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[发明专利]一种可调变光学衰减器及其制作方法-CN201110352761.X无效
发明人：宋齐望;孙麦可 -专利权人：孙其琴
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明为一种可调变光学衰减器及其制作方法，属于光学通信领域，其包括二氧化硅衬底及设于其上的外部二氧化硅上包层，外部二氧化硅上包层内部设有凹槽，外部二氧化硅上包层与凹槽之间设有侧沟槽，侧沟槽内充满热光材料，外部二氧化硅上包层、侧沟槽、凹槽的上部覆有封帽，凹槽底部设有波导芯，波导芯上部设有内部二氧化硅上包层，所述封帽内部与内部二氧化硅上包层相接处设有金属电极。通过在二氧化硅衬底上直接生长出波导芯，不仅减去了二氧化硅下包层的生长时间，缩短了产品的生长周期，而且降低了产品成本；另外，由于衬底和下包层为同种材料，消除了衬底对器件的应力影响，有效地降低了器件的偏振相关损耗
一种可调光学衰减器及其制作方法

[发明专利]一种有机无机混合集成的聚合物可变光衰减器及其制备方法-CN202110526977.7有效
发明人：尹悦鑫;张大明;姚梦可;丁颖智;曹悦;陈长鸣 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：由硅衬底，在衬底上制备的二氧化硅下包层，在二氧化硅下包层上沿光的传播方向制备的二氧化硅输入波导单元、聚合物芯层波导单元和二氧化硅输出波导单元，位于二氧化硅下包层之上且包覆二氧化硅输入波导单元和二氧化硅输出波导单元的二氧化硅上包层，位于二氧化硅上包层和聚合物芯层波导单元之上的聚合物包层，位于聚合物包层之上的金属调制电极组成。
一种有机无机混合集成聚合物可变衰减器及其制备方法

[发明专利]硅波导与氧化硅波导模式转换器的制备方法-CN202010243301.2有效
发明人：孙德贵;于汀 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：硅波导与氧化硅波导模式转换器及其制备方法涉及光通信和光传感技术领域，该转换器包括：硅基底、二氧化硅底包层、单模硅波导芯、楔形波导芯、单模二氧化硅波导芯和二氧化硅上包层；二氧化硅底包层设置在硅基底上，在二氧化硅底包层上从一端到另一端依次设置单模硅波导芯、楔形波导芯和单模二氧化硅波导芯；单模硅波导芯、楔形波导芯和单模二氧化硅波导芯为一体化结构，单模二氧化硅波导芯为条型结构；楔形波导芯靠近单模硅波导芯的部分为硅波导芯，靠近单模二氧化硅波导芯的部分为二氧化硅波导芯通过此方法使其达到从单模到单模的转化效果，即实现了硅单模波导与氧化硅单模波导之间的波导内模式转化，最终满足波导与光纤之间的能量转化效率。
波导氧化模式转换器制备方法

[发明专利]一种有机无机混合集成的聚合物温度传感器及其制备方法-CN202110842630.3有效
发明人：姚梦可;尹悦鑫;李悦;丁颖智;许馨如;曹至庚;张大明 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01D5/353 文献下载
摘要：由硅衬底、在硅衬底上制备的二氧化硅下包层、在二氧化硅下包层上制备的掺锗的二氧化硅芯层波导、在二氧化硅下包层上制备的掺硼和磷的二氧化硅上包层、在掺硼和磷的二氧化硅上包层上制备的聚合物芯层波导、在掺硼和磷的二氧化硅上包层上及聚合物芯层波导上制备的聚合物包层组成当温度发生变化时，二氧化硅的热光系数为正，聚合物的热光系数为负，二氧化硅芯层的折射率会增大，聚合物芯层的折射率会减小，折射率的改变会使得原本的相位差进一步发生变化，使得谐振峰的位置发生变化。
一种有机无机混合集成聚合物温度传感器及其制备方法

[发明专利]基于硼锗共掺上包层的二氧化硅光波导器件及制备方法-CN201010195943.6有效
发明人：何建军;林旭峰 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-06-08 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硼锗共掺上包层的二氧化硅光波导器件及制备方法。在基底上沉积二氧化硅下包层，在下包层上表面沉积掺杂锗的二氧化硅薄膜后，通过光刻、刻蚀工艺形成截面为方形的波导芯层；在二氧化硅下包层与波导芯层上面沉积一层掺有硼和锗两种元素的二氧化硅上包层，上包层和芯层波导结构之间不存在空隙在硼锗共掺的二氧化硅上包层沉积后进行高温热退火工艺，低熔点的上包层薄膜会回流进入相邻波导芯层中的间隙，这样就能在后续沉积膜层中减少遮蔽效应的作用，实现波导间空隙的完全填充，降低器件损耗。本发明的基于硼锗共掺上包层的二氧化硅波导器件结构，可广泛应用于分路器、耦合器和阵列波导光栅等高纵横比波导结构的器件。
基于硼锗共掺上包层二氧化硅波导器件制备方法

[发明专利]一种基于梯度折射率倒脊形波导的边缘耦合器-CN202211238246.3在审
发明人：岳建波;王曼卓;刘庭瑜;刘崧岳;孙小强;吴远大;张大明 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种基于梯度折射率倒脊形波导的边缘耦合器，属于二氧化硅波导集成光学技术领域。从下至上依次由衬底、低折射率二氧化硅下包层、低折射率二氧化硅中间包层和低折射率二氧化硅上包层组成，在低折射率二氧化硅中间包层之中包覆有高折射率二氧化硅第一波导芯层，在低折射率二氧化硅上包层之中包覆有高折射率二氧化硅第二波导芯层，第二波导芯层位于第一波导芯层和二氧化硅中间包层之上。第一波导芯层为锥形波导，第二波导芯层由锥形波导Core1和直波导Core2组成，第一波导芯层和锥形波导Core1共同构成梯度折射率倒脊形波导边缘耦合器。
一种基于梯度折射率脊形波导边缘耦合器

[发明专利]可调变平面光波导光学衰减器及其生产方法-CN200510040932.X无效
发明人：宋奇望;王许明;孙麦可 -专利权人：奥普为光子科技(无锡)有限公司;宋奇望
申请日： 2005-07-05 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：可调变平面光波导光学衰减器及其生产方法，是一种用半导体器件生产工艺设备在平面芯片上制造一个或大量光学器件的技术平台。按照本发明所提供的设计方案，在硅衬底上有二氧化硅下包层，在二氧化硅下包层上形成核心波导及覆盖住核心波导的二氧化硅上包层，并在核心波导与二氧化硅上包层间设置侧沟槽，在侧沟槽内充满光热材料，在核心波导上面的二氧化硅上包层上形成加热电极本发明用混合集成的方法结合二氧化硅和聚合物的各自优点制成可调变光衰减器(VOA)。
可调平面波导光学衰减器及其生产方法

[发明专利]一种可见光波段氮化硅光束偏转芯片-CN201811143021.3有效
发明人：冯吉军;仲路铭;张福领;曾和平 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本发明提出了可见光波段氮化硅光束偏转芯片，包括硅基衬底、二氧化硅缓冲层、二氧化硅包层和基于氮化硅波导的芯层；二氧化硅缓冲层设置在所述硅基衬底上；二氧化硅包层附在二氧化硅缓冲层上；芯层包括光分束单元、第一弯曲波导、第二弯曲波导、热光移相器和出射波导阵列；光分束单元、第一弯曲波导、第二弯曲波导和出射波导阵列位于所述述二氧化硅包层内且位于所述述二氧化硅缓冲层上；所述热光移相器置于所述二氧化硅包层上；光分束单元包括多个基于氮化硅波导的分束器本发明基于氮化硅制作，尺寸小，结构紧凑且加工简单，制作容差大，产品良率高，可实现可见光均匀分束、相位调制及光束偏转。
一种可见光波段氮化光束偏转芯片

[发明专利]结构化二氧化硅包层二氧化硅光纤-CN202180016954.X在审
发明人：博莱什·J·斯库特尼克;沃尔夫冈·纽伯格;安德烈·B·格里申科 -专利权人：拜欧利泰克投资二代公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C03B37/012 文献下载
摘要：描述了一种新型全二氧化硅光纤；结构化二氧化硅包层二氧化硅(SSCS)光纤，其包层被结构化为在芯内提供模混合；和/或具有平均有效折射率。围绕稀土掺杂的激光器芯构建新纤维结构为包层泵浦提供了更好的纤维激光器/放大器。结构化二氧化硅包层包含成对层，其中，下掺杂二氧化硅层之后是纯的、或较少下掺杂的、甚至上掺杂的二氧化硅层，并且成对层的数量通常为5至约25，通常在成对层内，硅酸盐的较高RI层与下掺杂二氧化硅的厚度之比非常宽在一些版本中，主要的芯材料可以是上掺杂的二氧化硅，其中纯二氧化硅或下掺杂的二氧化硅为主要的第二组分。
结构二氧化硅包层光纤

[发明专利]光纤-CN202010340222.3有效
发明人：曹珊珊;刘志忠;沈一春;蒋新力;王震;徐海涛;钱宜刚;薛驰;苏海燕 -专利权人：中天科技光纤有限公司;江苏中天科技股份有限公司;江东科技有限公司;中天科技精密材料有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本发明提供的一种光纤，从内到外依次包括芯层、缓冲包层、凹陷包层、深掺氟层、外包层及涂层，所述芯层为相对于二氧化硅的折射率差为0.37～0.5％的掺锗二氧化硅；所述缓冲包层的折射率为渐变结构，其与所述芯层接触的内界面处折射率相对于二氧化硅的折射率差为‑0.05～0.1％，与所述凹陷包层接触的外界面处折射率和所述凹陷包层的折射率相等；所述凹陷包层相对于二氧化硅的折射率差为‑0.12～‑0.2％；所述深掺氟层相对于二氧化硅的折射率差为‑0.3～‑0.5％；所述外包层为二氧化硅，所述涂层涂覆在所述外包层外。
光纤

[发明专利]一种无掺杂硅基二氧化硅波导-CN201310176143.3有效
发明人：冯丽爽;王俊杰;刘惠兰 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种无掺杂硅基二氧化硅波导，包括：硅片经热氧化而形成的二氧化硅层B，采用化学气相沉积法（包括但不限于等离子体增强化学气相沉积法PECVD和低压化学气相沉积法LPCVD）形成的二氧化硅层C，采用沉积非晶硅薄膜后经完全热氧化形成的二氧化硅层所述二氧化硅层B用作所述无掺杂硅基二氧化硅波导的下包层；所述二氧化硅层C用作所述无掺杂硅基二氧化硅波导的芯层，该层可以作为平板波导结构的芯层，也可以经刻蚀形成条状波导结构的芯层；所述二氧化硅层T用作所述无掺杂硅基二氧化硅波导的上包层由于采用了无掺杂设计，所述硅基二氧化硅波导具有抗辐照能力强，缺陷少，损耗低的特点。
一种掺杂二氧化硅波导

[发明专利]单模光纤及其制备方法-CN202010600926.X有效
发明人：秦钰;丁杰;葛一凡;陈京京;钱宜刚;沈一春 -专利权人：中天科技精密材料有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：该单模光纤包括裸光纤和包覆在裸光纤外的涂覆层，裸光纤包括同轴设置的氟和碱金属共掺二氧化硅的芯层、氟掺二氧化硅的下陷内包层、氟掺二氧化硅的辅助内包层和低氯二氧化硅的外包层，下陷内包层的外表层区域形成高羟基含量层通过合理设计剖面折射率分布，增大了光纤有效面积；采用在纯二氧化硅的芯层掺碱金属和掺氟，在下陷内包层外形成高羟基层，低氯纯二氧化硅的外包层等设计，改善光纤内外部的粘度匹配，减少光纤制备过程中缺陷，降低了光纤的衰减参数；在芯层外直接设置下陷内包层，确保了光纤具有良好的弯曲性能。
单模光纤及其制备方法

[发明专利]一种基于聚合物/二氧化硅复合芯层结构的模斑转换器-CN202210992500.2有效
发明人：孙小强;岳建波;王曼卓;刘庭瑜;刘崧岳;吴远大;张大明 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：一种基于聚合物/二氧化硅复合芯层结构的模斑转换器，属于二氧化硅波导集成光学技术领域。从下至上依次由硅衬底、低折射率二氧化硅下包层、聚合物/二氧化硅复合芯层和低折射率二氧化硅上包层组成；聚合物/二氧化硅复合芯层为聚合物波导芯层和高折射率二氧化硅波导芯层组成的复合结构，高折射率二氧化硅波导芯层由掩埋于聚合物波导芯层中的高折射率二氧化硅宽直波导芯层Core1、高折射率二氧化硅锥型过渡波导芯层Core2和高折射率二氧化硅窄直波导芯层Core3顺次构成。本发明通过聚合物波导增大波导模场面积，增强单模光纤模场与二氧化硅波导模场的模式匹配，提高光耦合效率，从而降低单模光纤与二氧化硅波导的耦合损耗。
一种基于聚合物二氧化硅复合结构转换器

[发明专利]一种基于硅基光波导的三维光交叉器及其制备方法-CN202210013198.1在审
发明人：孙小强;刘庭瑜;刘崧岳;许言;高阳;张大明 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：由硅衬底、二氧化硅下包层、二氧化硅中间层、二氧化硅上包层和光波导芯层组成；光波导芯层由第一层硅波导和第二层硅波导组成，第一层硅波导制备在二氧化硅下包层之上、被包覆在二氧化硅中间层之中；第二层硅波导制备在二氧化硅中间层之上、被包覆在二氧化硅上包层之中；第一层硅波导和第二层硅波导结构尺寸完全相同，呈十字交叉设置。
一种基于硅基光波导三维交叉及其制备方法

[发明专利]一种二氧化硅平板光波导可调谐微环谐振器及其制备方法-CN202110597848.7有效
发明人：李悦;尹悦鑫;张大明;许馨如;丁颖智;姚梦可;曹至庚;陈长鸣 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：一种超窄线宽的二氧化硅平板光波导可调谐微环谐振器及其制备方法，属于片上光互连网络技术领域。从下至上，由硅衬底、二氧化硅下包层、二氧化硅芯层波导、二氧化硅上包层和调制电极组成；二氧化硅芯层波导位于二氧化硅下包层和二氧化硅上包层之间，由微环谐振部分和可调谐耦合器部分组成。其中，微环谐振部分由第一弯曲波导、直波导和第二弯曲波导组成，形成跑道型结构；可调谐耦合器部分由第一3dB定向耦合器、第一调制臂、第二调制臂和第二3dB定向耦合器组成，形成MZI结构。
一种二氧化硅平板波导调谐谐振器及其制备方法

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