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[发明专利]二次电子发射系数确定方法和装置-CN202310822095.4在审
发明人：徐焱林;聂翔宇;杜嘉余;王思展;刘业楠;王志浩 -专利权人：北京卫星环境工程研究所
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本申请公开了一种二次电子发射系数确定方法和装置。所述方法包括：获取样本材料的多个二次电子参数；二次电子参数用于表征材料样品接受电子辐照后产生的二次电子数量，不同的二次电子参数是基于不同的电荷检测方式确定的；根据多个不同的二次电子参数得到材料样品的多个候选二次电子发射系数；确定多个候选二次电子发射系数之间的偏差值，根据偏差值对多个候选二次电子发射系数的进行有效性判断，并根据判断结果确定目标二次电子发射系数。采用本方法能够实现对二次电子发射系数的准确度和有效性的确定，避免单一方式测量导致的二次电子发射系数准确度不确定的情况。
二次电子发射系数确定方法装置

[发明专利]一种金属表面二次电子发射系数测试方法-CN201810965994.9在审
发明人：何佳龙;龙继东;李杰;彭宇飞;杨振;刘平;王韬;李喜;董攀;蓝朝晖;郑乐;刘尔祥;赵伟;杨洁;石金水 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属表面二次电子发射系数测试方法，所述方法包括：采用双层栅网球形二次电子收集器收集金属材料样品表面发射出的二次电子，通过偏压栅网接正负50V偏压对二次电子进行能量甄选；实现金属材料表面二次电子发射特性改性效果评估与改性机制分析对金属材料二次电子发射系数的测试需求，分别测得金属材料表面的真二次电子发射系数、电子背散射系数和总二次电子发射系数，以实现一种测试精度高、测试结果完备的二次电子发射系数测试方法。
二次电子发射系数测试金属材料表面金属材料二次电子金属表面改性二次电子收集器二次电子发射测试需求机制分析散射系数效果评估样品表面电子背双层栅网球形栅网发射

[发明专利]一种二次电子发射系数计算方法及计算机终端设备-CN202110123365.3在审
发明人：姚聪伟;王增彬;孙帅;庞小峰;赵晓凤;宋坤宇;李盈;陈祖伟 -专利权人：广东电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明公开了一种二次电子发射系数计算方法，包括计算二次电子能量分布、激发电子能量分布和逃逸概率，获得两个受激电子均来自固体价带、分别来自固体价带和空穴陷阱能级的二次电子发射系数、以及均来自空穴陷阱能级的二次电子发射系数，最后计算出绝缘材料电中性或带正电时的二次电子发射系数；根据所获取的电子陷阱能级全填满时的二次电子发射系数及其与表面负电荷密度存在的线性关系、以及绝缘材料带正电时的二次电子发射系数，获得绝缘材料表面带负电时的二次电子发射系数本发明考虑了绝缘材料表面能带和陷阱参数对表面二次电子发射系数的影响，提高了气体放电模拟过程的精度。
一种二次电子发射系数计算方法计算机终端设备

[发明专利]一种基于可控碳纳米镀层的介质表面二次电子发射系数抑制方法-CN202011024329.3有效
发明人：谢贵柏;李小军;李韵;李琪;封国宝;杨晶;王琪 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于可控碳纳米镀层的介质表面二次电子发射系数抑制方法，属于介质表面二次电子发射系数抑制技术领域。本发明实现了多约束条件下基于可控碳纳米镀层的介质表面二次电子发射抑制方法，通过在金属基片表面原子层沉积可控的碳纳米薄膜，实现表面的二次电子发射系数的降低，二次电子发射系数降低幅度超过60％，在解决介质微波部件微放电效应及粒子加速器的电子云方面有较好的应用前景
一种基于可控纳米镀层介质表面二次电子发射系数抑制方法

[发明专利]一种抑制介质材料二次电子发射系数的方法-CN202110350644.3在审
发明人：向锋;洪小飞;顾腾;刘潇帅;董亦鹏 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C04B41/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制介质材料二次电子发射系数的方法，该方法选用陶瓷样品及聚合物样品作为研究对象，利用γ射线对样品进行辐照处理。经实验证实，随着辐照剂量的增大，介质材料的电阻率降低，二次电子发射系数的最大值也随之降低，从一定程度上抑制介质材料的二次电子发射系数。相比于表面腐蚀、光刻以及化学方法等工艺来降低二次电子发射系数，通过辐照来抑制介质材料二次电子发射系数的方法更具有普适性，工艺简单，成本小，操作简便等优点。
一种抑制介质材料二次电子发射系数方法

[发明专利]一种测量介质材料二次电子发射系数的方法及系统-CN202310380754.3在审
发明人：王丹;蔡亚辉;廉卓禧;贺永宁;祁康成 -专利权人：西安交通大学;电子科技大学
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明提出了一种测量介质材料二次电子发射系数的方法及系统，方法包括获取一次电子束总电流，经过切割，得到一次电子束电流；获取束切割电流和采样电流，计算一次电子束电流与束切割电流的比值；获取待测介质材料的束切割电流和采样电流，得到待测介质材料在一次电子入射能量下的二次电子发射系数；通过第一中和电子枪和第二中和电子枪中和待测介质材料表面的积累电荷；测量不同一次电子入射能量下的二次电子发射系数，得到二次电子发射系数曲线。利用中和电子枪将待测介质材料表面的积累电荷中和进行清除，解决了以往介质材料测量过程耗时长及无法实现二次电子发射系数小于1的测量问题，实现介质材料二次电子发射系数完整曲线的快速精准测量。
一种测量介质材料二次电子发射系数方法系统

[发明专利]一种确定微波部件金属表面二次电子发射系数的方法-CN201310060163.4有效
发明人：王瑞;崔万照;张娜;叶鸣;贺永宁 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2013-02-26 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：一种确定微波部件金属表面二次电子发射系数的方法，步骤为：(1)设定入射电子的初始状态；(2)改变入射电子的初始能量，统计不同入射能量下的出射电子数目，获得金属表面的二次电子发射系数；(3)由金属表面微观形貌得到金属表面陷阱结构的分布密度和深宽比；(4)由深宽比和绝对深度建立边界条件，对每次碰撞后的出射电子进行轨迹追踪，判断发生了再次碰撞、被金属壁吸收或者逃逸出陷阱口成为陷阱结构出射的二次电子，最后统计得到陷阱结构口面的二次电子发射系数；(5)结合陷阱结构分布密度和平滑金属表面的二次电子发射系数确定任意的实际金属表面的二次电子发射系数。
一种确定微波部件金属表面二次电子发射系数方法

[发明专利]一种刻蚀石墨烯纳米孔减小二次电子发射系数的方法-CN201610378294.0有效
发明人：谢贵柏;崔万照;杨晶;李韵;胡天存;白春江;王新波;张娜 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：一种刻蚀石墨烯纳米孔减小二次电子发射系数的方法，本发明采用结合两种不同方法，涂覆低二次电子发射系数的材料和表面制备陷阱结构在表面涂覆低二次电子发射系数的石墨烯，然后通过氩离子刻蚀的技术制备纳米孔。技术上通过控制表面涂覆石墨烯的厚度和纳米孔的孔隙率、深宽比实现不同的二次电子发射抑制效果。实验研究发现，金属基片上沉积几纳米至十几纳米不等厚度的石墨烯，二次电子发射系数可以从2.0左右将至1.5‑1.1，在氩离子刻蚀石墨烯纳米孔后，表面的二次电子发射系数降至0.9，实现了电子发射系数从1.5此技术方案能有效地减小二次电子发射系数，在粒子加速器、真空传输线以及大功率微波部件领域有着广泛的应用前景。
一种刻蚀石墨纳米减小二次电子发射系数方法

[发明专利]设计最优二次电子发射系数矩形槽阵列结构尺寸的方法-CN202310613273.2在审
发明人：白春江;田露;何鋆;崔万照;辜文婷;苗光辉;胡天存 -专利权人：北京信息科技大学;西安空间无线电技术研究所
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了设计最优二次电子发射系数矩形槽阵列结构尺寸的方法，包括以下步骤：S1、建立表征规则阵列矩形槽结构的尺寸及变化范围；S2、根据规则阵列矩形槽结构的尺寸计算并获取最大二次电子发射系数以及二次电子发射系数曲线所述方法能同时兼顾降低二次电子发射系数和表面阻抗，可用于降低金属表面二次电子发射系数，为空间大功率微波部件微放电的抑制提供支撑。
设计最优二次电子发射系数矩形阵列结构尺寸方法

[发明专利]一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法-CN202010495917.9有效
发明人：何鋆;王琪;封国宝;杨晶;苗光辉;白春江;崔万照 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C23C14/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，属于真空电子学二次电子发射抑制技术领域，尤其涉及一种利用薄膜降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，所述的高能区是指入射到银表面电子的能量范围为250采用NPB材料为薄膜材料，有效降低了银表面高能区的二次电子发射系数。可在银表面大面积制备NPB薄膜，降低了薄膜制备成本。本发明提出的方法对银基底没有温度等特殊要求，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
一种降低表面高能二次电子发射系数方法

[发明专利]一种金属二次电子发射系数计算方法-CN202010124577.9有效
发明人：胡笑钏;张瑞;谷文萍;张赞;徐小波 -专利权人：长安大学
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属二次电子发射系数计算方法，考虑入射电子在材料中散射并激发内二次电子，内二次电子向表面运动，并发生级联散射，表面处的内二次电子越过表面势垒形成二次电子发射，建立依次考虑上述过程涉及的物理机制的金属二次电子发射系数半经验公式，对电子射程与内二次电子能量分布函数进行优化，并考虑了斜入射和背散射修正，获得金属的二次电子发射系数半经验公式，结果表明，优化公式计算结果与实验测量结果的相对误差不超过20％，相对于以往公式相对误差至少降低了
一种金属二次电子发射系数计算方法

[发明专利]等离子体显示板-CN200810174769.X无效
发明人：任相薰;永野真一郎;金贞男 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2008-10-30 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01J17/49 文献下载
摘要：PDP包括第一基板、第二基板、阻挡肋、磷光体层、寻址电极、第一电极和第二电极、电介质层以及保护层。第一电极和第二电极在第二方向延伸，并在其间形成第一放电间隙。电介质层在第二基板上形成，并同时覆盖第一电极和第二电极。保护层覆盖电介质层。保护层包括第一二次电子发射部分和第二二次电子发射部分。第一二次电子发射部分形成为对应于第一电极和第二电极的外远端部分并具有第一二次电子发射系数。第二二次电子发射部分被形成为对应于第一电极和第二电极的外近端部分，并具有小于第一二次电子发射系数的第二二次电子发射系数。
等离子体显示

[发明专利]精确测量低二次电子发射系数材料最薄贡献厚度的方法-CN202210473415.5有效
发明人：王玉漫;刘术林;孙志嘉;闫保军;周健荣;衡月昆;蒋兴奋;张斌婷;韦雯露;姚文静;彭华兴;谭金昊 -专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种精确测量低二次电子发射系数的材料最薄贡献厚度的方法，属于材料表征领域，包括如下步骤：S1、首先选择衬底材料，并超过其最薄贡献厚度；S2、先将衬底材料放入原子层沉积设备中的反应腔室进行沉积，制得样品；S3、然后将样品放入二次电子测试系统中测量；S4、获得循环数和二次电子发射产额的对应关系，确定最少循环数；S5、最后在硅衬底上生长最少循环次数的目标材料，进行薄膜厚度测量；本发明通过选择相对目标材料二次电子发射系数高的材料作为衬底，通过原子层沉积方法控制循环数从而获得低二次电子发射系数材料最薄贡献厚度的最少循环数，在硅衬底上复现出薄膜进行厚度的测量，从而获得精确的低二次电子发射系数材料最薄贡献厚度。
精确测量二次电子发射系数材料贡献厚度方法

[发明专利]星用介质材料二次电子发射系数的测试方法和测试系统-CN201310722788.2有效
发明人：陈益峰;李得天;秦晓刚;杨生胜;史亮;王俊;柳青;汤道坦 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：本发明公布了一种星用介质材料二次电子发射系数的测试方法和测试系统，包括：将至少一个星用介质材料制成的测试样品置于样品台上，使用真空系统将样品台抽真空；开启电子枪，电子枪发射单个脉冲电子束，照射放在样品台上的入射电子测试法拉第筒，通过第一微电流计测得单个脉冲电子束的入射电流强度；旋转样品台，将任一测试样品置于单个脉冲电子束辐照下，利用二次电子收集极第二微电流计测得该测试样品的二次电子发射电流；通过比较入射电流强度和二次电子发射电流，即可获得样品的二次电子发射系数。本发明提供的测试方法和系统，具有获得一次高真空后，可开展多个测试样品的二次电子发射系数测试，提高了测试效率，具有测试精度高的优点。
介质材料二次电子发射系数测试方法系统

[发明专利]一种低二次电子发射系数的膜层及其制备方法-CN202110697294.8有效
发明人：何鋆;白春江;苗光辉;胡天存;张恒;黄浩;陈国宇 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明通过真空蒸镀技术，在基底材料表面制备富勒烯功能薄膜，实现了一种低二次电子发射系数的膜层，通过精确控制富勒烯薄膜的制备条件，大幅降低了材料表面二次电子发射系数。本发明提出的方法成本低，与部件制造工艺兼容，适用于大面积制备，在降低二次电子发射系数的同时确保了部件电性能的一致性，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
一种二次电子发射系数及其制备方法

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