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[发明专利]一种台阶结构高温共烧陶瓷的烧结方法-CN202111347124.3在审
发明人：夏庆水;曹坤;庞学满 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C04B35/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种台阶结构高温共烧陶瓷的烧结方法，包括以下步骤：1）生瓷件和生瓷垫片的制备：使用生瓷带和金属化浆料按照多层陶瓷生产工艺制作台阶结构生瓷件和镂空生瓷垫片；2）生瓷件和镂空生瓷垫片的的排版：将大尺寸生瓷件的台阶面放置在镂空生瓷垫片的腔体上，然后一起放在承烧板上；3）排胶：将所述放有生瓷件和生瓷垫片的承烧板放入排胶炉中排胶；4）烧结：将排胶后放的、有生瓷件和生瓷垫片的承烧板放入高温烧结炉中烧结。优点：1）有效防止瓷件烧结过程中台阶边缘瓷件的变形翘曲，可应用于包含台阶结构瓷件基板及外壳等领域。2）所得共烧陶瓷平整度小于0.02μm/mm，性能满足电子陶瓷的使用要求。
一种台阶结构高温陶瓷烧结方法

[发明专利]一种大尺寸高温共烧陶瓷的烧结方法-CN201810763878.9有效
发明人：夏庆水;曹坤;陈寰贝 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： C04B35/638 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸高温共烧陶瓷的烧结方法，包括以下步骤：1）生瓷件和生瓷垫片的制备：使用生瓷带和金属化浆料按照多层陶瓷生产工艺制作大尺寸生瓷件和生瓷垫片；2）生瓷件和生瓷垫片的的排版：将大尺寸生瓷件放置在生瓷垫片上，然后一起放在承烧板上；3）排胶：将所述放有生瓷件和生瓷垫片的承烧板放入排胶炉中排胶；4）烧结：将排胶后放的、有生瓷件和生瓷垫片的承烧板放入高温烧结炉中烧结。优点：1）有效防止瓷件烧结收缩过程中的变形和背面划伤，可应用于高可靠、气密器件封装及多芯片组件基板及外壳等领域。2）所得共烧陶瓷背面无划痕、瓷框的变形量小于0.02mm，性能满足电子陶瓷的使用要求。
一种尺寸高温陶瓷烧结方法

[发明专利]一种高温共烧氮化铝陶瓷的烧结方法-CN201611115067.5在审
发明人：夏庆水;陈寰贝;程凯;庞学满;张智旻 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本发明是一种高温共烧氮化铝陶瓷的烧结方法，该方法包括以下步骤（1）使用氮化铝生瓷和金属化浆料按照多层陶瓷生产工艺制作氮化铝生瓷件；（2）将氮化铝生瓷件在排胶炉中排胶；（3）排胶后的生瓷件放入双重密闭承烧装置中；（4）将装有氮化铝生瓷件产品的承烧装置放入高温气氛烧结炉中烧结。本发明的优点1）本方法可以制备高温共烧氮化铝陶瓷，应用于MCM基板和封装、大功率器件的基板、外壳、大功率LED封装外壳等领域；2）使用本发明的方法烧结，可以避免氮化铝陶瓷中第二相的过度挥发，得到的共烧氮化铝陶瓷的热导率
一种高温氮化陶瓷烧结方法

[发明专利]一种高温共烧氧化铝陶瓷的烧结方法-CN201710505469.4在审
发明人：夏庆水;陈寰贝;张智旻 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明是一种高温共烧氧化铝陶瓷的烧结方法，该方法包括以下步骤（1）使用氧化铝生瓷和金属化浆料按照多层陶瓷生产工艺制作氧化铝生瓷件；（2）将氧化铝生瓷件放置在承烧装置中；（3）将承烧装置中的氧化铝生瓷件排胶；（4）将排胶后承烧装置中的氧化铝生瓷件在烧结炉中烧结。本发明的优点1）该方法可以制备高温共烧氧化铝陶瓷，应用于高可靠、气密器件封装及多芯片组件（MCM）基板及外壳等领域。2）使用本发明的方法烧结，得到的共烧氧化铝陶瓷的密度大于3.60g/cm3、抗折强度大于300MPa、1mm2金属化面积的抗拉力大于20N，性能满足电子陶瓷的使用要求。
一种高温氧化铝陶瓷烧结方法

[发明专利]一种多层共烧陶瓷基板高密度金属化通孔的制作方法-CN201710665216.3在审
发明人：岳帅旗;杨宇;刘志辉;束平 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种多层共烧陶瓷基板高密度金属化通孔的制作方法。该方法包括对保留有自带PET膜的生瓷从未带膜的一面进行激光打孔，所述孔仅贯穿生瓷部分；对各层生瓷进行印刷填孔；对填孔后的生瓷通过平面加压的方式进行通孔整平；将各层加工好的生瓷进行对位叠层，每叠一层，首先使该层生瓷与前一层生瓷实现层间整体预固定，然后再脱掉该层生瓷的自带PET膜,依次进行,直至叠层全部完成。本方法与常规多层共烧陶瓷基板工艺兼容，能够实现大于1000孔/cm2的高密度通孔制作。
一种多层陶瓷高密度金属化制作方法

[发明专利]一种多层共烧陶瓷基板收缩失配度的测试方法-CN202111185702.8有效
发明人：岳帅旗;王娜;徐洋;陈丽丽;张刚;杨宇;黄翠英;肖晖 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01N25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层共烧陶瓷基板收缩失配度的测试方法，包括以下步骤：S1，利用空白生瓷制作纯生瓷工艺样件，并测试纯生瓷工艺样件的烧结收缩率；S2，引入配套浆料，制作含有配套浆料的工艺样件，并测试引入配套浆料以后的工艺样件的烧结收缩率；S3，将引入配套浆料以后的工艺样件的烧结收缩率与纯生瓷工艺样件的烧结收缩率相减，得出多层共烧陶瓷基板的配套浆料与生瓷烧结的收缩失配度。本发明解决了现有技术存在的无法实现浆料与生瓷烧结收缩失配度的定量测试的问题。
一种多层陶瓷收缩失配测试方法

[发明专利]一种硼硅酸盐玻璃及球形氧化铝低温共烧陶瓷生瓷带及其制备方法-CN201310049370.X有效
发明人：彭寿;王芸;彭程;方亮;曹志强;周鸣 -专利权人：蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C03C10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼硅酸盐玻璃及球形氧化铝低温共烧陶瓷生瓷带及其制备方法，该生瓷带由玻璃-陶瓷复合材料和流延介质组成，其中玻璃-陶瓷复合材料是由硼硅酸盐玻璃、球形氧化铝组成；流延介质是由混合溶剂、单体粘结剂本发明制备的低温共烧陶瓷生带表面平整、光滑，生带固含量可达88~92wt%，烧成收缩率为9~11%，各个方向烧结收缩率差异小，能在850℃实现与Au、Ag等低熔点金属布线共烧。本发明提供的生料带烧结瓷体具有优良的介电性能：10GHz下，介电常数（εr）为7~8，介质损耗（tanδ）小于2×10-3，并有效解决了传统LTCC生瓷带烧结收缩的各向异性问题。
一种硅酸盐玻璃球形氧化铝低温陶瓷生瓷带及其制备方法

[发明专利]LTCC电路基板的制作方法-CN202011282405.0有效
发明人：赵燕;邓云凯;喻忠军;徐正;霍锐;张长凤;赵元沛 -专利权人：中国科学院空天信息创新研究院
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种LTCC电路基板的制作方法，包括：产品排版时设置产品外形处理的位置识别点；在位置识别点之外预留预设尺寸的工艺边，并在工艺边上设定热切对位点；按照热切对位点对生瓷坯实施切割，完成生瓷坯到单个电路的生瓷坯的转换；将单个电路的生瓷坯进行热压处理，并通过共烧工艺完成LTCC电路基板的共烧处理；根据LTCC电路基板外形处理工艺，完成每个电路基板的外形切割，实现LTCC电路基板的制作。
ltcc 路基制作方法

[发明专利]一种用于高温共烧陶瓷的丝网印刷工艺-CN201811156247.7在审
发明人：胡乾;王纯强;陈志;赵锋 -专利权人：江苏惟哲新材料有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： B41M1/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于高温共烧陶瓷的丝网印刷工艺，其能增加通孔内侧壁印刷、填孔效率。其技术方案是这样的：一种用于高温共烧陶瓷的丝网印刷工艺，其特征在于：其包括以下步骤：1、将生瓷毛坯放置在网印机的台面上，并将网印机台面上的第一真空口与生瓷毛坯通孔对准；2、开启抽真空装置，利用台面上的第二真空口吸附生瓷毛坯，并将真空吸力通过第一真空口传递至生瓷毛坯的通孔；3、通过网印机对生瓷毛坯进行丝网印刷。
毛坯生瓷高温共烧陶瓷丝网印刷工艺真空口网印机通孔机台抽真空装置通孔内侧壁丝网印刷真空吸力填孔网印吸附对准印刷传递

[发明专利]一种低介低膨胀低温共烧陶瓷材料及其制备方法-CN201210561636.4有效
发明人：彭寿;王芸;方亮;曹志强 -专利权人：蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司
申请日： 2012-12-22 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C04B35/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种低介低膨胀低温共烧陶瓷材料及其制备方法，包括：a、将重量百分比为（60～80）%的硼硅酸盐玻璃粉，与（20～40）%的球形熔融石英微粉混合得到低温共烧陶瓷粉料；b、向低温共烧陶瓷粉料中加入溶剂、粘结剂、增塑剂、分散剂，得到流延浆料，流延瓷浆料制成生瓷带；c、生瓷带置于电炉烧结后形成低温共烧陶瓷材料。本发明制备的低温共烧陶瓷材料的介电常数为5.1（1MHz），热膨胀系数为4.2×10-6K-1，具有良好的应用前景。
一种低介低膨胀低温陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]柱面模块电路板的制作方法以及烧结支架-CN201110326724.1有效
发明人：马涛;王啸 -专利权人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：一种柱面模块电路板的制作方法以及烧结支架，该制作方法，包括以下步骤：（a）将低温共烧陶瓷的生瓷一体化制作形成生瓷毛坯；（b）将所述的生瓷毛坯置于烧结支架的圆弧面上通过压力装置进行柱面塑形，柱面塑形指将所述的生瓷毛坯由平面状加工成与圆弧面相吻合的圆弧状；（c）对经过柱面塑形的所述的生瓷毛坯进行烧结形成柱面模块电路板。通过本发明采用低温共烧陶瓷异形基板工艺技术，再通过烧结支架进行柱面塑形，再经过烧结，最终形成柱面模块电路板，由于其特定的形状，使电路板体积与质量较小，且温度适应能力较强，性能较高。
柱面模块电路板制作方法以及烧结支架

[发明专利]低温共烧陶瓷基板表面焊盘及其制备方法-CN202210690352.9在审
发明人：陈晨;陶克文;罗雄科 -专利权人：上海泽丰半导体科技有限公司;上海泽丰半导体测试有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H05K3/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种低温共烧陶瓷基板表面焊盘及其制备方法，属于陶瓷制备领域，方法包括在陶瓷基板的内层生瓷带上打第一孔洞，在陶瓷基板的表层生瓷带上与焊盘等大的第二孔洞，第二孔洞的孔径不小于第一孔洞的孔径；使用银浆对第一孔洞和第二孔洞进行填孔；在陶瓷基板的生瓷带表面上印刷线路；将内层生瓷带和表层生瓷带对位叠层为一体；采用等静压工艺使层叠为一体的瓷体致密；将致密的生瓷烧结为熟瓷；根据预计平整度研磨熟瓷，并基于所需粗糙度对研磨后的熟瓷进行抛光，得到低温共烧陶瓷基板表面焊盘。
低温陶瓷表面及其制备方法

[发明专利]一种低温共烧陶瓷基板及其制备方法-CN202010182130.7在审
发明人：吕潭;刘峰;张发强;刘志甫 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温共烧陶瓷基板及其制备方法，所述低温共烧陶瓷基板的制备方法包括：（1）将陶瓷粉体40～60 wt%、溶剂30～50 wt%、粘结剂5～15 wt%、分散剂0.2～2 wt%混合，得到陶瓷流延浆料，所述粘结剂为聚甲基丙烯酸酯；（2）将所得陶瓷流延浆料经流延成型，得到陶瓷流延生瓷带；（3）将所得陶瓷流延生瓷带置于空气气氛或无氧气氛中，在380～450℃下排胶后，再经过烧结，得到所述陶瓷基板；或者，将Cu电极和Ni电极中的至少一种印刷至陶瓷流延生瓷带后置于无氧气氛中，在380～450℃下排胶后，再经过烧结，得到所述低温共烧陶瓷基板。
一种低温陶瓷及其制备方法

[发明专利]应用于高温共烧陶瓷的高导电率金属化层的制备方法-CN201810458117.2有效
发明人：张鹏飞;夏庆水;唐利锋 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明提出的是一种应用于高温共烧陶瓷的高导电率金属化层的制备方法，包括以下步骤：（1）通过流延工艺获得氧化铝生瓷带；（2）配制满足丝网印刷的WCu金属化浆料和W金属化浆料；（3）将WCu金属化浆料印制在氧化铝生瓷带表面；（4）采用相同的印刷图形，在WCu金属化图形表面印刷W金属化浆料；（5）采用层压叠片工艺实现多层氧化铝生瓷带结合得到金属化层；（6）通过生切和烧结获得单个熟瓷瓷件。优点：工艺过程简单，制备出的高温共烧基板表面金属化的方块电阻低至约5mΩ，同时兼具优良抗弯强度、可镀性及较好的经济性。
应用于高温陶瓷导电金属化制备方法

[发明专利]无机瓷粉及其制备方法、LTCC生瓷带-CN202010658361.0有效
发明人：周万丰;吕洋;董兆文 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十三研究所
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C04B35/117 文献下载
摘要：本发明公开了一种无机瓷粉及其制备方法、LTCC生瓷带，其由40‑60wt％的陶瓷烧结助剂、40‑60wt％的陶瓷填充相和0.2～1.5wt％Cu2O混合制备而成该无机瓷粉采用钙镧硼陶瓷烧结助剂加陶瓷填充相的组合方式，减少了生瓷带共烧后的非结晶相而使共烧陶瓷具有更低的介电损耗，使得采用该无机瓷粉制得的LTCC生瓷带介电常数和介电损耗都比较低。
无机及其制备方法 ltcc 生瓷带

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