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[发明专利]使用绝缘膜保护半导体芯片的侧壁-CN200910176623.3有效
发明人：郭彦良;黃永盛;林裕庭;陈建宜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-09-23 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用绝缘膜保护半导体芯片的侧壁。提供晶片，所述晶片具有第一半导体芯片、第二半导体芯片、以及在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间并且与两者邻接的切割槽；在切割槽中形成凹槽，其中，凹槽的底部不高于晶片中半导体衬底的顶面；在晶片之上形成第一绝缘膜，其中，第一绝缘膜延伸至凹槽；将第一绝缘膜的一部分从凹槽的中心移除，其中，第一绝缘膜的剩余部分包括凹槽中的边缘；以及切开晶片，使得第一半导体芯片和第二半导体芯片分离。
使用绝缘保护半导体芯片侧壁

[发明专利]一种微电极阵列的侧壁绝缘方法-CN201110386810.1无效
发明人：汪红;吴静;丁桂甫;赵小林;黄奕 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C25D13/12 文献下载
摘要：本发明公开一种微细加工技术领域的微电极阵列的侧壁绝缘方法，步骤包括：1)将经过清洗的电极阵列与导电装置分别作为阴极板和阳极板(或阳极板和阴极板)，连接到电泳仪器的负极和正极(或正极和负极)，构成回路；2打开电源开始电泳镀膜；4)完成后，关闭电源，将电极阵列取出，并用去离子水超声清洗电极阵列，去除悬浮涂料；5)洗干净的电极阵列，进行烘干处理；6)经烘干的电极阵列中填充石蜡，然后利用机械方法进行磨削，以去掉电极端面的绝缘薄膜本发明可用于多种形状，高精度的微细电化学加工用的微电极阵列的侧壁绝缘，工艺成本低。
一种微电极阵列侧壁绝缘方法

[发明专利]沟槽隔离结构及其制作方法-CN201811020350.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽隔离结构及其制作方法，结构包括：衬底，衬底中具有沟槽；绝缘介质层，包括填充于沟槽的第一绝缘部以及凸出于衬底顶面的第二绝缘部，第二绝缘部包括上部的凸起部以及位于凸起部及第一绝缘部之间的凸起连接部；侧壁保护部，覆盖于述第二绝缘部的凸起部的侧壁；以及侧壁延伸部，覆盖于第二绝缘部的凸起连接部的侧壁；侧壁保护部与绝缘介质层具有不同材质。本发明通过设置支撑层使得沟槽隔离结构的绝缘介质具有凸出于衬底的凸起部，并通过对该凸起部的周侧形成侧壁延伸部及侧壁保护部，侧壁保护部与绝缘介质的材质不同而具有较高的刻蚀选择比，从而可以对绝缘介质进行保护，减小或者避免绝缘介质的侧腐蚀。
沟槽隔离结构及其制作方法

[实用新型]沟槽隔离结构-CN201821434102.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本实用新型提供一种沟槽隔离结构，结构包括：衬底，衬底中具有沟槽；绝缘介质层，包括填充于沟槽的第一绝缘部以及凸出于衬底顶面的第二绝缘部，第二绝缘部包括上部的凸起部以及位于凸起部及第一绝缘部之间的凸起连接部；侧壁保护部，覆盖于述第二绝缘部的凸起部的侧壁；以及侧壁延伸部，覆盖于第二绝缘部的凸起连接部的侧壁；侧壁保护部与绝缘介质层具有不同材质。本实用新型通过设置支撑层使得沟槽隔离结构的绝缘介质具有凸出于衬底的凸起部，并通过对该凸起部的周侧形成侧壁延伸部及侧壁保护部，侧壁保护部与绝缘介质的材质不同而具有较高的刻蚀选择比，从而可以对绝缘介质进行保护，减小或者避免绝缘介质的侧腐蚀。
绝缘部凸起部侧壁保护绝缘介质衬底沟槽隔离结构本实用新型侧壁延伸部绝缘介质层凸起连接部侧壁刻蚀选择比支撑层减小覆盖填充腐蚀

[发明专利]具有双层侧壁的热保存和热绝缘纸杯-CN201510370914.1在审
发明人：黄茂源 -专利权人：泸州恒态生物科技有限公司
申请日： 2015-10-10 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： B65D3/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种热保存和热绝缘的、具有双层侧壁的纸杯，其中底壁的唇部和内侧壁的结合部分的上半部分形成向外倾斜的角度，内侧壁夹持底壁唇部。结合部分的下端部分形成向竖直方向延伸的部分。因此外侧壁不需要有准确的高度，但允许外侧壁到达结合部分的下半部分，外侧壁可以牢固、并且稳定地粘结到内侧壁上。而且当内侧壁和外侧壁的下端表面相互平齐时，虽然外侧壁的上端与内侧壁的上端形成的凸缘相互分开，但是在内侧壁和外侧壁之间形成有效的空气空间，从而获得外形美观的成品。另外，由于在内侧壁和外侧壁之间不产生间隙，纸杯不会在其底部被削弱，因此非常便于抓握纸杯，并且能够以有效方式保证热绝缘。
具有双层侧壁保存绝缘纸杯

[发明专利]一种电化学电极的侧壁绝缘方法-CN201210517525.3有效
发明人：韩福柱;高峰;王津 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： C25D11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电化学电极的侧壁绝缘方法。包括如下步骤：(1)将电极连接于微弧氧化装置中，所述微弧氧化装置包括电解槽，所述电解槽内设有绝缘平台和搅拌器；所述电极的一端的端面与所述绝缘平台的表面贴合配合，另一端的端面与电源相连接，作为阳极；所述电解槽与所述电源相连接，作为阴极；(2)启动所述电源，则在电解液中进行微弧氧化；(3)所述微弧氧化完成后，关闭所述电源，取出所述电极，然后经烘干即实现对所述电极的侧壁绝缘。本发明利用微弧氧化技术对电极进行侧壁绝缘，形成厚度适当的均匀、致密的绝缘膜。
一种电化学电极侧壁绝缘方法

[发明专利]微小孔电解加工电极的侧壁绝缘方法及应用-CN201810000974.8有效
发明人：曲宁松;高传平;贺海东 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-01-02 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微小孔电解加工电极的侧壁绝缘方法，属微小孔电解加工领域。该方法包括以下过程：使激光束（1）的焦点位于电极（2）侧壁上；控制激光加工参数,使得电极不被烧断,且电极侧壁得到氧化物凸起（3）；氧化物凸起（3）具有绝缘作用,使得利用该电极作为阴极进行微小孔电解加工时上述绝缘后的电极表面上的绝缘层粘接性好，难以剥落，保证了绝缘的有效性。
微小电解加工电极侧壁绝缘方法应用

[发明专利]具有双层侧壁的热保存和热绝缘纸杯-CN01143631.X无效
发明人：朴承根 -专利权人：朴承根
申请日： 2001-12-14 - 公布日： 2002-08-21 - 主分类号： B65D3/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种热保存和热绝缘的、具有双层侧壁的纸杯,其中底壁的唇部和内侧壁的结合部分的上半部分形成向外倾斜的角度,内侧壁夹持底壁唇部。结合部分的下端部分形成向竖直方向延伸的部分。因此外侧壁不需要有准确的高度,但允许外侧壁到达结合部分的下半部分,外侧壁可以牢固、并且稳定地粘结到内侧壁上。而且当内侧壁和外侧壁的下端表面相互平齐时,虽然外侧壁的上端与内侧壁的上端形成的凸缘相互分开,但是在内侧壁和外侧壁之间形成有效的空气空间,从而获得外形美观的成品。另外,由于在内侧壁和外侧壁之间不产生间隙,纸杯不会在其底部被削弱,因此非常便于抓握纸杯,并且能够以有效方式保证热绝缘。
具有双层侧壁保存绝缘纸杯

[实用新型]侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装结构-CN201520829489.3有效
发明人：曹凯;谢皆雷;任超;吴超;罗立辉;方梁洪 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装结构，包括晶圆，所述晶圆的电极面上设有第一绝缘保护层，所述第一绝缘保护层在电极导通部处设有缺口，所述晶圆的侧壁和背面设有第二绝缘保护层，所述第二绝缘保护层与第一绝缘保护层连在一起本实用新型可以防止芯片在封装或者贴装过程由于侧壁和背面裸露导致的漏电不良。
侧壁背面带有绝缘保护芯片封装结构

[发明专利]带有层状构造的绝缘侧壁的功率半导体模块-CN200980157976.7有效
发明人： M.比尔曼;C.布罗什;D.马里帕德;A.曾克纳 -专利权人：西门子公司
申请日： 2009-03-13 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H05K7/14 文献下载
摘要：20)、模块壳体(2，3，13)和至少一个连接母线(9，10，11，12，21)，其中，所述功率半导体单元具有可控的功率半导体，所述功率半导体单元(19，20)设置在所述模块壳体内并且所述模块壳体具有绝缘的侧壁(13)，所述连接母线穿过所述侧壁(13)并且与至少一个所述功率半导体单元(19，20)连接，本发明建议，所述绝缘的侧壁(13)设计为绝缘并且一体构造的子元件(14，15，16)的堆叠，其中，所述子元件
带有层状构造绝缘侧壁功率半导体模块

[发明专利]绝缘胶测试装置、绝缘胶测试系统及绝缘胶测试方法-CN202111302527.6有效
发明人：张桐恺;雷奋星;孟胤;高静 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种绝缘胶测试装置、绝缘胶测试系统及绝缘胶测试方法，用于对绝缘胶的绝缘性能进行测试。绝缘胶测试装置包括绝缘托、金属导电体和绝缘盖板。绝缘托包括第一绝缘侧壁。第一绝缘侧壁包括沿第一方向依次排布的底面和顶面，顶面用于贴装绝缘胶。第一绝缘侧壁包括沿第二方向依次排布的外表面和内表面，外表面为靠近静电枪的一面。金属导电体设置于第一绝缘侧壁在第二方向上的一侧，且更靠近内表面。绝缘盖板位于第一绝缘侧壁在第一方向上的一侧，且更靠近第一绝缘侧壁的顶面。该绝缘胶测试装置可以更加准确地测量出绝缘胶的绝缘性能。
绝缘测试装置系统方法

[发明专利]半导体结构、制备方法及动态随机存储器-CN201910815969.7在审
发明人：冯大伟 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构、制备方法及动态随机存储器，所述制备方法包括如下步骤：在衬底上形成沟槽；在沟槽中形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层至少覆盖所述沟槽内侧壁，所述栅极绝缘层的内侧壁由上部内侧壁及下部内侧壁组成；在栅极绝缘层内形成导电层，所述导电层填满所述所述栅极绝缘层下部内侧壁对应的沟槽区域，所述栅极绝缘层及所述导电层形成所述埋入式栅极；在栅极绝缘层上形成绝缘补偿层，所述绝缘补偿层覆盖所述栅极绝缘层的上部内侧壁；在所述沟槽内形成介电层，所述介电层至少覆盖所述导电层的顶面及所述绝缘补偿层的内侧壁。本发明利用绝缘补偿层增加栅极绝缘层的厚度，从而避免栅极漏电流的产生，提高器件的稳定性。
半导体结构制备方法动态随机存储器

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610164220.3无效
发明人：横山成之 -专利权人：尔必达存储器股份有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：硅基板，在硅基板上提供的栅绝缘体，在栅绝缘体上提供的栅电极，在栅电极的侧面上提供的第一侧壁绝缘体，在第一侧壁绝缘体上提供的第二侧壁绝缘体，以及源和漏扩散区，其中栅绝缘体在栅极长度方向的端部直接处于第一侧壁绝缘体在栅电极侧表面方向的下端部之下，以及第二侧壁绝缘体覆盖栅绝缘体的端部。
半导体装置及其制造方法

[实用新型]半导体结构及动态随机存储器-CN201921431962.7有效
发明人：冯大伟 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体结构及动态随机存储器，所述制备方法包括如下步骤：在衬底上形成沟槽；在沟槽中形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层至少覆盖所述沟槽内侧壁，所述栅极绝缘层的内侧壁由上部内侧壁及下部内侧壁组成；在栅极绝缘层内形成导电层，所述导电层填满所述所述栅极绝缘层下部内侧壁对应的沟槽区域，所述栅极绝缘层及所述导电层形成所述埋入式栅极；在栅极绝缘层上形成绝缘补偿层，所述绝缘补偿层覆盖所述栅极绝缘层的上部内侧壁；在所述沟槽内形成介电层，所述介电层至少覆盖所述导电层的顶面及所述绝缘补偿层的内侧壁。本实用新型利用绝缘补偿层增加栅极绝缘层的厚度，从而避免栅极漏电流的产生，提高器件的稳定性。
半导体结构动态随机存储器

[实用新型]底板绝缘耐压模块-CN202123204641.3有效
发明人：袁建玲;张鸿波;高占成 -专利权人：北京新创椿树整流器件有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种底板绝缘耐压模块，其中，外壳顶部封闭，底部开口；绝缘片定位环的外侧壁与外壳的内侧壁固定，绝缘环的外侧壁与绝缘片定位环的内侧壁固定，绝缘片的两端分别与绝缘环的内侧壁固定；芯片定位环设置于绝缘片的顶部，且芯片定位环的外侧壁与绝缘环的内侧壁固定；芯片定位环的中空区域内依次由下至上层叠设置有下垫块、阳极电极、芯片、上垫块和阴极电极，阳极电极的右端弯折后由外壳的顶部引出形成阳极，阴极电极的左端弯折后由外壳的顶部引出形成阴极；底板设置于外壳的底部，绝缘片定位环和绝缘片分别设置在底板的顶部；底板上设置有第一凹槽，绝缘环的底部伸入第一凹槽内。
底板绝缘耐压模块

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