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[发明专利]一种有机改性二硫化钼纳米片层及其制备方法-CN201310187544.9有效
发明人：胡源;周克清;桂宙 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C08K9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机改性二硫化钼纳米片层的制备方法，其包括如下步骤：通过溶剂热法用插层剂对层状二硫化钼进行插层处理后离心、洗涤并干燥，得到插层二硫化钼；将插层二硫化钼水解，得到二硫化钼悬浮液；将有机改性剂加入二硫化钼悬浮液中，在25～90℃下反应3～10h，将得到的产物离心、洗涤并干燥，即获得有机改性二硫化钼纳米片层。本发明提供的有机改性二硫化钼纳米片层制备方法简单，成本低，制得的有机改性二硫化钼纳米片层的层间距大，能较好的分散在有机溶剂中且不易团聚，具有广阔的应用前景。
一种有机改性二硫化钼纳米及其制备方法

[发明专利]一种糖类有机碳还原制备类石墨烯二硫化钼的方法-CN201610964522.2有效
发明人：胡平;王快社;陈震宇;常恬;周宇航;杨帆;胡卜亮;李秦伟;邓洁;刘晓平 -专利权人：西安建筑科技大学
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种糖类有机碳还原制备类石墨烯二硫化钼的方法，将二硫化钼粉末加入到插层溶液中进行插层反应，反应完成后过滤、烘干，得到插层二硫化钼粉末；将步骤一制得的插层二硫化钼粉末与糖类有机碳和水混合并搅拌均匀，干燥、研磨，得到前驱体粉末；前驱体粉末在保护气体下进行还原反应，反应完全后冷却，取出反应产物，研磨后即得到类石墨烯二硫化钼。本发明利用糖类有机碳源与二硫化钼混合形成前驱体，使得有机碳源插入二硫化钼粉末层间增大其层间距离，减弱二硫化钼层间范德华力作用，结合糖类有机碳源加热碳化促使实现二硫化钼的还原与剥离。
一种糖类有机还原制备石墨二硫化钼方法

[发明专利]一种二硫化钼/半导体异质结光电探测器及其制造方法-CN201510886867.6在审
发明人：徐志娟;林时胜;李晓强 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/半导体异质结光电探测器该二硫化钼/半导体异质结光电探测器自下而上依次有背电极层、半导体衬底层、二硫化钼层,在二硫化钼层上设有彼此分隔的两块表面电极，在两块表面电极之间的二硫化钼层上还具有量子点层其制造步骤包括：先在半导体衬底背面制作背面电极层，然后将二硫化钼转移至半导体衬底层上，之后在二硫化钼层上制作表面电极，并在二硫化钼层上制作量子点层。本发明的二硫化钼/半导体异质结光电探测器通过增设量子点层辅助增强器件的光吸收，获得的光电探测器光响应灵敏，探测能力高，能够自驱动，应用领域广泛。
一种二硫化钼半导体异质结光电探测器及其制造方法

[发明专利]一种硫化二硫化钼/铜复合薄膜、其制备方法及应用-CN202210197272.X在审
发明人：蒲吉斌;范昕;王海新;史彦斌;杨敏 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫化二硫化钼/铜复合薄膜、其制备方法及应用。所述制备方法包括：采用磁控溅射技术，在基体表面依次沉积钛过渡层、钛/铜/二硫化钼梯度过渡层和二硫化钼/铜掺杂层，获得二硫化钼/铜复合薄膜，之后进行硫化处理，制得硫化二硫化钼/铜复合薄膜。本发明提供的硫化二硫化钼/铜复合薄膜利用二硫化钼薄膜低摩擦特性的同时，采用二硫化钼和铜共溅射形成有效掺杂，提高了薄膜的摩擦学性能，并且二硫化钼和硫化铜的低摩擦磨损具有协同作用，有利于提高硫化二硫化钼/铜复合薄膜的耐磨性
一种硫化二硫化钼复合薄膜制备方法应用

[发明专利]有源层结构、阵列基板及其制备方法-CN202210359566.8在审
发明人：彭诗元 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请公开了一种有源层结构、阵列基板及其制备方法。所述有源层结构包括二硫化钼层以及所述二硫化钼层表面的修饰层；所述修饰层的材料包括含二硫键聚合物。本申请的有源层结构，通过在二硫化钼的表面连接修饰层，可以有效减少二硫化钼表面的硫残基，进而减少二硫化钼的电荷不良的问题；同时，修饰层可以提高二硫化钼有源层与其他层之间的接着力。
有源结构阵列及其制备方法

[发明专利]一种聚乳酸改性二硫化钼纳米片层的制备方法-CN201510028312.8有效
发明人：陈鹏鹏;聂王焰;周艺峰;梁霄 -专利权人：安徽大学
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： C09C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚乳酸改性二硫化钼纳米片层的制备方法，首先通过锂插入剥离法制备单片层状二硫化钼，然后对单片层二硫化钼进行官能团修饰，最后将丙交酯与修饰了官能团的单片层二硫化钼进行原位聚合反应得到聚乳酸接枝二硫化钼复合材料本发明方法制得的聚乳酸接枝二硫化钼纳米片层改善了二硫化钼在聚合物中的分散情况，提高了二硫化钼的生物相容性以及其与聚合物的相容性。
一种乳酸改性二硫化钼纳米制备方法

[实用新型]二硫化钼条带结构可调太赫兹波功分器-CN201620682542.6有效
发明人：吴爽 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种二硫化钼条带结构可调太赫兹波功分器。它包括第一二硫化钼条带、第二二硫化钼条带、第三二硫化钼条带、第四二硫化钼条带、第五二硫化钼条带、二氧化硅层、基底层、信号输入端、第一信号输出端、第二信号输出端；基底层的上层为二氧化硅层，二氧化硅层上铺有第一二硫化钼条带、第二二硫化钼条带、第三二硫化钼条带、第四二硫化钼条带、第五二硫化钼条带；通过调节施加在第二二硫化钼条带与基底层、第三二硫化钼条带与基底层的偏置直流电源电压，调节二硫化钼片的有效介电常数，实现太赫兹信号可调功分
二硫化钼条带结构可调赫兹波功分器

[发明专利]一种蛋白类物质还原制备类石墨烯二硫化钼的方法-CN201610964523.7有效
发明人：胡平;王快社;陈震宇;周宇航;常恬;杨帆;胡卜亮;李秦伟;邓洁;刘晓平 -专利权人：西安建筑科技大学
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种蛋白类物质还原制备类石墨烯二硫化钼的方法，将二硫化钼粉末加入到插层溶液中进行插层反应，反应完成后过滤、烘干，得到插层二硫化钼粉末；将步骤一制得的插层二硫化钼粉末与蛋白类物质和水混合并搅拌均匀，干燥、研磨，得到前驱体粉末；前驱体粉末在保护气体下进行还原反应，反应完全后冷却，取出反应产物，研磨后即得到类石墨烯二硫化钼。本发明利用蛋白类有机碳源与二硫化钼混合形成前驱体，使得有机碳源插入二硫化钼粉末层间增大其层间距离，减弱二硫化钼层间范德华力作用，结合蛋白类有机碳源加热碳化促使实现二硫化钼的还原与剥离。
一种蛋白物质还原制备石墨二硫化钼方法

[发明专利]二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜及其制备方法与应用-CN202010057982.3在审
发明人：蒲吉斌;曾春;王海新;王立平;薛群基 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜及其制备方法与应用。所述二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜包括在其厚度方向上依次层叠的钛过渡层、钛/钽/二硫化钼/二硫化钨多层梯度过渡层和二硫化钼/二硫化钨多层钽掺杂层。所述制备方法包括：采用磁控溅射技术，在基体表面依次沉积钛过渡层、钛/钽/二硫化钼/二硫化钨多层梯度过渡层和二硫化钼/二硫化钨多层钽掺杂层，获得二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜。本发明的二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜具有良好的基底结合强度、硬度及弹性模量，在大气环境不同温度下均具有良好的摩擦磨损性能、良好温度自适应性能、耐湿热、耐高温氧化性能，能满足航空航天飞行器润滑稳定及长寿命服役要求
二硫化钼硫化多层薄膜及其制备方法应用

[发明专利]二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜及其制备方法与应用-CN202010716602.2有效
发明人：蒲吉斌;曾春;王海新;王立平;薛群基 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜及其制备方法与应用。所述二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜包括在其厚度方向上依次层叠的钛过渡层、钛/钽/二硫化钼/二硫化钨多层梯度过渡层和二硫化钼/二硫化钨多层钽掺杂层。所述制备方法包括：采用磁控溅射技术，在基体表面依次沉积钛过渡层、钛/钽/二硫化钼/二硫化钨多层梯度过渡层和二硫化钼/二硫化钨多层钽掺杂层，获得二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜。本发明的二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜具有良好的基底结合强度、硬度及弹性模量，在大气环境不同温度下均具有良好的摩擦磨损性能、良好温度自适应性能、耐湿热、耐高温氧化性能，能满足航空航天飞行器润滑稳定及长寿命服役要求
二硫化钼硫化多层薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种二硫化钼半导体薄膜材料的制备方法-CN201710082163.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州思创源博电子科技有限公司
申请日： 2017-02-15 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼半导体薄膜材料的制备方法，该制备方法采用在上下两层二硫化钼膜层之间插入一层铜金属层，利用所插入的铜金属薄层中的自由电子对对上下两层二硫化钼膜层的电子注入效应，提高薄膜材料中的电子载流子浓度和电子迁移率，达到显著降低二硫化钼薄膜材料的电阻率值，显著提高了二硫化钼薄膜材料的导电性能，并且所形成的二硫化钼/铜/二硫化钼薄膜的结构稳定，性能可重复性强。
一种二硫化钼半导体薄膜材料制备方法

[发明专利]一种原子层数可控的二硫化钼薄膜及其制备方法-CN202111028757.8在审
发明人：胡忠强;赵亚楠;朱媛媛;刘明;胡天存;王新波;张毅;崔万照 -专利权人：西安交通大学;西安空间无线电技术研究所
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种原子层数可控的二硫化钼薄膜及其制备方法，包括基片和抑制二次电子发射层；抑制二次电子发射层设置在基片上；抑制二次电子发射层包括若干层单原子二硫化钼层，若干层单原子二硫化钼层叠加设置。利用磁控溅射技术生长厚度可控的二硫化钼薄膜，首次实现了使用磁控溅射技术生长单层及多层的层数可通过溅射时间控制的二硫化钼薄膜，二硫化钼薄膜相对于同样是二维材料的石墨烯，通过层数调节的费米能级，且对于石墨烯的零带隙，二硫化钼薄膜具有带隙，其中二硫化钼具有直接带隙，介于二硫化钼的优点，以及其本身较低的二次电子发射系数，首次将磁控溅射制备的二硫化钼薄膜应用于对二次电子发射的抑制中，有效的降低了器件的二次电子发射系数。
一种原子层数可控二硫化钼薄膜及其制备方法

[发明专利]一种层状二硫化钼纳米材料的制备方法-CN201410765201.0无效
发明人：陈远富;郑斌杰;刘兴钊;李萍剑;戚飞;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-02 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明提供一种层状二硫化钼纳米材料的制备方法，包括如下步骤：将二硫化钼块体加至容器中，加入剥离溶剂，配成二硫化钼分散液；用高剪切乳化机对所述二硫化钼分散液进行液力剪切处理；将经过液力剪切后的二硫化钼分散液进行离心，取离心后的上层悬浮液过滤，真空干燥得到层状二硫化钼纳米薄片；本发明使二硫化钼块体在定、转子狭窄的间隙中受到强烈的综合作用，从而使二硫化钼层与层之间产生晶面水平错位和滑移运动，进而将二硫化钼剥离，最终得到稳定的单层或少数层的二硫化钼薄片；本发明为纯物理方法、工艺简单、成本低、危险性小、剥离率高且绿色环保，所制备的层状二硫化钼纳米薄片的物理性能保持良好，中试放大后适合大规模工业化生产。
一种层状二硫化钼纳米材料制备方法

[实用新型]基于二硫化钼薄膜结构太赫兹波开关-CN201621214564.6有效
发明人：王昊卿 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于二硫化钼薄膜结构太赫兹波开关。它包括开口环形二硫化钼薄膜、左侧矩形二硫化钼薄膜、右侧矩形二硫化钼薄膜、二氧化硅层、基底层、信号输入端、信号输出端；基底层的上层为二氧化硅层，二氧化硅层上铺有开口环形二硫化钼薄膜、左侧矩形二硫化钼薄膜和右侧矩形二硫化钼薄膜；通过调节施加在开口环形二硫化钼薄膜与基底层之间的偏置直流电压，调节开口环形二硫化钼薄膜的有效介电常数，实现太赫兹信号的通断。
基于二硫化钼薄膜结构赫兹开关

[发明专利]一种硫醇修饰二硫化钼复合材料及其制备方法-CN201910311112.1在审
发明人：尚岩;沈沉 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：一种硫醇修饰二硫化钼复合材料及其制备方法，它涉及一种硫醇修饰二硫化钼复合材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有二硫化钼表面没有官能团，导致不易于被加工应用的问题。一种硫醇修饰二硫化钼复合材料，其特征在于表面含烷基二硫化钼由无机溶剂、锂插层二硫化钼和硫醇制备而成；制备方法：一、制备得到硫醇/水分散液；二、向锂插层二硫化钼滴加硫醇/水分散液，得到反应产物；三、对反应产物进行分离处理，即得硫醇修饰二硫化钼复合材料。本发明优点：对二硫化钼进行修饰，大量引入烷基，增加二硫化钼的活性点，提高其电导性能。本发明主要用于制备硫醇修饰二硫化钼复合材料。
二硫化钼硫醇修饰制备复合材料烷基水分散液锂插层分离处理加工应用无机溶剂活性点滴加电导引入

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