专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种具有双向透过性的元件及其应用-CN201110000553.3有效
  • 王龙耀;王岚 - 常州大学
  • 2011-01-04 - 2011-06-08 - B01D69/02
  • 本发明一种具有双向透过性的元件及其应用,涉及一种具有不同选择性孔通道的元件。其特征在于分离层介质具有不同选择性渗透作用的孔通道,利用不同物料在不同孔通道中透过性的差异,可以实现对分离介质两侧不同物料的选择性同时相向透过。在相同元件外形情况下,该元件可以具有不同组成比例的选择性渗透作用孔通道,从而提高元件的双向渗透性能。将本发明双向透过性元件用于非均相物系选择性双向传质过程,具有传质效率高、过程可控、设备制造简单、成本低的特点。
  • 一种具有双向透过元件及其应用
  • [发明专利]半导体器件、电子设备和制造半导体器件的方法-CN201880054726.X在审
  • 江尻洋一 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2018-07-26 - 2020-04-21 - H01L21/336
  • [解决方案]一种半导体器件,其设置有:基板,其具有元件区域和元件分离区域,所述元件区域包括源极区和漏极区,其中,在源极区和漏极区之间存在沟道区,所述元件分离区域相对于与设置源极区、沟道区和漏极区的方向正交的方向至少设置在两侧;栅极绝缘,其至少从元件分离区域的一侧到另一侧设置在基板的元件区域上;以及栅电极,其设置在栅极绝缘上。所述栅极绝缘包括杂质。包括元件区域和元件分离区域之间的边界的边界区中的杂质浓度不同于栅极绝缘的中心区中的杂质浓度。
  • 半导体器件电子设备制造方法
  • [发明专利]浸渍式膜分离装置及其运行方法-CN200880015557.5有效
  • 高畠宽生;成濑麻美;杉田和弥;北中敦 - 东丽株式会社
  • 2008-04-21 - 2010-03-24 - B01D63/08
  • 本发明的目的在于提供一种浸渍式膜分离装置,其在分离组件的铅直下方设置微小气泡散气管,在分离组件为大型的情况下也可从分离组件的铅直下方无遗漏地均匀地产生微小气泡。具有多个以平作为分离分离元件面平行的方式并列地配置的分离组件(2)、设置在该分离组件的铅直下方的多个微小气泡散气管(4)、和用于向微小气泡散气管供给气体的多个气体供给管(5);多个气体供给管(5)以夹着分离组件的铅直下方部分而对向的方式配置,连接于气体供给管的多个微小气泡散气管(4)沿与分离元件面交叉的方向延伸,且,对向的微小气泡散气管的顶端彼此接近、或顶端部分重叠。
  • 浸渍分离装置及其运行方法
  • [发明专利]过滤膜模块及过滤处理方法-CN201880039379.3有效
  • 榎村真一;吉住真衣 - M技术株式会社
  • 2018-06-21 - 2022-12-27 - B01D35/00
  • 一种过滤膜模块及过滤处理方法,能够提高在过滤处理时的一次侧流路的离心分离效果、在反洗时的外环状流路的沿着元件的外周面的区域的离心分离效果,一面抑制在过滤处理时及反洗时附着物质向面的堆积一面使过滤效率及清洗效率提高过滤膜模块具备元件和筒状的外壳,所述元件具备处于空心筒状的过滤面的外侧的一次侧流路,所述筒状的外壳被配置在该元件的外侧。在一次侧流路内配置流动调整器。在元件和外壳之间的作为外环状流路的二次侧流路内配置反洗用流动调整器。流动调整器和反洗用流动调整器由螺旋状翅片等构成,以便在沿着过滤面或元件的外周面的区域中发挥离心分离功能。
  • 滤膜模块过滤处理方法
  • [发明专利]电气机械变换器及其制造方法-CN201110310468.7有效
  • 虎岛和敏;秋山贵弘 - 佳能株式会社
  • 2011-10-14 - 2012-07-11 - H01L27/12
  • 电气机械变换器包括多个元件,每个元件包含至少一个单元结构,所述单元结构包含:半导体基板;半导体振动;和支撑部,用于支撑振动以使得在基板的一个表面和振动之间形成间隙。该多个元件在包含振动的半导体分离位置处相互分离。该多个元件中的每一个元件在贯通包含所述支撑部的第一绝缘层和半导体基板的通孔中包含:与包含所述振动的所述半导体连接的导体;和用于使所述导体与半导体基板绝缘的第二绝缘层。
  • 电气机械变换器及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200710152402.3无效
  • 宫崎涉一 - 株式会社东芝
  • 2007-10-11 - 2008-04-16 - H01L21/8247
  • 半导体装置具有沿指定的第1方向形成多个元件区域和元件分离区域的半导体基板、在多个上述元件区域上通过栅极绝缘形成的悬浮栅极即在上述第1方向按指定的第1间隔形成多个的悬浮栅极、在上述悬浮栅极上形成的栅极间绝缘、在上述栅极间绝缘上沿上述第1方向按第1间隔形成多个的控制栅极即遍及沿与上述第1方向交叉的第2方向相邻的多个上述栅极层形成的控制栅极、在上述元件分离区域形成的元件分离绝缘即其上端部位于上述栅极绝缘的上表面的上方而形成的在上述控制栅极间沿上述指定方向的侧壁的中央部的上述半导体基板的上表面的高度低于上述侧壁的端部的高度同时其上表面的内下端部位于上述半导体基板的表面的下方的元件分离绝缘
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置-CN200410048976.2无效
  • 杉原浩平;太田和伸;尾田秀一;林岳 - 株式会社瑞萨科技
  • 2004-06-11 - 2005-02-02 - H01L21/76
  • 在依次层叠硅层1、化合物半导体层2、半导体层3的半导体衬底100上设置元件分离结构10a。元件分离结构10a由沟4、半导体5、绝缘6、7构成。沟4贯通半导体层3并延伸到化合物半导体层2的内部。半导体5设于沟4的表面,绝缘6设在半导体5上。绝缘7设于绝缘6上,将沟4充填。由于因沟4而露出的化合物半导体层2和绝缘6之间隔着半导体5,即使在将半导体5热氧化而形成绝缘6时,化合物半导体层2也不被直接热氧化。从而,提供了可提高半导体装置的元件分离特性的技术。
  • 半导体装置
  • [实用新型]一种交叉旋转盘式污水分离装置-CN202021837281.3有效
  • 杨永强;程青;杨俊雅;侯艳明;王秀威 - 常州汇恒膜科技有限公司
  • 2020-08-28 - 2021-05-25 - B01D61/00
  • 本实用新型公开了膜分离技术领域的一种交叉旋转盘式污水分离装置,包括排水系统、旋转元件、中空轴、密封件和驱动系统,排水系统包括旋转接头、集水管及水泵,旋转接头设置在中空轴端部,旋转接头经集水管与水泵进口相连,密封件设置在旋转元件与中空轴之间,旋转元件的内腔与中空轴的内腔相连,驱动系统与中空轴之间传动连接;中空轴设有两根,为第一中空轴和第二中空轴;旋转元件也对应设有两组,为第一旋转元件和第二旋转元件,两组旋转元件在径向方向上彼此交叉穿插设置。本装置旋转元件与中空轴之间密封性强,避免渗漏影响出水品质,交叉旋转的盘式对水扰动大,可增大通量延缓污染,可在污水处理领域中推广使用。
  • 一种交叉旋转盘式膜污水分离装置

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