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[发明专利]双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构的制造方法-CN200710138378.8有效
发明人：余振华;卢永诚;郑培仁;周家政;林耕竹;柯忠祁;包天一;郑双铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-08-01 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构及其制造方法。该双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构包括底层介电层和顶层介电层。底层介电层与顶层介电层的原子成分相同，但介电常数值较高，且底层介电层成为顶层介电层的蚀刻停止层，顶层介电层可作为化学机械研磨停止层。双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构的制造方法包括形成具有第一成孔剂含量的底层介电层；形成顶层介电层，其成孔剂含量较上述第一成孔剂含量高；进行固化工艺，以使底层介电层残留的成孔剂含量比顶层介电层少。本发明使得顶部介电层的介电常数较低，同时维持与现有技术较高介电常数的单层介电层同样的薄膜硬度，并可降低工艺成本。
双层多孔性介电层半导体介电层内连线结构制造方法

[发明专利]相变化光盘片-CN200410005932.1无效
发明人：陈宏伦 -专利权人：精碟科技股份有限公司
申请日： 2004-02-24 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明提供一种相变化光盘片，包含一基板、一第一介电层、一第二介电层、一第三介电层、一记录层、一第四介电层、以及一反射层。其中，第一介电层形成于基板上，第二介电层形成于第一介电层上，第二介电层的折射率(n2)大于第一介电层的折射率(n1)，第三介电层形成于第二介电层上，第三介电层的折射率(n3)小于第二介电层的折射率(n2)，记录层形成于第三介电层上，第四介电层形成于记录层上，反射层形成于第四介电层上。
相变盘片

[发明专利]电容器和包括电容器的DRAM器件-CN202211657948.5在审
发明人：赵哲珍;辛瑜暻;郑昌和;金铉埈;林汉镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：电容器包括：下电极；介电层结构，设置在下电极上；以及上电极，设置在介电层结构上。介电层结构包括第一介电层、接触第一介电层的第二介电层、以及接触第二介电层的第三介电层。第一介电层、第二介电层和第三介电层中的每一个包括具有晶体结构的材料。第二介电层包括具有铁电或反铁电特性的氧化物，并且第二介电层包括混合了至少两种不同晶相的材料。
电容器包括 dram 器件

[发明专利]动态随机存取存储器电容器及其制备方法-CN202011349123.8在审
发明人：陈卓;王盈智;王士欣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：其中，DRAM电容器包括介电层，所述介电层包括：高介电材料层；和低介电损耗材料层，设置在所述高介电材料层两侧表面。本发明的DRAM电容器的介电层包括高介电材料层和设置在高介电材料层两侧表面的低介电损耗材料层，高介电材料层可以提高介电层的介电常数，使其具有更好的介电性能；两侧表面设置的低介电损耗材料层可以有效解决高介电材料层的介电损耗，从而实现介电层的高介电常数和低介电损耗的目的。
动态随机存取存储器电容器及其制备方法

[发明专利]半导体装置及集成电路装置-CN200610074383.2无效
发明人：鲁定中;陈学忠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-04-14 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，包括：基底；第一介电层位于上述基底上，其介电常数小于2.7；及第二介电层，位于上述第一介电层上；介层孔，位于上述第一介电层中；导线，填满于上述沟槽开口内，该导线并电性连接上述介层孔；第三介电层，位于上述第二介电层和上述导线之间；以及第四介电层，位于上述第二介电层上。上述第二介电层优选为具有超低介电常数的多孔性介电层材料，上述第二介电层的第二介电常数小于上述第一介电常数、上述第三介电常数、以及上述第四介电常数。本发明可有效的降低介电层的寄生电容值引发的信号延迟，并且可利用超低介电常数及较高介电常数的介电层材料的组合以提升其机械硬度。
半导体装置集成电路

[发明专利]内连接结构-CN202210314558.1在审
发明人：郑凯方;张孝慷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种内连接结构，包括一第一介电层、一第一导电特征部件、一第二介电层、一导电层、一衬层、一第三介电层、一第二导电特征部件以及一第一上盖层。第一导电特征部件设置于第一介电层内。第二介电层形成于第一介电层上，且第二介电层与第一介电层直接接触。导电层设置于第二介电层内。衬层设置于导电层与第二介电层之间。第三介电层形成于第二介电层上第二导电特征部件设置于第三介电层内。第一上盖层设置于第二导电特征部件与第三介电层之间。
连接结构

[发明专利]具有至少3层高－K介电层的模拟电容器和制造它的方法-CN200410082530.1有效
发明人：郑镛国;元皙俊;权大振;金元洪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-09-20 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01G4/00 文献下载
摘要：提供一种具有至少3层高－k介电层的模拟电容器和制造它的方法。该模拟电容器包含下电极、上电极、置于下电极与上电极之间的至少3层高－k介电层。该至少3层高－k介电层包含接触下电极的底介电层、接触上电极的顶介电层和置于底介电层与顶介电层之间的中介电层。而且，各底介电层和顶介电层是，与中介电层相比，VCC的二次系数的绝对值相对低的高－k介电层，中介电层是，与底介电层和顶介电层相比，漏电流相对低的高－k介电层。因此，由于使用至少3层高－k介电层，可以使模拟电容器的VCC特性和漏电流特性最佳。
具有至少层高介电层模拟电容器制造方法

[发明专利]复合材料结构、包括复合材料的电路板结构与其形成方法-CN200910202902.2有效
发明人：余丞博 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2009-05-18 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种复合材料电路板结构，包括一基材、一复合材料介电层以及一图案化导线层。复合材料介电层是位于基材上，并包括一催化介电层及一保护介电层。催化介电层包括一介电材料与一催化颗粒并接触基材，而保护介电层包括此介电材料并接触催化介电层。图案化导线层则位于催化介电层上。
复合材料结构包括电路板与其形成方法

[发明专利]半导体基板及其制法-CN201310751011.9有效
发明人：张维哲 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种半导体基板及其制法，该制法包括：于一基板本体上形成第一介电层；形成多个贯穿该第一介电层且外露该基板本体的第一介电层盲孔；于该第一介电层上与外露的该基板本体上形成第二介电层，且该第二介电层还延伸至该第一介电层盲孔的孔壁上；蚀刻该第二介电层，以于该第二介电层中形成多个连通该第一介电层盲孔的介电层凹槽，并于各该第一介电层盲孔中的第二介电层中形成外露该基板本体的第二介电层盲孔，且该第一介电层盲孔的孔壁上保留有该第二介电层；以及于各该第二介电层盲孔中形成电性连接该基板本体的导电盲孔，并于该介电层凹槽中形成电性连接该导电盲孔的线路层。
介电层盲孔基板本体外露制法半导体基板导电盲孔电性连接孔壁蚀刻线路层连通保留贯穿延伸

[实用新型]集成芯片-CN202320998641.5有效
发明人：刘建宏;黄国钦;庄学理;吴伟成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本实用新型与集成芯片相关，集成芯片包括覆盖衬底的第一介电层和在第一介电层内的第一导电互连线。接合层在第一介电层上方。接合层包括接合介电层和在接合介电层中的接合互连线。第一带电介电层在沿第一介电层的底部。第二带电的介电层在沿第一介电层的顶部。第一带电介电层和第二带电介电层具有相同的极性。
集成芯片

[实用新型]介电薄膜及介电层结构-CN201721271650.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型提供一种介电薄膜及介电层结构，所述介电薄膜包括：基面，其形成有若干羟基(OH键)；以及二元或多元介电薄膜在一原子层沉积层中，包括由第一前驱体与所述基面上所述羟基(OH键)的第一部分化学吸附并反应形成的诱电介电材料，以及由第二前驱体与所述基面上所述羟基(OH键)的第二部分化学吸附并反应形成的抗漏电流介电材料。本实用新型的流程方式既能减缓电容值降低的现象，也能大幅提升低漏电的特性，从而优化介电层结构的电容特性。
薄膜介电层结构

[发明专利]一种再布线金属层及其制作方法-CN201310592775.8无效
发明人：徐虹;张黎;陈栋;陈锦辉;赖志明 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明涉及一种再布线金属层及其制作方法，属于半导体封装技术领域。其包括若干层介电层和设置于介电层内的金属层，每一所述介电层开设贯穿该介电层的线槽，所述线槽包括介电层横向线槽和介电层纵向线槽，所述介电层横向线槽和介电层纵向线槽呈上下分布，所述介电层横向线槽的深度小于介电层的厚度，所述介电层横向线槽的尺寸不小于介电层纵向线槽的尺寸，所述线槽内设置所述金属层，每一所述金属层与设置该金属层的介电层形成于同一层；上述再布线金属层的介电层的线槽利用激光刻蚀技术在介电层上形成。本发明采用先进工艺、减少介电层的层数、再布线金属层结构简洁、有利于芯片布线高密度化进一步发展。
一种布线金属及其制作方法

[发明专利]磁介电基板、电路材料和具有其的组件-CN201580052765.2在审
发明人：克里斯季·潘采;卡尔·什普伦托尔;穆拉利·塞瑟马达范 -专利权人：罗杰斯公司
申请日： 2015-10-01 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：磁介电基板包括第一介电层；与第一介电层间隔开的第二介电层；以及布置在第一介电层和第二介电层之间并与第一介电层和第二介电层密切接触的至少一个磁性增强层。
磁介电基板电路材料具有组件

[发明专利]触控面板以及显示装置-CN202010267378.3在审
发明人：符民;刘永锋 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本申请提供了触控面板和显示装置，该触控面板和显示装置包括第一电极层和介电层，介电层设于第一电极层上，介电层包括第一介电层和第二介电层，第二介电层设于所述第一介电层远离所述第一电极层的一侧，所述第二介电层的表面粗糙度大于所述第一介电层的表面粗糙度；该方案可以在介电层上形成第二电极层时，避免第二电极层从介电层上脱落，提高了第二电极层与介电层之间的粘附力。
面板以及显示装置

[发明专利]包括介电层的半导体装置及其形成方法-CN202310107180.2在审
发明人：金恩善;朴报恩;安哲现;金亨俊;朴影根;庞桢一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：在第一电极上形成包括第一介电层和第二介电层的介电层。在介电层上形成第二电极。形成介电层的步骤包括：在第一电极上形成具有单晶钙钛矿结构的第一介电层；以及在第一介电层上形成第二介电层。第一介电层的与第二介电层相邻的上表面具有比第二介电层的上表面大的表面粗糙度。第一介电层的上表面与第二介电层相邻设置，并且第二介电层的上表面与第二电极相邻设置。
包括介电层半导体装置及其形成方法

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