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[发明专利]一种含硅氯键硼硅氧烷改性白炭黑的制备方法及其应用-CN202010816236.8有效
发明人：李美江;宋华锋;刘美辰 -专利权人：杭州师范大学
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C09C1/28 文献下载
摘要：本发明涉及工业填料技术领域，针对硼酸与硅羟基反应活性差及聚硼硅氧烷结构难以控制的问题，公开了提供一种含硅氯键硼硅氧烷改性白炭黑的制备方法及其应用，包括以下步骤：（1）制备含硅氯键硼硅氧烷：在搅拌和氮气保护下，将硼酸、氯硅烷加入溶剂中反应得到含硅氯键硼硅氧烷；（2）含硅氯键硼硅氧烷改性白炭黑：在搅拌和氮气保护下，将步骤（1）反应后得到的含硅氯键硼硅氧烷加入亲水性白炭黑中，加热反应得到含硅氯键硼硅氧烷改性白炭黑采用含硅氯键硼硅氧烷改性亲水白炭黑，硼氧键与白炭黑硅羟基发生配位作用，降低硅羟基结构化作用，硅氯键和硼氧键同时与白炭黑表面羟基作用，提升白炭黑改性效果。
一种含硅氯键硼硅氧烷改性炭黑制备方法及其应用

[发明专利]去除固体硅中硼杂质的方法-CN201010202674.1无效
发明人：史珺;佟晨;宗卫峰;水川 -专利权人：上海普罗新能源有限公司
申请日： 2010-06-17 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除固体硅中硼杂质的方法，步骤一、将含有硼杂质的固体硅粉碎形成硅粉；步骤二、将硅粉放入一加热炉中并进行氧化，在硅粉颗粒的表面形成二氧化硅层，利用高温以及形成的硅和二氧化硅固体界面促使硅粉颗粒中靠近表面的硼向二氧化硅中转移、硅粉颗粒中间的硼向表面边缘扩散；步骤三、氧化的同时还对硅粉颗粒进行吹氧，促使二氧化硅中的硼氧化并逸出，并随氧气氛被排出加热炉腔；步骤四、降温取出硅粉，用氢氟酸去除硅粉颗粒表面形成的二氧化硅层。本发明能以很低的成本去除硅中的硼元素，从而降低硅中的硼浓度，且能够使硼浓度很容易从工艺上得到控制。
去除固体硅中硼杂质方法

[发明专利]聚硅硼氮烷的浸渍-固化处理方法、复合材料及制备方法-CN202211434710.6在审
发明人：韩耀;张冰清;张剑;吕毅 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了聚硅硼氮烷的浸渍‑固化处理方法、复合材料及制备方法，属于复合材料制备技术领域。对纤维增强氮化硅复合材料传统的PIP工艺中，浸渍‑固化所用的聚硅硼氮烷先驱物具有一定粘度，采用新型聚硅硼氮烷固化处理方法，通过对先驱物进行高压作用，能够使得聚硅硼氮烷充分浸入硅硼氮纤维预制体中，保证硅硼氮纤维预制体在聚硅硼氮烷先驱物浸渍固化后，能够获得高致密状态，对于固化工艺的改进，从而确保在后续的多次浸渍‑固化‑裂解复合过程中能够获得低气孔率、高性能的硅硼氮纤维增强硅硼氮复合材料。
聚硅硼氮烷浸渍固化处理方法复合材料制备

[发明专利]一种硼硅厚玻璃的开料方法-CN202310363285.4在审
发明人：温天雨;龚兵;黄建军 -专利权人：深圳市信濠光电科技股份有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C03B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼硅厚玻璃的开料方法，涉及硼硅玻璃切割技术领域；包括以下步骤：S10.采用激光对硼硅玻璃进行切割。S20.将切割后的硼硅玻璃放进浓度为1.5％的HF酸液中浸泡，温度为常温。S30.将浸泡后的硼硅玻璃取出并清洗。S40.硼硅玻璃清洗完后，沿硼硅玻璃上的激光切割路径将硼硅玻璃分开。本发明的有益效果在于：可在硼硅玻璃切割后轻松掰开且不会造成玻璃损坏。
一种硼硅厚玻璃方法

[发明专利]一种去除硅中硼元素的方法-CN200910111524.7无效
发明人：郑智雄;张伟娜;胡满根;戴文伟 -专利权人：南安市三晶阳光电力有限公司
申请日： 2009-04-17 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种去除硅中硼元素的方法，涉及半导体材料领域。本发明的方法是利用硅合金特性，将硅和液态时可溶解硼的金属按比例混合真空熔炼，定向凝固，缓慢冷却，待硅凝固而金属未凝固时，将液态金属倒出，溶于金属的硼也随着倒出。由于本发明采用了可溶解硼的金属对硅中的杂质进行稀释，本发明的方法可以有效降低硅中杂质含量，特别是硼杂质含量，可以将固体硅中的B含量下降到70％以上。
一种去除硅中硼元素方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210349744.5有效
发明人：陈乐乐 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法提供栅结构侧方形成有Sigma形凹陷的衬底，在Sigma形凹陷的内表面外延生长有种子硅锗层，在种子硅锗层内外延生长有掺杂硼的硅锗体；对Sigma形凹陷内的种子硅锗层和硅锗体进行反向刻蚀以形成衬底表面下的凹陷；在衬底表面下的凹陷内进行掺杂硼的硅锗外延生长生成掺杂硼的硅锗再生层，而硅锗再生层中硼的含量大于种子硅锗层中硼的含量。由于Sigma形凹陷靠近衬底表面形成掺杂硼的硅锗外延层中硼的含量可以比较高，从而减小了外部电阻，提高了半导体器件的性能。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种含硅烷氧基硼硅氧烷改性白炭黑的制备方法及其应用-CN202010857648.6有效
发明人：李美江;宋华锋;刘美辰 -专利权人：杭州师范大学
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C08K9/06 文献下载
摘要：本发明涉及工业填料技术领域，针对硼酸与硅羟基反应活性差及聚硼硅氧烷结构难以控制的问题，公开了一种含硅烷氧基硼硅氧烷改性白炭黑的制备方法及其应用，包括以下步骤：（1）在搅拌和加热条件下，将硼酸、烷氧基硅烷、催化剂在溶剂中反应得到含硅烷氧基硼硅氧烷；（2）在搅拌下，将步骤（1）得到的含硅烷氧基硼硅氧烷加入亲水性白炭黑中，加热反应后得到含硅烷氧基硼硅氧烷改性白炭黑。本发明中含硅烷氧基硼硅氧烷中硅烷氧基和硼氧键同时与白炭黑表面羟基作用，提升白炭黑改性效果。含硅烷氧基硼硅氧烷改性白炭黑添加到硅橡胶中，显著提高硅橡胶自粘性能与增强效果，制备工艺简单，产品重现性好。
一种硅烷氧基硼硅氧烷改性炭黑制备方法及其应用

[发明专利]一种去除工业硅中硼、磷及其它杂质的综合利用方法-CN201010581857.9有效
发明人：李柏榆;汪云华;李海艳;张济祥;许金泉;周金民;王钟钰;王春琴;陈小番;方来鹏;付刚 -专利权人：云南乾元光能产业有限公司
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除工业硅中硼、磷及其它杂质的综合利用方法，本发明涉及采用湿法冶金、氧化造渣和电子束熔炼去除多晶硅中硼、磷及其它杂质。包括：用湿法冶金酸洗方式去除硅中的杂质获得低杂质多晶硅，再用中频感应加热对低杂质多晶硅进行氧化造渣熔炼，通过造渣剂的氧化方式去除多晶硅中的杂质硼，从而获得低硼多晶硅，再次用电子束熔炼去除低硼多晶硅中的磷杂质获得低金属低硼低磷多晶硅其特点是：低投入、低成本、环境污染小、工艺简单、回收率高，形成了一整套适合于工业化生产太阳能级多晶硅中间产品的可实施工艺。
一种去除工业硅中硼其它杂质综合利用方法

[发明专利]一种制备双面N型晶硅电池的掩膜扩散方法-CN201510562132.8在审
发明人：张中伟;张世勇;廖亚琴 -专利权人：中国东方电气集团有限公司
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备双面N型晶硅电池的掩膜扩散方法，是在硼扩散过程中，首先对硼扩散面上形成的硼硅玻璃层进行氧化处理，再在硼硅玻璃层上沉积形成氮化硅层；利用硼硅玻璃和氮化硅层作为磷扩散的掩膜，用于防止两次扩散之间的相互掺杂电池采用经过氧化处理的硼硅玻璃层和致密的氮化硅层叠层薄膜充当后续磷扩散的扩散掩蔽层，减少了制程中多次刻蚀和掩膜沉积的过程。在制备工艺中对硼扩散推进完毕后的在硼发射极表面形成的硼硅玻璃层进行氧化处理，可降低硅与硼硅玻璃层界面处的Si－B键的密度，有利于后续酸处理去除硼硅玻璃，形成疏水表面，有利于提高电池的开路电压；本发明可大大简化工艺
一种制备双面型晶硅电池扩散方法

[实用新型]测定多晶硅中磷、硼的含量的系统-CN200920156146.X有效
发明人：张瑞云;迈克·杰尼根 -专利权人：重庆大全新能源有限公司
申请日： 2009-06-15 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种测定多晶硅硼和磷含量的系统，包括：用于制造样品单晶硅的样品单晶硅棒制成装置；用于测定所述单晶硅棒头部和所述单晶硅棒中设定位置的导电类型的导电类型测定装置；用于测定所述单晶硅棒头部和所述单晶硅棒中设定位置的电阻率的电阻率测定装置；与所述导电类型测定装置和电阻率测定装置相连的硼磷含量计算器，用于根据测定的导电类型和电阻率计算所述多晶硅中硼和磷的含量。本实用新型通过测得样品单晶硅棒的头部和样品单晶硅棒中设定位置的导电类型和电阻率，利用硼磷的分凝系数与硼磷含量差量计算关系式，使得通过硼磷含量计算器即可得出单晶硅中硼和磷的含量。从而节约了多晶硅中的硼磷含量的测定设备和时间。
测定多晶硅中磷含量系统

[发明专利]一种聚硅硼氮烷裂解产物的介电性能测试试样及其制备方法和测试方法-CN202111417188.6在审
发明人：韩耀;张冰清;张剑;董衡;吕毅;赵英民;张昊 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚硅硼氮烷裂解产物的介电性能测试试样及其制备方法和测试方法。所述制备方法为：将聚硅硼氮烷进行固化和裂解，得到聚硅硼氮烷裂解产物；将聚硅硼氮烷裂解产物进行处理，得到聚硅硼氮烷裂解产物粉体；将聚硅硼氮烷裂解产物粉体放入干压模具中，然后往干压模具中加入聚硅硼氮烷液体胶液并使聚硅硼氮烷液体胶液与聚硅硼氮烷裂解产物粉体混合均匀后进行压制成型，得到由聚硅硼氮烷裂解产物和聚硅硼氮烷液体胶液组成的混合物；将所述混合物进行固化、裂解和机加，得到聚硅硼氮烷裂解产物的介电性能测试试样。本发明有效解决了聚硅硼氮烷裂解产物难以制备出介电性能测试试样，从而无法测试出不同裂解条件下材料的介电性能的技术难题。
一种聚硅硼氮烷裂解产物性能测试试样及其制备方法

[发明专利]一种Ｐ型硅母合金的制作方法-CN201710711370.X在审
发明人：彭瑶;苏勇;邱建峰;王义斌;周慧敏 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种P型硅母合金的制作方法，包括根据目标硅母合金中硼元素浓度和磷元素浓度选择相应的硅料；根据所述硅料的硼元素浓度和磷元素浓度以及目标硅母合金中的硼元素浓度和磷元素浓度，计算需要添加的硼料和磷料的用量；将所述硅料、所述用量的硼料和磷料同时放入单晶炉中，利用直拉法拉制P型硅母合金。上述P型硅母合金的制作方法，能够改善P型母合金电阻率的均匀性，且减少硼掺杂剂的用量、电阻率分档少，从而降低生产成本。
一种型硅母合金制作方法

[发明专利]一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法-CN202111082145.7在审
发明人：任永生;曾毅;马文会;雷云;魏奎先;伍继君;吕国强;谢克强;颜恒维;刘战伟;李绍元;于洁;万小涵;陈正杰 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法，属于硅提纯技术领域。本发明将冶金级硅加热熔融得到含B的Si熔体，将复合亲硼添加剂加入到含B的Si熔体得到混合熔体；将氩气通入到混合熔体中并在温度为1414～1600℃下精炼1～3h，随炉冷却至室温得到精炼硅；精炼硅研磨成150～200目的硅粉，硅粉依次经王水、HF‑HCl混酸清洗0.5～6h得到高纯硅。本发明复合亲硼添加剂协同强化在精炼过程中脱除冶金级硅中硼，硼的脱除率接近100％，不会对Si造成二次污染。
一种利用复合添加剂去除冶金级硅中硼方法

[发明专利]硅硼碳氮基复合材料及其制备方法-CN201410568735.4有效
发明人：陈伟东 -专利权人：陈伟东
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅硼碳氮基复合材料及制备方法。本发明是以聚硼硅氮烷、有机溶剂和液相氯化物为原料，经混合和加热，形成硅硼碳氮基复合材料。典型制备步骤为：将聚硼硅氮烷与有机溶剂置于反应釜中，在惰性或活性气氛条件下加入液相氯化物进行反应，得到聚硼硅氮烷的混合物，再在惰性或活性气氛下，加热聚硼硅氮烷的混合物，反应，制得硅硼碳氮基复合材料。该方法直接从无定型结构中制得硅硼碳氮基复合材料，因此能够做到从原子尺度上的混合均匀性，使烧结之后的复合材料的力学性能得到显著的提升。
硅硼碳氮基复合材料及其制备方法

[发明专利]一种中硼硅药用玻璃的熔化澄清方法-CN202111570186.0在审
发明人：田英良;徐泽琨;赵志永;孙诗兵;金晓冬 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C03B5/225 文献下载
摘要：本发明公开了一种中硼硅药用玻璃的熔化澄清方法，该熔化澄清方法在中硼硅药用玻璃池窑中进行，包括：在距池窑后墙30％‑60％范围内的池壁和/或池底上，布设4排～8排氧化锡电极且相邻两排氧化锡电极的间距为300mm‑600mm；向中硼硅药用玻璃配合料中加入硫酸锶澄清剂。本发明通过氧化锡电极和硫酸锶澄清剂的配合，使中硼硅药用玻璃澄清效果可以达到最佳；经过系统应用与验证，中硼硅药用玻璃气泡数量可以稳定地控制在(5‑12)个/10kg玻璃，有效实现了中硼硅药用玻璃高质量熔化澄清目标，使困扰中硼硅药用玻璃熔化澄清问题得到了很好地解决。
一种中硼硅药用玻璃熔化澄清方法

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