专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置以及电力变换装置-CN201880035781.4有效
  • 福井裕;菅原胜俊;八田英之;纐缬英典;田中梨菜;宫田祐辅 - 三菱电机株式会社
  • 2018-05-30 - 2023-02-28 - H01L29/78
  • 本发明涉及具有沟槽栅的半导体装置,具备:第1半导体层;第1半导体区域,选择性地设置于第1半导体层的上层部;第2半导体区域,与第1半导体区域相接地设置;第3半导体区域,与第1及第2半导体区域的底面相接地设置;栅沟槽,在厚度方向贯通第1及第3半导体区域而到达第1半导体层内;电场缓和区域,与栅沟槽的底部相接;以及连接层,以与第2方向上的至少一方的沟槽侧壁相接的方式在第1半导体层内隔开间隔而设置有多个,对电场缓和区域和第3半导体区域进行电连接,其中,所述第2方向和与栅沟槽的延伸方向平行的第1方向垂直,连接层沿着第1方向相互隔离地设置有多个。
  • 半导体装置以及电力变换
  • [发明专利]半导体装置和电力变换装置-CN201880027397.X有效
  • 海老原洪平;宫川成人 - 三菱电机株式会社
  • 2018-03-08 - 2022-11-11 - H01L29/872
  • 本发明的目的在于提供一种抑制氧化物的析出来防止树脂层的剥离且可靠性高的半导体装置。本发明的半导体装置(100)具备:第二导电类型的末端阱区域(2),形成于半导体层(1b)的表层;场绝缘膜(3),被设置成延伸到比末端阱区域(2)的外周端更外周侧;树脂层,被设置成至少一部分在比场绝缘膜(3)的外周端靠外周侧的半导体层(1b)的表面上延伸;第二导电类型的浮动阱区域(7),在半导体层(1b)的表层,形成为与末端阱区域(2)分离,与场绝缘膜(3)的外周端相接且延伸到比场绝缘膜(3)的外周端更外周侧,具有浮置电位。
  • 半导体装置电力变换

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