用于产生方波并通过输出引脚输出至场效应管的栅极；一电阻，该场效应管的漏极通过该电阻连接一直流源，该场效应管的源极接地；一处理单元，包括若干引脚用于连接该场效应管的源极及漏极、该脉冲驱动器的输出引脚、该电阻的两端并对电压进行取样，据此计算出该场效应管开关功率及导通功率并传输至一指示单元显示。上述功率测试系统可快速测出场效应管的开关功率及导通功率。
功率测试系统

[发明专利]场效应管阵列及多模块异构芯片-CN202210413896.0在审
发明人：颜志宇;王烈阳;徐红;陈伙立;占连样;李莎 -专利权人：珠海欧比特宇航科技股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种场效应管阵列及多模块异构芯片，涉及芯片技术领域。场效应管阵列包括多个相互并联的场效应管，多个场效应管的源极连接电源，多个场效应管的漏极连接负载，场效应管的导通电阻具有正温度系数效应，每个场效应管的栅极分别与控制调节端口电连接。根据本发明实施例的场效应管阵列及多模块异构芯片，利用场效应管的导通电阻的正温度系数效应，当某一区域的功率较大，温度升高时，该区域的场效应管的导通电阻增大，通过的电流减小，而分布在温度较低的区域的场效应管通过的电流增大，使得温度升高，达到动态功率调整与温度平衡的效果。同时，通过控制调节端口来改变场效应管阵列的栅极电压，可控制流过场效应管阵列的电流大小。
场效应阵列模块芯片

[发明专利]一种功率管、电源开关芯片及漏电检测方法-CN202210157577.8在审
发明人：姜艳 -专利权人：上海艾为电子技术股份有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种功率管、电源开关芯片及漏电检测方法，该功率管包括：第一N型场效应管、第二N型场效应管、具有第一开关和控制电路的漏电检测单元，第一N型场效应管源极与第二N型场效应管源极相连，栅极与第二N型场效应管栅极相连，且源极和漏极分别与控制电路第一端和第二端相连，第一开关第一端与第一N型场效应管栅极相连，第二端接地。进行漏电检测时，第一开关闭合，第一N型场效应管和第二N型场效应管栅极接地；控制电路开启，第一N型场效应管漏极和第一N型场效应管源极短接；第一N型场效应管和第二N型场效应管漏极与电压源相连，在第一N型场效应管和第二N型场效应管漏极施加电压，以能够对功率管进行漏电检测。
一种功率管电源开关芯片漏电检测方法

[发明专利]一种逐周期自适应关断电路-CN202210938192.5在审
发明人：雷晗;夏云凯 -专利权人：西安鼎芯微电子有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种逐周期自适应关断电路，包括功率场效应管，功率场效应管设置于开关电源电路的次级侧，包括：反馈信号采样模块、正负偏移判断模块以及关断模块，其中反馈信号采样模块与功率场效应管连接，用于输出采样保持信号，其中采样保持信号为采样得到的功率场效应管上周期的漏极电压信号；正负偏移判断模块与反馈信号采样模块连接，用于输出控制信号和功率场效应管上周期的导通时间，其中控制信号为采样保持信号与预设的基准电压进行比较得到的信号，并且其中基准电压为功率场效应管允许达到的阈值电压；以及关断模块与正负偏移判断模块连接，用于根据控制信号和功率场效应管上周期的导通时间，确定当前周期功率场效应管的关断信号。
一种周期自适应断电

[发明专利]一种检测方法及检测电路-CN202011335030.X在审
发明人：李志坚 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测方法及检测电路，涉及电路领域，所述方法包括：在功率场效应管导通时，利用漏源级电压检测电路检测已导通的所述功率场效应管的漏源极电压；利用分压电路，对已导通的所述功率场效应管的漏源极电压进行分压，得到第一分压电压；利用比较电路，比较所述第一分压电压与第一预设参考电压，并根据比较结果确定已导通的所述功率场效应管是否发生过流事件，以便在确定所述功率场效应管发生过流事件时由控制电路控制已导通的所述功率场效应管关断本发明实施例通过漏源级电压检测电路检测所述功率场效应管导通时的漏源极电压，进而判断是否发生过流事件，检测速度快，能够有效保护所述功率场效应管。
一种检测方法电路

[发明专利]确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法-CN201110163890.4有效
发明人：赵妙;刘新宇;郑英奎;欧阳思华;李艳奎 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种确定场效应管老化条件的方法、一种场效应管老化方法及一种场效应管筛选方法，可以通过在预设的老化台温度下，为场效应管施加多个不同直流功率，并检测与直流功率对应的峰值结温，从而获得老化台温度、直流功率与峰值结温之间的关系方程式。只需要根据场效应管的最高允许结温，就可以使用所获得的关系方程式确定老化中老化台的温度和需要为场效应管施加的直流功率值，从而实现了场效应管的高效老化。
确定场效应老化条件方法筛选

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