“低浓度区域”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1416109个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]荧光体和光源装置-CN202010086411.2在审
发明人：照井达也;梅田裕二 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明的荧光体具有高浓度区域和1个以上的低浓度区域，其中，低浓度区域的添加物的浓度比高浓度区域低，高浓度区域包围1个以上的低浓度区域。
荧光光源装置

[发明专利]静电保护装置-CN201080009870.5无效
发明人：浅田哲男;中川博文 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-11-01 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：静电保护装置(101)具备第一导电型的基板(1)、形成在基板(1)上的、与上述第一导电型不同的第二导电型的第一低浓度扩散区域(2)及上述第一导电型的第二低浓度扩散区域(3)、形成在第一低浓度扩散区域(2)中、相互电连接的上述第二导电型的第一高浓度扩散区域(4)及上述第一导电型的第二高浓度扩散区域(5)、形成在第二低浓度扩散区域(3)中、相互电连接的上述第一导电型的第三高浓度扩散区域(9)及上述第二导电型的第四高浓度扩散区域(8)、形成在第一低浓度扩散区域(2)中的上述第一导电型的第五高浓度扩散区域(6)、和形成在第二低浓度扩散区域(3)中的上述第二导电型的第六高浓度扩散区域(7)，第五高浓度扩散区域(6)与第六高浓度扩散区域
静电保护装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410419944.2有效
发明人：新井耕一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：在一实施方式中的半导体器件中，结型场效应晶体管的栅极区域(GR)具有低浓度栅极区域(LGR)和杂质浓度比低浓度栅极区域(LGR)高的高浓度栅极区域(HGR)，且高浓度栅极区域(HGR)内包于低浓度栅极区域
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置和固体摄像元件-CN201980065408.8在审
发明人：深作克彦;松本光市;清水暁人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-10-02 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置，包括：低浓度N型区域；第一高浓度N型区域和第二高浓度N型区域，它们隔着插入在它们中间的所述低浓度N型区域层叠，并且具有比所述低浓度N型区域更高的杂质浓度；栅极电极，当从作为所述低浓度N型区域、所述第一高浓度N型区域和所述第二高浓度N型区域层叠的方向的层叠方向观察时，所述栅极电极围绕所述低浓度N型区域；第一绝缘膜，其布置在所述栅极电极与所述低浓度N型区域之间；和第二绝缘膜，其布置在所述栅极电极与所述第一高浓度N型区域之间，其中所述第一高浓度N型区域连接至所述源极电极和所述漏极电极中的一者，且所述第二高浓度N型区域连接至所述源极电极和所述漏极电极中的另一者。
半导体装置固体摄像元件

[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的电子系统-CN202111439122.7在审
发明人：白圣权;金鹤善;徐载和 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：一种半导体器件的晶体管，包括隔离区域、设置在隔离区域中的有源区域、在有源区域上沿第二方向延伸的栅极、以及分别在栅极的第一侧和第二侧上的有源区域中沿垂直于第二方向的第一方向延伸的源极和漏极区域。源极和漏极区域包括低浓度源极和漏极掺杂区域，该低浓度源极和漏极掺杂区域包括第一和第二低浓度源极和漏极掺杂区域。源极和漏极区域还包括高浓度源极和漏极掺杂区域，该高浓度源极和漏极掺杂区域分别设置在低浓度源极和漏极掺杂区域中并且具有高于低浓度源极和漏极掺杂区域的掺杂浓度。第一低浓度源极和漏极掺杂区域在第二方向上的第一长度大于第二低浓度源极和漏极掺杂区域在第二方向上的第二长度。
半导体器件包括电子系统

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN03820714.1有效
发明人：小森秀树;岛田久幸;孙禹;木下博幸 -专利权人：富士通株式会社;斯潘生公司;先进微装置公司
申请日： 2003-08-29 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明的漏极(7)包括：与控制栅极(5)相匹配而形成的、低浓度的浅的低浓度杂质区域(7a)；与侧壁膜(8)相匹配而形成且比低浓度杂质区域(7a)高浓度的深的高浓度杂质区域(7b)，由此，利用低浓度杂质区域(7a)来改善短沟道效果并提高编程效率，并且，在高浓度杂质区域(7b)中设置漏极接触孔形成部位(70)，以降低漏极(7)中的接触电阻。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202180030568.6在审
发明人：内田美佐稀;吉村尚;泷下博;谷口竣太郎;野口晴司;樱井洋辅 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其具备：缓冲区，其掺杂浓度比体施主浓度高；第一低浓度氢峰，其配置于缓冲区；第二低浓度氢峰，其在缓冲区配置在比第一低浓度氢峰更靠近下表面的位置；高浓度氢峰，其在缓冲区配置在比第二低浓度氢峰更靠近下表面的位置，并且氢化学浓度比所述第二低浓度氢峰高；平坦区，其包括第一低浓度氢峰与第二低浓度氢峰之间的区域、以及设置有第二低浓度氢峰的区域，所述平坦区的掺杂浓度高于体施主浓度，并且掺杂浓度的平均值是第二低浓度氢峰与高浓度氢峰之间的掺杂浓度的极小值以下
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200880124601.6有效
发明人：岛昌司;常信和清;铃木俊秀 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2008-01-10 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体器件具有：第一低浓度漏极区域，其进入MIS型晶体管的栅电极的下方；高浓度漏极区域，其在第一低浓度漏极区域内，从栅电极分离，且杂质浓度比第一低浓度漏极区域的杂质浓度高；逆导电型区域，其在第一低浓度漏极区域内，形成在上述高浓度漏极区域和上述栅电极之间的表面区域，其具有与漏极区域相反的导电型，且与漏极区域形成pn结。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]电光装置及其制造方法以及电子设备-CN200610146737.X无效
发明人：石井达也 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2006-11-22 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：第2栅电极(3a2)使用金属硅化物等的导电材料，平面看上去覆盖低浓度源区域(1b)及低浓度漏区域(1c)地设置到第1栅电极(3a1)之上。第2栅电极(3a2)进行遮光，以便从背光源等光源所照射的入射光不照射到低浓度源区域(1b)及低浓度漏区域(1c)。据此，来减少在低浓度源区域(1b)及低浓度漏区域(1c)流通的光漏电流。
电光装置及其制造方法以及电子设备

[发明专利]半导体器件和制造方法-CN202110362556.5在审
发明人：杨崴翔;游明华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：低浓度源极/漏极区域被外延生长在第一鳍之上和第二鳍之上。低浓度区域的材料具有小于50％的锗体积。高浓度接触件着陆区域被形成在低浓度区域之上。高浓度接触件着陆区域的材料具有至少50％的锗体积。高浓度接触件着陆区域在低浓度源极/漏极区域的顶表面之上具有至少1nm的厚度。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201310684070.9有效
发明人：嘉屋旨哲;中原宁 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：n型低浓度区域被形成在P型层上。第一高浓度N型区域被设置在n型低浓度区域中并且被连接到二极管的阴电极。第二高浓度N型区域被设置在n型低浓度区域中，被布置为与第二导电类型第一高浓度区域隔开，并且被连接到第一电路的电源互连。第一P型区域被形成在n型低浓度区域中，并且其底部被连接到P型层。接地电势被施加到第一P型区域，并且第一P型区域被设置在第一高浓度N型区域的附近。
半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910981835.2在审
发明人：大川峰司 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在半导体装置中，半导体基板具有元件区域和周边耐压区域。绝缘保护膜配置在所述周边耐压区域的上部。所述周边耐压区域具有与所述绝缘保护膜相接的多个p型的护圈区域和将所述多个p型的护圈区域相互分离的n型的漂移区。各所述护圈区域具有：与所述绝缘保护膜相接的护圈低浓度区域；及具有所述护圈低浓度区域的p型杂质浓度的10倍以上的p型杂质浓度的护圈高浓度区域。所述护圈高浓度区域配置在所述护圈低浓度区域的下侧，通过所述护圈低浓度区域而与所述绝缘保护膜分离。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]碳化硅MOS场效应晶体管以及其制造方法-CN200580036954.7有效
发明人：八尾勉;原田信介;岗本光央;福田宪司 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在低浓度p型淀积膜内具备沟道区域和通过离子注入返型成n型的基极区域的SiC纵型MOSFET，在截止时会引起栅极氧化膜的绝缘破坏，从而妨碍了高耐压化。本发明通过以下的方式来解决。即，在低浓度p型淀积膜和高浓度栅极层之间设置低浓度n型淀积膜，并且，在低浓度p型淀积膜内有选择地形成通过离子注入返型成n型的基极区域，由此增大高浓度栅极层和沟道区域以及栅极氧化膜之间的淀积膜的厚度。
碳化硅 mos 场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]图像形成设备-CN201110127879.2有效
发明人：猪浩一朗;儿玉博一;菅田光洋;大沼隆洋 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G03G15/08 文献下载
摘要：在形成在感光鼓上的图像的后端产生低浓度区域。当图像的浓度较高并且湿度较低时，不大可能产生该低浓度区域。为了防止生成这类低浓度区域，如果形成具有高浓度的套色不准检测调色剂图案，则在低湿度环境下，不必要地过分消耗了大量调色剂。为此，基于湿度调整套色不准检测调色剂图案的浓度。
图像形成设备

[发明专利]激光退火方法及激光退火装置-CN201180064681.2有效
发明人：樱木进 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：在本发明的激光退火方法中，（a）准备半导体基板，该半导体基板中，在表层部的相对较深区域以相对低浓度添加杂质，在相对较浅区域以相对高浓度添加杂质。（b）对半导体基板照射激光束，将半导体基板熔融至比高浓度杂质的添加区域更深的位置而使添加在相对较浅区域的高浓度杂质活化，并不使半导体基板熔融至低浓度杂质的添加区域而使添加在相对较深区域的低浓度杂质活化。
激光退火方法装置

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条