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[发明专利]传输门线路结构-CN201410431817.4有效
发明人：周伟江 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：本发明提供了一种传输门线路结构，包括第一PMOS管，栅端接收第一数字信号，漏端接第一模拟信号端，源端接自身的衬底端；第二PMOS管，栅端接收第一数字信号，漏端接第二模拟信号端，源端接自身的衬底端并连接至第一本发明能够避免衬偏效应的影响，在电源电压较低时也能实现各种电位信号的传输。
传输线路结构

[发明专利]用于减少泄漏电流的增强型传输门结构-CN200580026361.2有效
发明人： H·Y·吕;M·卡巴尼;R·帕提尔;T·T·黄 -专利权人：阿尔特拉公司
申请日： 2005-08-02 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：本发明提出了用于低电压系统的增强型传输门结构，其中传输门结构的操作速度被最大化，同时当此结构被“关断”时，使泄漏电流最小化。在一个装置中，相对于根据特定工艺尺寸制造的其它晶体管的VT，传输门结构的VT被提高。另外，传输门开启电压被施加于传输门结构上，使得传输门开启电压在电压上高于提供给除此传输门结构以外的电路的额定电压。
用于减少泄漏电流增强传输结构

[实用新型]一种低功耗高速预分频器电路-CN202320412135.3有效
发明人：武彦雄;张沅沅;王娜 -专利权人：西安柏信晟电子科技有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H03K21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低功耗高速预分频器电路，包括：集成传输门的反相器结构、第一集成传输门的反相器结构、第二集成传输门的反相器结构、第一集成复位的反相器结构、第二集成复位的反相器结构、复位结构、MOS管传输门、传输门T1、传输门T2、驱动模块。由于2分频电路中都为反相器结构，因此几乎没有静态功耗，从而实现低功耗的目的。通过反相器结构、复位结构实现2分频电路整个信号传输通路的关断以及输出拉至低电平的复位功能，以及通过传输门T1、传输门T2的导通和关断，实现输入信号直通或2分频的选通输出的功能。
一种功耗高速分频器电路

[发明专利]一种超宽带低损耗高隔离的全差分结构射频开关-CN202110614004.9有效
发明人：高志强;王蒙 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H03K17/689 文献下载
摘要：本发明公开了一种超宽带低损耗高隔离的全差分结构射频开关，所述全差分结构射频开关由第一CMOS传输门TR_GATE1、第二CMOS传输门TR_GATE2、第三CMOS传输门TR_GATE3和第四CMOS传输门TR_GATE4四个CMOS传输门组成，其中：所述第一CMOS传输门TR_GATE1和第四CMOS传输门TR_GATE4组成主传输通路，第二CMOS传输门TR_GATE2和第三CMOS传输门TR_GATE3组成交叉传输通路。
一种宽带损耗隔离全差分结构射频开关

[发明专利]像素结构及制备方法、图像传感器、电子设备-CN202210334857.1在审
发明人：郭同辉;石文杰;邵泽旭 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种像素结构及制备方法、图像传感器、电子设备，像素结构包括半导体衬底、光电转换区、浮动扩散区、第一传输控制门及第二传输控制门。本发明的像素结构设计中形成有两个传输控制门，即第一传输控制门和第二传输控制门，可以基于在两个传输控制门上施加电压对器件的开启关断以及传输控制门与其他部分(如浮动扩散区)之间的电场进行灵活调控，以满足器件的实际需求当传输控制门电极与浮动扩散区之间形成有电场时，可以基于两个传输控制门对上述电场进行调制。当电荷传输晶体管的栅极与漂浮扩散有源区之间构成高电势差时，可以通过第二传输控制门减小高电势差，从而减小栅极诱导漏电，改善图像白点坏像素的问题，提高CIS的图像质量。
像素结构制备方法图像传感器电子设备

[实用新型]像素结构、图像传感器、电子设备-CN202220813744.5有效
发明人：郭同辉;石文杰;邵泽旭 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供一种像素结构、图像传感器、电子设备，像素结构包括半导体衬底、光电转换区、浮动扩散区、第一传输控制门及第二传输控制门。本实用新型的像素结构设计中形成有两个传输控制门，即第一传输控制门和第二传输控制门，可以基于在两个传输控制门上施加电压对器件的开启关断以及传输控制门与其他部分(如浮动扩散区)之间的电场进行灵活调控，以满足器件的实际需求当传输控制门电极与浮动扩散区之间形成有电场时，可以基于两个传输控制门对上述电场进行调制。当电荷传输晶体管的栅极与漂浮扩散有源区之间构成高电势差时，可以通过第二传输控制门减小高电势差，从而减小栅极诱导漏电，改善图像白点坏像素的问题，提高CIS的图像质量。
像素结构图像传感器电子设备

[发明专利]远程智能监控传输防盗门装置-CN201811304991.7有效
发明人：张睿;叶子维;解丹;张砚臣;张必胜;马健喆;张永梅;潘理虎 -专利权人：太原科技大学
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： E06B5/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种远程智能监控传输防盗门装置，包括防盗门本体（16），所述防盗门本体（16）的外侧门体上设置有人脸识别监控模块，所述防盗门本体（16）的下部双层门体之间设置有控制模块、传输模块和电源模块；所述人脸识别监控模块用于识别用户以确定是否开门和监控门外往来人员；所述传输模块用于传送放入的物件；所述控制模块控制人脸识别监控模块和传输模块；所述电源模块给其余的三个模块供电；所述传输模块包括门中门结构，所述门中门结构包括外侧门中门结构和中间传输带结构。
远程智能监控传输防盗门装置

[实用新型]远程智能监控传输防盗门装置-CN201821805665.X有效
发明人：张睿;叶子维;解丹;张砚臣;张必胜;马健喆;张永梅;潘理虎 -专利权人：太原科技大学
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： E06B5/11 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种远程智能监控传输防盗门装置，包括防盗门本体（16），所述防盗门本体（16）的外侧门体上设置有人脸识别监控模块，所述防盗门本体（16）的下部双层门体之间设置有控制模块、传输模块和电源模块；所述人脸识别监控模块用于识别用户以确定是否开门和监控门外往来人员；所述传输模块用于传送放入的物件；所述控制模块控制人脸识别监控模块和传输模块；所述电源模块给其余的三个模块供电；所述传输模块包括门中门结构，所述门中门结构包括外侧门中门结构和中间传输带结构。
远程智能监控传输防盗门装置

[实用新型]一种抗爆传输窗结构-CN202120391492.7有效
发明人：张梅;杜海川;董雪莲;陈志中;张瑞金;逯茜 -专利权人：航天建筑设计研究院有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： F42B4/30 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种抗爆传输窗结构，其包括用于隔离两个工坊的墙体；墙体内嵌装有由金属板合围而成的窗口式的传输通道，用于两个工坊间物料的输送，传输通道上设置有抗爆门；所述抗爆门包括设置在所述传输通道两端的第一抗爆门和第二抗爆门本实用新型结构简单，窗口式的传输通道开口较小，在满足物料传输的情况下，相对于门式的物流通道，更加安全可靠，万一某个工坊发生爆炸，对相邻的工坊冲击较小。另外，物料传输时，传输通道上两侧的第一抗爆门和第二抗爆门不同时开启，即至少保留一个抗爆门闭合，从而进一步地保证了生产安全。
一种传输结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图-CN202110774621.5在审
发明人：金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图，形成方法包括：提供基底，包括衬底以及凸立于衬底的多个鳍部，鳍部沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，衬底包括多个存储单元区，存储单元区包括传输门晶体管区、下拉晶体管区和上拉晶体管区，在存储单元区中，衬底上形成有伪栅结构，伪栅结构覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁；在上拉晶体管区中，去除与传输门晶体管区相邻的鳍部上的伪栅结构，形成隔断开口，隔断开口露出与传输门晶体管区相邻的鳍部的顶部；在隔断开口中形成隔断结构后续形成栅极结构，传输门晶体管区的栅极结构由传输门晶体管区的鳍部延伸至隔断结构的长度较大，有利于降低形成传输门晶体管区对应的栅极结构的工艺难度。
半导体结构及其形成方法以及掩膜版版图

[发明专利]三维存储器结构与电路-CN202210292380.5在审
发明人：陈重光;洪俊雄 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明公开一种三维存储器结构，包括：存储器阵列，包括第一与第二子阵列，分别具有第一选择线、多条字线与第二选择线；连接结构，包括多个连接区域，其中第一选择线、多条字线与第二选择线的至少其中之一的延伸结构耦接到多个连接区中的相应的连接区域；传输门组，设置在连接结构之下，且在第一与第二子阵列之间，传输门组包括多个传输门，多个传输门分别耦接到相应的多个连接区域；及驱动电路，耦接至传输门组，并且设置在连接结构之下。
三维存储器结构电路

[发明专利]低功耗具有抵抗双节点翻转能力的锁存器结构-CN201811234097.7在审
发明人：高静;张天野;聂凯明;徐江涛;史再峰 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H03K3/037 文献下载
摘要：本发明公开低功耗具有抵抗双节点翻转能力的锁存器结构，包括反相器INV，传输门，存储单元以及与存储单元连接的MCE单元，与MCE单元连接的弱保持器WK；所述传输门包括五个传输门TG1‑5，所述存储单元包括12个PMOS管与12个NMOS管，所述MCE单元包括3个PMOS管与3个NMOS管；所述MCE单元与传输门TG5连接；传输门TG1‑3的输出分别与存储单元的相应节点连接，传输门TG4与Q节点连接。本发明中提出的低功耗具有抵抗双节点翻转能力的锁存器结构的加固结构与传统的加固结构相比，可以抵抗单粒子双翻转，与最新的抗单粒子双翻转锁存器结构相比，同时具有面积小功耗低的特点。
传输门翻转锁存器结构存储单元低功耗双节点抵抗加固结构单元连接抗单粒子相应节点保持器传统的单粒子反相器小功耗输出

[发明专利]一种提升SRAM比特率的方法-CN202310889953.7在审
发明人：王寅 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本发明提供一种提升SRAM比特率的方法，提供半导体结构，半导体结构设有传输门器件区域；传输门器件区域设有硅凸起；硅凸起上设有横跨在硅凸起上的伪栅极；去除伪栅极；在传输门器件区域的硅凸起上形成一层包裹硅凸起的SiGe层；在半导体结构上沉积层间介质层和HK介质层；在半导体结构上形成功函数金属层。本发明在SRAM器件中，在传输门的硅凸起结构上形成SiGe层以包裹，或者在SRAM中的纳米线外包裹一层SiGe层，通过压缩应力减小传输门的迁移率，从而增加比特率和静态噪声边限。
一种提升 sram 比特率方法

[发明专利]用于测量SRAM的传输门器件的阈值电压的方法和电路-CN201410554697.7有效
发明人：张弓;李煜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明提供一种用于测量SRAM的传输门器件的阈值电压的方法和电路。所述方法包括：为SRAM的上拉晶体管的衬底施加第一电压；为下拉晶体管和传输门晶体管的衬底施加第二电压；为传输门晶体管的漏极施加第三电压；将待测传输门晶体管的源极节点预设为低电位，将非待测传输门晶体管的源极节点预设为高电位；为传输门晶体管的栅极施加从零到第四电压进行变化的电压；测量待测传输门晶体管的沟道电流，当沟道电流达到预设电流值时，为传输门晶体管的栅极施加的电压为待测传输门晶体管的阈值电压。本发明所提供的用于测量SRAM的传输门器件的阈值电压的方法可以实现在SRAM标准位元上进行测试，无需专用的测试结构。
用于测量 sram 传输器件阈值电压方法电路

[实用新型]一种浸渍器传输槽门定位检测装置-CN202320325045.0有效
发明人：林龙;陈晓峰;王荥;李学军;李培茂;卓亮;何军;曹杰;郑禄化;刘银垚 -专利权人：四川中烟工业有限责任公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01V9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种浸渍器传输槽门定位检测装置，包括：传输槽门传动轴，传输槽门传动轴与传输槽门的电动机的输出端连接；带座轴承，带座轴承安装在传输槽门传动轴上；定位圆环板，定位圆环板安装在带座轴承上，定位安装板，三个定位安装板以传输槽门传动轴为圆心，分布在定位圆环板上；接近开关，三个接近开关分别对应的设置在定位安装板上；定位螺杆，定位螺杆设置在传输槽门传动轴上，通过定位螺杆分别于三个接近开关的配合确定传输槽门的三种状态位本申请的装置结构简单，使用方便。
一种浸渍传输定位检测装置

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