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[发明专利]光子结构-CN202010988554.2在审
发明人：陈建宏;徐敏翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：提供光子结构，光子结构包含半导体基底、位于半导体基底之上的埋藏氧化物层、位于埋藏氧化物层之上的光耦合区、以及埋入半导体基底中的氧化物结构。光耦合区朝着光耦合区的端点渐缩，此端点位于半导体基底的边缘。在平面图中，光耦合区重叠氧化物结构。
光子结构

[发明专利]光子结构-CN202211559172.3在审
发明人： W·D·霍克 -专利权人： VIAVI科技有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开涉及光子结构。光子系统包括光源和光子结构。光子结构包括光传输结构和光吸收结构。光传输结构被配置为传输与第一波长范围相关联的光。光吸收结构被配置为吸收与第二波长范围相关联的光。光源被配置为向光吸收结构提供波长在第二波长范围内的光束。光吸收结构被配置为当光束入射到光吸收结构上时生成热量并且向光传输结构提供热量。
光子结构

[发明专利]具有量子阱结构的光子晶体及其制备方法-CN00137208.4无效
发明人：资剑;乔峰;张淳;万钧;胡新华;韩得专;李乙洲;傅利民;王昕;许春;吴颖灏;高霞;王国忠 -专利权人：复旦大学
申请日： 2000-12-28 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明是一种光子晶体量子阱结构。本发明用两种不同的介电材料组成光子晶体，然后以光子晶体A/光子晶体B/光子晶体A排列制成光子晶体量子阱结构。选择适当的结构和介电常数配比，使量子阱即中间光子晶体的光子能带结构与势垒区即两端光子晶体的能带结构不同。由于两种光子晶体的光子能带结构不同，光波的传输特性可以得到调制，出现许多新的物理现象。
具有量子结构光子晶体及其制备方法

[发明专利]一种光子晶体复合结构及半透明有机太阳能电池-CN202010854365.6在审
发明人：顾嘉陆;兰伟霞;周朋超;吴世伟;刘媛媛;彭艳;魏斌 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光子晶体复合结构及半透明有机太阳能电池。该光子晶体复合结构包括：第一光子晶体、第二光子晶体和微腔结构；第二光子晶体的下表面设置在第一光子晶体的上表面，微腔结构的下表面设置在第二光子晶体的上表面；第一光子晶体的材料与第二光子晶体的材料相同，第一光子晶体的材料的厚度与第二光子晶体的材料的厚度不同，第一光子晶体的中心波长与第二光子晶体的中心波长互补；第一光子晶体和第二光子晶体均用于反射光子；微腔结构的材料与第一光子晶体的材料不同，微腔结构的材料具有复折射率；微腔结构用于实现光的相长干涉。
一种光子晶体复合结构半透明有机太阳能电池

[发明专利]一种对微结构光子材料等效阻抗的调控方法-CN201410213155.3有效
发明人：甘晖 -专利权人：浪潮电子信息产业股份有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种对微结构光子材料等效阻抗的调控方法，属于微结构光子材料技术，包括如下步骤（1）、用HFSS电磁仿真软件建立微结构光子材料的晶胞的模型，分别在光子导带、光子禁带下，通过改变该模型的结构得出多组微结构光子材料的S电磁参数并导出；（2）、用Matlab分别导入多组S电磁参数计算微结构光子材料的等效阻抗，得到等效阻抗变化波形图；（3）、通过多组等效阻抗变化波形图对微结构光子材料的等效阻抗的实部、虚部的变化情况进行分析，得出微结构光子材料的等效阻抗的调控规律；（4）、对微结构光子材料等效阻抗进行匹配调控。本发明利用微结构光子材料的等效阻抗的调控规律，设计不同要求的微结构光子材料。
一种微结构光子材料等效阻抗调控方法

[发明专利]一种OLED显示面板及OLED显示装置-CN201811000588.5在审
发明人：李建东 -专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请提供一种OLED显示面板及OLED显示装置，OLED显示面板包括单层光子晶体结构，所述单层光子晶体结构位于OLED显示面板的发光层背离阵列基板一侧的任意层中，也即单层光子晶体结构位于OLED显示面板发光层的出光侧中的任意一层结构中所述单层光子晶体结构能够产生光子禁带，频率落在光子禁带中的光子将无法通过光子晶体结构，从而可以调节允许通过单层光子晶体结构的光波长范围，禁止不需要的光子出射，进而能够提高OLED的单色光的色纯度。
光子晶体结构单层光子禁带发光层光子阵列基板层结构单色光光波长色纯度出射背离申请

[发明专利]二维复合周期性光子晶体材料-CN200710051925.9无效
发明人：汪国平;杨奕 -专利权人：武汉大学
申请日： 2007-04-20 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： G02B1/02 文献下载
摘要：一种二维复合周期性光子晶体材料，其特征是：具有由高对称性的光子准晶的局部结构排布成阵列，该复合光子晶体材料呈现出周期性；既具有二维光子准晶的光子禁带，又具有周期性光子晶体的光子禁带结构。本发明的优点是：这种光子晶体结构具有严格的周期性，使得其光子禁带结构可以通过现有成熟的物理定理和方法进行精确计算，从而在理论上可以通过改变结构参数等条件，准确调节、优化其光子禁带特性。计算结果表明：这种二维复合周期性光子晶体材料能够产生更多的各向同性的光子禁带，有利于光子晶体对具有不同能量(或频率)的光子的传播进行有效控制。
二维复合周期性光子晶体材料

[发明专利]一种基于光子存储结构的绘制方法及系统-CN202210170135.7在审
发明人：康春萌;侯铂 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G06T15/06 文献下载
摘要：本发明属于真实感渲染技术领域，提供了一种基于光子存储结构的绘制方法及系统，对光子进行跟踪确定光子的三维坐标信息；根据光子的三维坐标信息对光子进行分块，分块后采用八叉树对应的叶子节点存储块中的所有光子，构建基于八叉树结构的光子图；基于八叉树结构的光子图，查询对光线有贡献的光子，通过光子的密度估计得到任意像素点的辐射值，基于像素点的辐射值绘制光子图渲染效果图。解决了光子映射算法绘制均匀参与介质低效的问题，提升了渲染效率。
一种基于光子存储结构绘制方法系统

[发明专利]莫尔光子晶体的制备方法-CN200610037606.8无效
发明人：顾忠泽;韩水昊;陈海华 -专利权人：东南大学
申请日： 2006-01-04 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：莫尔光子晶体的制备方法是将两个具有相同周期结构的光子晶体互相旋转一定角度后重叠起来，从而构成莫尔光子晶体，具体操作过程有采用蛋白石结构的莫尔光子晶体制备，或反蛋白石结构的莫尔光子晶体制备，或利用微加工工艺进行莫尔光子晶体制备；其中蛋白石结构的莫尔光子晶体制备针对聚苯乙烯、或聚甲基丙烯酸甲酯、或二氧化硅利用自组装方法可以有序排列起来的纳米或微米球，反蛋白石结构的莫尔光子晶体制备针对粉末状介电材料，利用微加工工艺进行莫尔光子晶体制备针对介电薄膜材料利用莫尔效应制备的光子晶体有着非常丰富的结构变化。可以得到多种新结构的光子晶体，从而降低了制备成本，提高了新结构光子晶体的开发和制备效率。
莫尔光子晶体制备方法

[发明专利]完全禁带光子晶体结构、其制备方法及一种发光二极管-CN201210532521.2无效
发明人：张雄;郭浩;许洁;崔一平 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种完全禁带光子晶体结构，包括位于下层的空气孔型光子晶体结构和位于上层的介质柱型光子晶体，空气孔型光子晶体结构和介质柱型光子晶体结构均是由两种或两种以上介电常数的介质材料在平面上呈周期性排列成的阵列，介质柱型光子晶体结构的介质材料对应设置在空气孔型光子晶体结构的介质材料的上表面。本发明还公开了这种光子晶体结构的制备方法，以及一种采用该光子晶体结构的发光二极管。本发明光子晶体结构在LED发光波段实现完全光子禁带特性，极大地提高LED的出光效率，本发明可独立自由调节光子晶体的结构参数，拓展了在LED领域中的应用价值；有效地释放晶格失配所产生的应力，进而获得更高质量的氮化镓基外延薄膜
完全光子晶体结构制备方法一种发光二极管

[实用新型]基于光子晶体微腔的动态调Q装置-CN201820754812.9有效
发明人：李潮;王博;吴俊芳 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01S3/115 文献下载
摘要：本实用新型公开了基于光子晶体微腔的动态调Q装置，包括波长可调谐脉冲激光器、p‑i‑n结电光调制器以及光子晶体微腔‑波导结构；所述光子晶体微腔‑波导结构由前侧光子晶体波导、多模光子晶体微腔、后侧光子晶体波导组成；所述前侧光子晶体波导位于多模光子晶体微腔的左侧，后侧光子晶体波导位于多模光子晶体微腔的右侧。本实用新型结构简单，易于实现和集成，可以通过对多模光子晶体微腔的形状、结构和尺寸的精细设计来自由操控低Q值腔模和超高Q值腔模的谐振频率和Q值大小，使多模光子晶体微腔具有较大的动态调Q范围及较大的工作带宽
光子晶体微腔多模光子晶体波导本实用新型波导结构调Q装置腔模波长可调谐电光调制器脉冲激光器工作带宽精细设计谐振频率自由操控

[发明专利]单光子源器件及其制备方法-CN202011634122.8在审
发明人：谷睿;王磊;李博;高见头;赵发展;韩郑生;罗家俊;滕瑞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L33/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种单光子源器件及其制备方法，通过设置电极层、单光子源层以及场发射微尖结构，其中，单光子源层为通过六方氮化硼材料形成的单光子源层，将单光子源层和场发射微尖结构键合，且场发射微尖结构的场发射区域覆盖所述单光子源层的发光中心，然后通过电极层施加电压，使得场发射微尖结构在电压作用下发射高能电子到单光子源层，使得所述单光子源层的发光中心发射光子，实现了能够在室温下运行的电泵浦的单光子源。
光子器件及其制备方法

[发明专利]基于光子晶体微腔的动态调Q装置和方法-CN201810487958.6有效
发明人：吴俊芳;李潮;王博 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01S3/115 文献下载
摘要：本发明公开了基于光子晶体微腔的动态调Q装置，包括波长可调谐脉冲激光器、p‑i‑n结电光调制器以及光子晶体微腔‑波导结构；所述光子晶体微腔‑波导结构由前侧光子晶体波导、多模光子晶体微腔、后侧光子晶体波导组成；所述前侧光子晶体波导位于多模光子晶体微腔的左侧，后侧光子晶体波导位于多模光子晶体微腔的右侧。本发明还公开了基于光子晶体微腔的动态调Q方法。本发明结构简单，易于实现和集成，可以通过对多模光子晶体微腔的形状、结构和尺寸的精细设计来自由操控低Q值腔模和超高Q值腔模的谐振频率和Q值大小，使多模光子晶体微腔具有较大的动态调Q范围及较大的工作带宽。
基于光子晶体动态装置方法

[实用新型]一种用于量子保密通信的集成多通道可信中继装置及系统-CN202021655736.X有效
发明人：富尧;钟一民;王泽军 -专利权人：如般量子科技有限公司;南京如般量子科技有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：本实用新型提出一种用于量子保密通信的集成多通道可信中继装置及系统，包括：QKD控制模块、单光子发射结构和单光子检测结构；单光子发射结构包括依次连接的光子生成装置、第一光波分复用器、第二光波分复用器、第三光波分复用器和第一阵列波导光栅，第二、第三光波分复用器之前还设置有并联的n个单光子量子态制备装置；单光子检测结构包括第二阵列波导光栅、第四光波分复用器和n个单光子检测模块。本实用新型把多个单光子量子态制备装置集成到单光子发射结构，把多个单光子检测模块集成到单光子检测结构中，在两个可信中继节点之间可以形成多条量子信道。
一种用于量子保密通信集成通道可信中继装置系统

[发明专利]掺磷光体的光子带隙材料-CN200580024506.5无效
发明人： C·R·朗达;H·蒙克;H·尼科尔 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-07-14 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： C09K11/08 文献下载
摘要：本发明涉及掺磷的光子带隙材料的用途。光子带隙材料对于LED作为其中需要高辐射或者在LED用于光学系统的应用中作为光源起到重要作用。目前LED的光学品质是：辐射相当低且不能通过标准方式增加。本发明的目的在于通过使用掺磷光体的光子带隙材料来增加发光设备的辐射。根据本发明，提供了包含光子结构的结构材料，该光子结构仅在特定方向调节光子频率的范围(也被称为光子状态密度)，另外含有具有至少一种发射模式的磷光体材料，其中光子频率处于被所述光子结构调节的范围中，其中该结构材料具有低于立方体的对称性，使得光子结构通过磷光体材料的至少一种发射模式在低于三个方向调节发射的光子的产生，以这种方式增加辐照。
磷光体光子材料

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