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[发明专利]一种缝洞型油藏干扰试井的能量分析方法-CN201910035588.7有效
发明人：陈伟;刘青山;方全堂;徐燕东;宋海;皱宁;王勤聪 -专利权人：西南石油大学;中国石油化工股份有限公司西北油田分公司石油工程技术研究院
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06F17/11 文献下载
摘要：本发明提出了一种缝洞型油藏干扰试井的能量分析方法，缝洞型油藏的产能高、生产压差小，为了产生充分激动信号并获得显著的压力响应，在进行干扰测试时观察井保持关井状态，激动井先关井再进行注入或采出，通过观察井的井底压力变化，判断出井间的连通性；定义干扰强度指标，通过干扰压差或压力斜率分析，计算井间干扰强度及相对干扰强度，定量化评价井间连通性的强弱。
一种缝洞型油藏干扰能量分析方法

[实用新型]一种中深层地热能U型换热结构-CN201721163314.9有效
发明人：高海仁;马庆阳 -专利权人：陕西延长石油国际勘探开发工程有限公司
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： F24T10/15 文献下载
摘要：本实用新型涉及地热能开发利用领域，并提供一种中深层地热能U型换热结构，流体工质流注入所述U型换热结构内，并与地层进行热量交换获取热量，包括首尾依次连接并连通的第一直井段、连接井段和第二直井段并形成U型结构，所述第一直井段和所述第二直井段均竖直设置并分别位于所述连接井段的两侧；所述连接井段与所述第二直井段水平对接；所述第一直井段和所述第二直井段的上端分别具有敞开口。
一种深层地热能型换热结构

[发明专利]一种浅层稠油油藏采油方法及采油系统-CN201110147575.2无效
发明人：刘德铸;安九泉;陈延;孙振宇;彭松良;周立国;赵吉成 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2011-06-02 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： E21B43/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅层稠油油藏采油方法，所述采油方法包括：设置水平井和直井，所述水平井的水平段与所述直井在同一油藏层位相连通，形成U型井；在水平井内下入注汽管进行注汽，在注汽过程中，所述直井处于关闭状态；注汽完毕后，进行在水平井内进行焖井，然后放喷；在放喷完成后，在所述直井内下入举升管柱进行抽油生产。本发明还提供了一种浅层稠油油藏采油系统，至少包括水平井和直井，所述水平井的水平段与所述直井在同一油藏层位相连通，所述水平井与所述直井相连通形成U型井。在所述水平井内设有注汽管，在所述直井内设有举升管柱。本发明具有避免举升管柱管杆偏磨，提高泵效，并且减少闪蒸现象的优点。
一种浅层稠油油采油方法系统

[发明专利]深沟渠式电容以及单晶体管静态随机存取内存单元的结构-CN200410007974.9有效
发明人：郑钧文 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2004-03-23 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种深沟渠电容内存单元结构，包含第一导电型半导体基底，具有主表面；第二导电型离子注入井，具有井接面深度，设于半导体基底的主表面上；栅极介电层，设于离子注入井上；栅极，设于栅极介电层上；第一导电型重掺杂区，设于栅极一侧的离子注入井中；第一导电型轻掺杂区，设于栅极与该第一导电型重掺杂区相反的另一侧的离子注入井中；深沟渠电容，垂直主表面形成于该半导体基底内并向下深入超过离子注入井的井接面深度至预定深度，该深沟渠电容包含离子外扩散井，形成于沟渠电容下部，并与离子注入井贯通连结，该深沟渠电容包含有多晶硅电极，由电容介电层及沟渠上端绝缘层与该第一导电型轻掺杂区、该离子注入井及该外扩散井电性隔绝。
深沟电容以及晶体管静态随机存取内存单元结构

[实用新型]一种人防工程风井结构-CN202321059797.3有效
发明人：魏婕;陈烽;周树锋;董飞;徐敏 -专利权人：中鑫建设集团有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： E04F17/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及风井结构技术领域，尤其涉及一种人防工程风井结构。所述人防工程风井结构包括通风竖井，所述通风竖井的一侧内壁设置有井梯组件，且所述井梯组件包括U型扶手杆，U型扶手杆设置有两根并对称嵌合在通风竖井的内壁上，U型扶手杆的外杆壁上开设有T型滑动槽；通风竖井靠近井梯组件顶部的内壁上开设有安装腔，安装腔内安装有转动连接的轴杆，轴杆上缠绕有拉伸布，拉伸布的内布面与两侧U型扶手杆相对应的位置上固定嵌合有若干颗均匀分布的T型滑块。本实用新型提供的人防工程风井结构设置的拉伸布可以避免井梯组件因为长期受到受到通风竖井内气流或湿气的的侵蚀，降低了井梯组件出现锈化的速率，延长了井梯组件的使用寿命。
一种人防工程结构

[发明专利]改善静电放电防护能力的瞬时电压抑制装置-CN201810897899.X有效
发明人：陈致维;沈佑书;林昆贤 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善静电放电防护能力的瞬时电压抑制装置，包含属于第一导电型的一半导体基板、属于第二导电型的一第一掺杂井区、属于第一导电型的一第一重掺杂区、属于第二导电型的一第二掺杂井区、属于第一导电型的一第二重掺杂区与一第一电流阻挡结构第一掺杂井区设于半导体基板中，第一重掺杂区设于第一掺杂井区中，第二掺杂井区设于半导体基板中，第二重掺杂区设于第二掺杂井区中。第一电流阻挡结构设于半导体基板中，并与半导体基板的底部相隔，且设于第一掺杂井区与第二掺杂井区之间。
改善静电放电防护能力瞬时电压抑制装置

[发明专利]高压金属氧化物半导体元件及其制造方法-CN200510118496.3有效
发明人：李治华;陈铭逸 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-10-27 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种高压金属氧化物半导体元件，包括衬底、N型外延层、隔离结构、栅介电层、栅极、N型漏极区、P型井区、N型源极区、第一N型井区及埋入式N型掺杂区。第一N型井区设置于隔离结构下方及栅极一侧的N型外延层中，且第一N型井区与N型漏极区有重叠区域。埋入式N型掺杂区设置于N型外延层下方的衬底中且与第一N型井区相连接。
高压金属氧化物半导体元件及其制造方法

[实用新型]高压金属氧化物半导体元件-CN200520129342.X无效
发明人：李治华;陈铭逸 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-10-27 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种高压金属氧化物半导体元件，包括衬底、N型外延层、隔离结构、栅介电层、栅极、N型漏极区、P型井区、N型源极区、第一N型井区及埋入式N型掺杂区。第一N型井区设置于隔离结构下方及栅极一侧的N型外延层中，且第一N型井区与N型漏极区有重叠区域。埋入式N型掺杂区设置于N型外延层下方的衬底中且与第一N型井区相连接。
高压金属氧化物半导体元件

[发明专利]一种中深层U型井式换热器性能测试装置及方法-CN201811039747.2有效
发明人：高海仁;李力;刘建宏;杨瑞涛;卢雄;龙安杰;熊文学;杨超辉;侯学明;马庆阳;李建明;申超;林明 -专利权人：陕西延长石油国际勘探开发工程有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G01M99/00 文献下载
摘要：本发明一种中深层U型井式换热器性能测试装置及方法，该装置包括分布式金属铠装光缆测温设备、光纤测温数据采集器、水泵、Y型过滤器、热量表、缓冲水箱、加药装置及两个冷热水机组等；测试时，还包括两个中深层U型井式换热器套管，第一中深层U型井式换热器套管为左边的直井段，第二中深层U型井式换热器套管为右边的直井段加底部的水平段，两边中深层U型井式换热器套管处于密闭连通状态，连接处外侧用固井水泥封闭；本发明针对中深层U型井式换热器性能测试，通过设计不同工况下，不同流率、不同的入口水温、不同的取热量以及不一样的运行时间，在尽可能短的时间内对上述的中深层U型井式换热器性能做出准确评价，以便对区域布局提供参考。
一种深层型井式换热器性能测试装置方法

[发明专利]一种利用地压型地热能开采海底水合物的井组结构和方法-CN201710573434.4在审
发明人：侯健;陆努;刘永革;王文斌;王元银;马鹏飞;韦贝 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： E21B43/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用地压型地热能开采海底水合物的井组结构和方法。所述井组结构由一口生产井和一口采热井组成。所述生产井为水平井，水平井段位于水合物层。所述采热井有两个水平分支井，分别位于水合物层和含有高温高压地层水的地压型地热层。所述采热井在水合物层内的水平分支跟端上部设有封隔器。所述生产井水平井段与采热井在水合物层内的水平分支互相平行且位于上部。利用本发明所述的井组结构，通过采热井使深部高温地层水上返进入水合物层，引起水合物受热分解并向上运移至水平生产井内，在节省水资源的同时解决了直接从地面注水所导致热流体在长管线中的大量热损失。本发明利用深部地压型地热能开采水合物藏，其设备简单，操作方便，开采成本低。
一种利用地压地热能开采海底水合物结构方法

[发明专利]一种大倾角砂岩型铀矿体地浸开采方法-CN202110964181.X在审
发明人：张万亮;闫纪帆;任锦荣;张勇;汤庆四;原渊;阮志龙;董惠琦 -专利权人：中核通辽铀业有限责任公司
申请日： 2021-08-21 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： E21C41/22 文献下载
摘要：一种适合大倾角砂岩型铀矿体地浸开采方法，步骤1：将浸出剂注入地下；步骤2：设计适合大倾角矿体地浸开采井型；在规则几何形状的的正方形基础上，布置注液井A1，中间布置抽液井3；沿矿体走向方向增加注液井B2；步骤3：将单井过滤器安装至注液井1及抽液井3中；步骤4：保持注液井2的最大注液量；步骤5：控制步骤1中的浸出剂加注参数。
一种倾角砂岩铀矿开采方法

[发明专利]静电放电保护装置-CN201110384007.4有效
发明人：陈科远;林志峰 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电放电保护装置，包括浮接的P型半导体基板；第一通用N型井区形成于该P型半导体基板中；第一通用N型掺杂区形成于第一通用N型井区中；第一通用P型掺杂区形成于第一通用N型井区中；第二通用N型井区形成于P型半导体基板中；第二通用N型掺杂区形成于第二通用N型井区中并连接参考电位节点；第二通用P型掺杂区形成于第二通用N型井区中；第三通用P型掺杂区形成于第一与第二通用N型井区之间，并连接第一通用N型掺杂区与第二通用P型掺杂区；以及多个周边N型井区形成于P型半导体基板中，这些周边N型井区中具有P型及N型掺杂区，其中N型掺杂区电性连接第一通用P型掺杂区。
静电放电保护装置

[发明专利]半导体结构与具有该半导体结构的半导体组件-CN201310403656.3有效
发明人：黄宗义 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：该半导体结构包含一基板；一第一井区，具有第一导电型，设置于该基板上；以及多个缓和区，设置于该第一井区中，从横向上靠近该第一井区的一边界，且该缓和区由剖视图视之，从纵向上贯通该第一井区；其中，该第一井区与一第二井区在该横向上，相邻于该边界，该第二井区具有与该第一导电型相反的第二导电型；其中，该缓和区的导电型为第一导电型或相反导电型态的第二导电型。
半导体结构具有组件

[实用新型]一种Y型煤矿井下瓦斯治理新水平井-CN202020989921.6有效
发明人：李忠君;刘明军;张光敏;陈友亮;赵中华;李明亮;任伟 -专利权人：天津森特聚尔新能源技术有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： E21B43/30 文献下载
摘要：本实用新型属于煤矿瓦斯治理技术领域，尤其涉及一种Y型煤矿井下瓦斯治理新水平井。该Y型煤矿井下瓦斯治理新水平井包括地面多分支水平井、煤矿井下平行井和煤矿井下瓦斯排放系统，所述地面多分支水平井通过连通点连接煤矿井下平行井，所述煤矿井下平行井井口连接煤矿井下瓦斯排放系统。本实用新型提供一种成孔稳定性较高、施工范围较大、安全系数较高且建造成本较低的Y型煤矿井下瓦斯治理新水平井。
一种煤矿井下瓦斯治理新水平

[实用新型]井网井型组合分布结构-CN201720262802.9有效
发明人：于晓聪;孟菊;曹雨晨;王博;张楠;王维;冯春亮;刘秀吉;方新强;田璐;柴伟栋;陈振岩;张译丹;刘爽;周明强;刘满军;闫峰 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： E21B43/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种井网井型组合分布结构，包括位于中心的注入井和均匀分布在所述注入井四周的多个生产井，其中，所述注入井包括位于所述中心并沿着纵向延伸的注入直井以及与所述注入直井相连通且沿着与所述纵向呈预定角度的方向延伸的分支水平井；所述注入直井内设置有第一注入管柱，所述第一注入管柱上设置有连通机构；所述分支水平井内设置有第二注入管柱，所述第一注入管柱和第二注入管柱通过所述连通机构相连通；所述分支水平井位于目标油藏油层的上部，所述注入直井设置有射孔层段本实用新型提供的井网井型组合分布结构，能经济有效地开采深度普通稠油。
井网井型组合分布结构

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