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[发明专利]一种刻蚀装置-CN201610589276.7在审
发明人：李明晖;杨晓峰;陈建;刘林;刘俊毅;刘定红 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，公开一种刻蚀装置，包括壳体，壳体形成缓冲腔室和刻蚀腔室，缓冲腔室和刻蚀腔室之间设置有开关组件，开关组件打开时连通缓冲腔室和刻蚀腔室且待刻蚀件从缓冲腔室进入刻蚀腔室，缓冲腔室内设有控温模块，控温模块用于根据刻蚀腔室的温度调节待刻蚀件的温度，待刻蚀件在门体打开时进入缓冲腔室，控温模块根据刻蚀腔室的温度调节待刻蚀件的温度，使得待刻蚀件的温度向着刻蚀腔室的温度变化，以使待刻蚀件的温度趋向于刻蚀腔室的温度，进而在待刻蚀件从缓冲腔室进入刻蚀腔室后，缩短待刻蚀件刻蚀速率不均匀以及反应速率偏低的时间，保证整个刻蚀工艺时间内刻蚀率的稳定，提高产品良率。
一种刻蚀装置

[发明专利]一种离子束刻蚀设备及其刻蚀方法-CN202110063766.4在审
发明人：范江华;胡凡;龚俊;刘宇;黄也;程文进 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子束刻蚀设备及其刻蚀方法，该离子束刻蚀设备包括装卸片腔室、用传送基片的传送腔室和至少一个用于刻蚀腔室，装卸片腔室和刻蚀腔室分别连接在传送腔室上，装卸片腔室、刻蚀腔室与传送腔室之间设有隔离阀，传送腔室内设有转运机构。刻蚀方法是采用上述的设备对基片进行刻蚀。本发明离子束刻设备，包括：装卸片腔室，用于存放不同类型的基片，一次装卸即可放入多种不同类型的基片，传送腔室，实现基片在装卸片腔室和刻蚀腔室之间的传送，至少一个的刻蚀腔室，可实现对多个基片进行同时刻蚀，该设备能够满足基片(如红外器件)对大尺寸、低损伤、低温刻蚀工艺的要求，可实现连续生产，提高生产效率，降低生产成本。
一种离子束刻蚀设备及其方法

[发明专利]一种刻蚀腔室清洁系统、清洁方法及半导体刻蚀设备-CN202110507244.9在审
发明人：李相龙;周娜;李俊杰;李琳;王佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种刻蚀腔室清洁系统、清洁方法及半导体刻蚀设备，属于集成电路制造技术领域，解决了现有刻蚀腔室环境稳定性差导致的刻蚀工艺漂移的问题。本发明的刻蚀腔室清洁系统，包括用户操作单元、晶圆工艺采集单元和刻蚀腔室清洁单元，晶圆工艺采集单元与刻蚀设备连接，用于收集晶圆刻蚀过程中的工艺参数；用户操作单元能够根据晶圆工艺采集单元收集的数据，设定刻蚀腔室清洁参数；刻蚀腔室清洁单元与刻蚀设备连接，用于控制刻蚀设备执行腔室刻蚀清洁过程。本申请能够有效去除刻蚀腔室内部的颗粒物，维持刻蚀腔室的环境一致性，保证晶圆的刻蚀速率及刻蚀均匀性等工艺参数的稳定性，避免刻蚀工艺的漂移，有效提高了晶圆良率。
一种刻蚀清洁系统方法半导体设备

[发明专利]清洗硅片刻蚀腔室的方法-CN200610165562.7有效
发明人：付春江 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种清洗硅片刻蚀腔室的方法，首先向刻蚀腔室中通入含氟气体和氧气，对刻蚀腔室中含硅的刻蚀副产物及颗粒进行清洗；然后向刻蚀腔室中通入氯气和氧气，对刻蚀腔室中含碳的刻蚀副产物及颗粒进行清洗。能有效清除刻蚀腔室内的硅片刻蚀副产物及颗粒，主要用于清洗半导体硅片加工设备的刻蚀腔室。
清洗硅片刻蚀方法

[发明专利]等离子体刻蚀设备及方法-CN201310541608.0有效
发明人：杨盟 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体刻蚀设备及方法，等离子体刻蚀设备包括综合工艺腔室；综合工艺腔室包括转台、转台轴、升降卡盘、沉积反应腔室与刻蚀反应腔室；转台上设置多个晶片卡槽，晶片卡槽用于放置晶片；每个沉积反应腔室或每个刻蚀反应腔室分别对应一个升降卡盘；转台轴带动转台将晶片卡槽中的晶片分别多次交替转到沉积反应腔室和刻蚀反应腔室，并由所述升降卡盘推进所述沉积反应腔室和刻蚀反应腔室，经多次薄膜沉积及刻蚀。达到提高刻蚀选择比的目的。
等离子体刻蚀设备方法

[发明专利]一种单隔离层磁隧道结刻蚀方法-CN201811298691.2在审
发明人：胡冬冬;王珏斌;蒋中原;刘自明;车东晨;崔虎山;陈璐;任慧群;孙宏月;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开一种单隔离层磁隧道结刻蚀方法，所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室以及真空传输腔室，在不中断真空的情况下，在反应离子刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室依照特定的步骤对晶圆进行加工、处理。另外，离子束刻蚀腔室和反应离子刻蚀腔室结合使用，大幅度降低了磁性隧道结膜层结构的金属沾污及损伤，极大的提高了器件的性能和可靠性，并且克服了现有的单一刻蚀方法存在的技术问题，提高了生产效率和刻蚀工艺精度。
一种隔离隧道刻蚀方法

[发明专利]一种磁隧道结制作方法-CN201811298680.4在审
发明人：车东晨;刘自明;蒋中原;王珏斌;崔虎山;胡冬冬;陈璐;邹志文;孙宏月;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开一种磁隧道结制作方法，所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室以及真空传输腔室，在不中断真空的情况下，利用反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室和镀膜腔室相结合对磁性隧道结进行刻蚀本发明能够有效降低器件损伤和沾污，避免过刻造成的影响，提高器件性能，同时能够精确控制刻蚀图形的陡直度，获得满足性能需求的图形结果。
一种隧道制作方法

[发明专利]一种磁隧道结刻蚀方法-CN201811298686.1在审
发明人：刘自明;王珏斌;蒋中原;车东晨;崔虎山;胡冬冬;陈璐;孙宏月;韩大健;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开一种磁隧道结刻蚀方法，所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室、以及真空传输腔室。本方法包括多次反应离子等离子体刻蚀、离子束刻蚀以及镀膜步骤，在上述过程需多次进出各腔室，各腔室间的传递均在真空状态下进行。本发明能够克服高密度的小器件生产的瓶颈，拓宽刻蚀反应气体的可选择范围，减少物理刻蚀带来的侧壁金属沾污及结构损伤，提高刻蚀的效率，同时能够大幅提高器件的良率、可靠性，制造方法简单、快捷。
一种隧道刻蚀方法

[实用新型]等离子刻蚀装置-CN202022828311.0有效
发明人：谢飞;姚森;赵亮亮;张文杰;邵克坚;王猛;朱宏斌 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子刻蚀装置，包括：刻蚀腔，刻蚀腔内设置有静电吸盘和与静电吸盘相对设置的上电极，静电吸盘用于支撑并夹持待刻蚀的晶圆，所述上电极用于通入刻蚀气体并解离通入的刻蚀气体形成等离子体；所述刻蚀腔的腔室壁中设置有加热模块，加热模块用于在采用等离子刻蚀所述待刻蚀晶圆时，对所述刻蚀腔的腔室壁进行加热，以使得刻蚀过程中产生的聚合副产物更多的形成在所述待刻蚀晶圆上已形成的刻蚀孔的底部。通过在刻蚀腔的腔室壁中中设置加热模块，在进行等离子体刻蚀时，通过加热模块对刻蚀腔的腔室壁中进行高温加热，使得刻蚀腔的腔室壁表面粘附的聚合副产物会脱落到已形成的刻蚀孔的底部，以保护已形成的刻蚀孔底部的材料，防止过刻蚀的发生。
等离子刻蚀装置

[发明专利]一种磁隧道结刻蚀方法-CN201810878914.6有效
发明人：许开东;车东晨;胡冬冬;陈璐 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种磁隧道结刻蚀方法，所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室、以及真空传输腔室。本方法在反应离子等离子体刻蚀腔内完成磁隧道结的刻蚀，在离子束刻蚀腔室内进行离子束清洗，并在镀膜腔室内进行镀膜保护，上述各腔室间的传递均在真空状态下进行。
一种隧道刻蚀方法

[发明专利]清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法及接触孔的形成方法-CN200910201198.9有效
发明人：张海洋;尹晓明;孙武;黄怡 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：一种清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法及接触孔的形成方法。其中清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法，包括：向刻蚀腔室内通入气体，设置预定的工作频率；随着清洗时间的增加减小刻蚀腔室的功率，使刻蚀腔室侧壁的聚合物厚度达到最佳。本发明使在刻蚀腔室内形成的接触孔的线宽达到目标尺寸。
清洗刻蚀侧壁聚合物方法接触形成

[实用新型]一种刻蚀腔室上刻蚀入口的闸门装置-CN201720232377.9有效
发明人：陈亮;李欣;曹顺有 -专利权人：南京攀诺德自动化设备有限公司
申请日： 2017-03-10 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种刻蚀腔室上刻蚀入口的闸门装置，包括驱动轴、气缸、第一驱动块、第二驱动块以及设有槽孔的挡板，所述气缸固定于所述刻蚀腔室的外壁上，且气缸的气缸轴与第二驱动块相连，第二驱动块与第一驱动块相铰接，第一驱动块固定于驱动轴上，驱动轴转动设于所述刻蚀腔室内，挡板倾斜抵接于刻蚀腔室的内壁上并将所述刻蚀腔室的刻蚀入口封闭，气缸的气缸轴收缩并驱动挡板转动，挡板的一端面平行抵触于刻蚀腔室的内壁时，所述槽孔与所述刻蚀入口相贯通本实用新型能够在电子显示屏刻蚀加工过程中，有效的闭合刻蚀腔室上的刻蚀入口，使得酸液不会外泄，净房环境变好，避免腐蚀非工艺腔内的滚轮、电机等部件，从而保证良好的生产工艺。
一种刻蚀腔室上入口闸门装置

[发明专利]一种半导体器件制作方法-CN201811325919.2有效
发明人：蒋中原;刘自明;王珏斌;车东晨;崔虎山;胡冬冬;陈璐;任慧群;邹志文;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件制作方法，所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室以及真空传输腔室。在不中断真空的情况下，首先利用反应离子刻蚀到达隔离层，然后离子束刻蚀到固定层中接近底电极金属层时停止，仅保留少量固定层，而后采用反应离子刻蚀到底电极金属层，最后进行离子束清洗去除金属残留物和样品表面处理通过采用离子束刻蚀和反应离子刻蚀相互结合进行刻蚀、清洗步骤，不仅能有效减少物理刻蚀带来的侧壁金属沾污及结构损伤，提高刻蚀的效率，而且降低了过刻蚀风险，提高了器件性能和良率。
一种半导体器件制作方法

[发明专利]半导体刻蚀方法-CN202011358152.0在审
发明人：刘珂;王京;何艳 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体刻蚀方法，包括：刻蚀步骤，对半导体刻蚀设备工艺腔室中的待加工件进行刻蚀；清洁步骤，清除工艺腔室中的刻蚀产物。交替执行刻蚀步骤和清洁步骤。其中，清洁步骤包括：清除工艺腔室内部件表面剩余的保护层；清除工艺腔室中的刻蚀产物；对工艺腔室进行吹扫；在部件表面沉积保护层。本发明实施例提供的半导体刻蚀方法能够消除工艺腔室内部各种结构的表面性质之间的差异对半导体刻蚀工艺的影响，提高刻蚀待加工件的均匀性，进而提高产品良率。
半导体刻蚀方法

[发明专利]硅片刻蚀设备及控制腔室上盖升降的方法-CN200710063393.0无效
发明人：张俊 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2007-01-10 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片刻蚀设备及控制腔室上盖升降的方法，包括刻蚀腔室，刻蚀腔室的上部依次设有安装衬环和腔室上盖，所述的安装衬环与腔室上盖之间设有3个微型压力开关，来实现对腔室上盖最低下降限位的控制，并完善了对腔室上盖升降的控制逻辑，能精确、安全、可靠的控制硅片刻蚀设备的腔室上盖的上升和下降，及合盖时的精确定位。主要适用于半导体硅片刻蚀设备，也适用于其它类似的设备。
硅片刻蚀设备控制腔室上盖升降方法

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