“前端器件”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1481446个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]射频前端器件、射频前端电路及智能终端-CN202221423739.X有效
发明人：宋祖防 -专利权人：深圳市泰衡诺科技有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H04B1/04 文献下载
摘要：本申请公开一种射频前端器件、射频前端电路及智能终端，该射频前端器件设置有：至少一第一发射端口，用于接入第一射频信号；至少一第二发射端口，用于接入第二射频信号；至少一天线端口，用于接入天线；第一射频信号处理电路本申请有利于提高射频前端器件的集成度，减少射频前端器件在PCB板上的占用面积，降低射频前端电路器件间的损耗。
射频前端器件电路智能终端

[发明专利]射频前端器件与其封装方法-CN202110745621.2在审
发明人：陈景 -专利权人：展讯通信（上海）有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H03H9/10 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种射频前端器件及其封装方法，该射频前端器件包括基板与至少两种不同类型的滤波器；该基板包括对立的第一表面和第二表面，其中，第一表面上设置有多个第一接触结构，第二表面上设置有多个第二接触结构基板内部设置有连接电路；各个类型的滤波器均设置于第一表面上，且各个滤波器分别与其对应的第一接触结构电连接；上述多个第一接触结构与多个第二接触结构均与上述连接电路电连接，上述多个第二接触结构用于连接与射频前端器件关联的器件本申请提供的射频前端器件中的滤波器能够更好的适用于多种不同的应用场景，不仅能够满足终端的多样化需求，还能够使射频前端器件的性能更优、成本更低、应用方式更多样化。
射频前端器件与其封装方法

[发明专利]射频前端器件和射频系统-CN202210636363.9在审
发明人：王国龙 -专利权人： OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H04B1/00 文献下载
摘要：本申请提供一种射频前端器件和射频系统，其中，射频前端器件包括：第一收发电路，用于支持对来自所述射频收发器的第一频段信号的发射，以及支持对第一频段信号的主集接收；第二收发电路，用于支持对来自所述射频收发器的第二频段信号的发射
射频前端器件系统

[实用新型]射频前端器件和射频系统-CN202123024496.0有效
发明人：王国龙 -专利权人： OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本申请提供一种射频前端器件和射频系统，其中，射频前端器件被配置有：用于与射频收发器连接的第一输入端口、第二输入端口、第一输出端口、第二输出端口，用于与第一天线连接的第一天线端口以及用于与第二天线连接的第二天线端口；其中，所述射频前端器件包括：第一收发电路，分别与所述第一输入端口、第一输出端口、第一天线端口连接，用于支持对接收的多个第一低频信号的接收和发射处理；第二收发电路，分别与所述第二输入端口、第二输出端口、
射频前端器件系统

[发明专利]弹性波器件、射频前端电路和通信器件-CN201811389114.4有效
发明人：谷口康政 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：弹性波器件包括压电材料层、设置在压电材料层上的IDT电极、以及覆盖IDT电极的介电膜。IDT电极包括第一电极层以及层叠在第一电极层上的第二电极层。
弹性器件射频前端电路通信

[实用新型]弹性波器件、射频前端电路和通信器件-CN201821351806.5有效
发明人：佐治真理 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：弹性波器件包括压电基板和叉指换能器(IDT)电极。IDT电极设置在压电基板上，并包括含有钼(Mo)作为主成分的电极层。IDT电极的占空比为约0.3至0.48。
弹性波器件压电基板射频前端电路叉指换能器通信器件电极层占空比电极

[发明专利]射频前端器件以及射频前端控制接口的复用方法-CN201310334536.2有效
发明人：杜艳丽 -专利权人：南京中兴软件有限责任公司
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频前端器件以及射频前端控制接口的复用方法，在上述方法中，根据在射频前端控制接口上待连接的相同的射频前端器件的数量获取在每个射频前端器件中增加的管脚的数量；采用增加的管脚对射频前端控制接口进行复用根据本发明提供的技术方案，可以节省在多模多频段移动终端的射频前端电路设计过程中所使用的RFFE接口，提高移动终端PCB的设计空间和尺寸利用率，降低电路设计的复杂度。
射频前端器件以及控制接口方法

[发明专利]一种射频前端器件的控制方法及终端设备-CN201811015457.4有效
发明人：易伟 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种射频前端器件的控制方法及终端设备，涉及通信技术领域，用于解决射频前端器件的响应时间长度过长的问题。该方法包括：向至少两个射频前端器件中的每一个射频前端器件发送对应的控制命令；在所述控制命令发送完成后，同时向所述至少两个射频前端器件发送射频前端RFFE触发指令，所述RFFE触发指令用于触发所述至少两个射频前端器件执行对应的控制命令本发明实施例用于射频前端器件的控制。
射频前端器件触发指令控制命令终端设备控制命令发送通信技术领域发送射频前端触发响应

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置-CN201510975530.2有效
发明人：李凤莲;倪景华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。包括：提供器件衬底，在器件衬底的正面形成前端器件；沉积形成层间介电层覆盖前端器件及暴露的器件衬底的正面；在层间介电层上形成图案化的掩膜层，以覆盖前端器件对应的区域，暴露前端器件以外的区域；以图案化的掩膜层为掩膜，依次刻蚀暴露的前端器件以外的区域的层间介电层和部分器件衬底，以形成密封环开口；去除图案化的掩膜层；沉积形成金属层填充所述密封环开口，以形成位于前端器件以外的区域的密封环。根据本发明的制造方法，环绕前端器件形成密封环，其在之后的切割过程中有助于应力的释放，可以防止芯片的破损，提高器件的良率和性能。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

[实用新型]基站用高集成射频前端器件及基站用射频前端-CN202221187608.6有效
发明人：李凡龙;常钰颖 -专利权人：绍兴圆方半导体有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基站用高集成射频前端器件及基站用射频前端，包括：输入端口以及输出端口，来自基站天线的射频信号经输出端口被发送至收发信机的反馈通道；放大器，用于对经由输入端口传输的射频信号进行放大处理；本实用新型有利于减小基站用射频前端的面积。
基站集成射频前端器件

[发明专利]近乎无衬底的复合功率半导体器件及其方法-CN201110088476.1有效
发明人：冯涛;何约瑟 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该近乎无衬底的复合功率半导体器件具有一个功率半导体器件(PSD)，一个由载体材料制成的前端面器件载体(FDC)，以及一个中介粘合层(IBL)。载体和中介粘合层的材料都可以是导电的或不导电的。功率半导体器件具有一个背面衬底部分以及一个正面半导体器件部分，正面半导体器件部分带有带图案的前端面器件金属垫，以及一个衬底近乎消失的减少的器件的厚度TPSD。前端面器件载体具有带图案的后端面载体金属化，连接前端面器件金属垫、带图案的前端面金属垫以及多个穿过载体的导电通孔，它们分别将后端面载体金属化连接到前端面载体金属垫上。前端面器件载体还具有一个足够大的厚度TFDC，能够为近乎无衬底的复合功率半导体器件提供充足的结构刚性。减少的器件厚度TPSD会引起很低的背部衬底电阻，并且穿过载体的导电通孔会对前端面器件金属垫，产生很低的前端面接触电阻。
近乎衬底复合功率半导体器件及其方法

[发明专利]半导体器件的前端制造工艺-CN200910197130.8有效
发明人：何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的前端制造工艺，包括：硅片表面进行清洗、脱水；在硅片背面形成保护层；在硅片正面形成器件；将硅片进行退火。
半导体器件前端制造工艺

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201010110494.0有效
发明人：潘晶;徐强;卑多慧 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出了一种制作半导体器件的方法，包括下列步骤，提供一前端器件层；在所述前端器件层表面形成第一钝化层，所述钝化层上形成露出前端器件层的沟槽；在所述沟槽内以及第一钝化层表面形成金属层；在所述金属层的表面形成缓冲层本发明还提出了一种半导体器件的结构，包括前端器件层；在所述前端器件层表面形成的第一钝化层，所述钝化层中具有露出所述前端器件层的沟槽；在所述沟槽内以及第一钝化层表面形成的金属层；在所述金属层的表面形成的缓冲层
半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种射频调谐方法、终端及射频前端器件-CN201610392751.1有效
发明人：张会干 -专利权人：深圳市中兴微电子技术有限公司
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H04B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频调谐方法，包括：获取用于控制射频前端器件工作于第一工作频段的第一控制指令；将所述第一控制指令向所述射频前端器件发送；检测所述射频前端器件工作于所述第一工作频段时的工作参数是否满足预设工作条件，若满足，则向所述射频前端器件发送确认指令，以使所述射频前端器件保持工作于所述第一工作频段。本发明还公开了另一种射频调谐方法、终端及射频前端器件。
一种射频调谐方法终端前端器件

[实用新型]射频结构和电子设备-CN202223546801.7有效
发明人：李朦朦 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本申请公开了一种射频结构和电子设备，射频结构包括LTE通路和NR通路；所述LTE通路包括用于传输第一主集收发信号TRX信号的第一前端器件，与所述第一前端器件连接的第一天线，以及用于传输第一分集RX信号的第二前端器件，以及，与所述第二前端器件连接的第二天线；所述NR通路包括用于传输第二主集TRX信号的第三前端器件，与所述第三前端器件连接的第三天线，以及用于传输第二分集RX信号的第四前端器件，以及，与所述第四前端器件连接的第四天线
射频结构电子设备

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条