专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]高强复合外套避雷器-CN201020253688.1无效
  • 龚正全 - 深圳市银星电气股份有限公司
  • 2010-07-08 - 2011-01-12 - H01C7/12
  • 一种高强复合外套避雷器,包括依次相接的上金属电极、非线性电阻片和金属电极,在所述上金属电极金属电极和非线性电阻片的外壁上设有绝缘骨架,在所述上金属电极金属电极、非线性电阻片和绝缘骨架外侧设有复合外套,在所述上金属电极上端设有上导电杆和上紧固件,在所述金属电极下端设有导电杆和紧固件;所述上金属电极的中间部分的横截面为多边形,所述绝缘骨架与上金属电极相接触的部分,与所述上金属电极的外形相吻合。本实用新型的应用可以大幅提高中压复合外套避雷器耐受大扭矩的性能,减少安装紧固时使复合避雷器在可能出现的过大扭力矩作用电极转动、密封破坏等损坏率,提高其在电网的运行可靠性。
  • 高强复合外套避雷器
  • [发明专利]提高复合外套避雷器抗扭力的方法、避雷器及其制造方法-CN201010223103.6有效
  • 龚正全 - 深圳市银星电气股份有限公司
  • 2010-07-08 - 2010-12-15 - H01C7/12
  • 提高复合外套避雷器抗扭力的方法、避雷器及制造方法,所述避雷器包括依次相接的上金属电极、非线性电阻片和金属电极,在所述上金属电极金属电极和非线性电阻片的外壁上设有绝缘骨架,在所述上金属电极金属电极、非线性电阻片和绝缘骨架外侧设有复合外套,在所述上金属电极上端设有上导电杆和上紧固件,在所述金属电极下端设有导电杆和紧固件;所述上金属电极的中间部分的横截面为多边形,所述绝缘骨架与上金属电极相接触的部分,与所述上金属电极的外形相吻合。本发明可以大幅提高中压复合外套避雷器耐受大扭矩的性能,减少安装紧固时使复合避雷器在可能出现过大扭力矩作用电极转动、密封破坏等损坏率,提高其在电网运行可靠性。
  • 提高复合外套避雷器扭力方法及其制造
  • [发明专利]芯片封装结构-CN201210443748.X有效
  • 林仲珉 - 南通富士通微电子股份有限公司
  • 2012-11-08 - 2013-02-13 - H01L23/488
  • 一种芯片封装结构,包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底内的金属焊盘;位于所述半导体衬底上的绝缘层,所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口;位于所述金属焊盘上的球金属电极,所述球金属电极具有电极体部和电极尾部,所述电极体部位于所述球金属电极底部且与所述金属焊盘相接,所述电极尾部位于所述球金属电极顶部;位于所述球金属电极表面的焊球。本发明的芯片封装结构的球金属电极和焊球之间的附着力强,可靠性高。
  • 芯片封装结构
  • [实用新型]芯片封装结构-CN201220586931.0有效
  • 林仲珉;石磊;吴晓纯 - 南通富士通微电子股份有限公司
  • 2012-11-08 - 2013-05-01 - H01L23/488
  • 一种芯片封装结构,包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底内的金属焊盘;位于所述半导体衬底上的绝缘层,所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口;位于所述金属焊盘上的球金属电极,所述球金属电极具有电极体部和电极尾部,所述电极体部位于所述球金属电极底部且与所述金属焊盘相接,所述电极尾部位于所述球金属电极顶部;位于所述球金属电极表面的焊球。本实用新型的芯片封装结构的球金属电极和焊球之间的附着力强,可靠性高。
  • 芯片封装结构
  • [发明专利]一种基于层状钴氧化物的低温测温元件-CN201710421121.7在审
  • 宋世金;虞澜;胡建力;崔凯;黄杰 - 昆明理工大学
  • 2017-06-07 - 2017-09-22 - G01K7/22
  • 本发明公开一种基于层状钴氧化物的低温测温元件,包括单晶基底、薄膜热敏元件、金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ、导线Ⅰ、导线Ⅱ,薄膜热敏元件在单晶基底上沿c轴外延生长,在薄膜热敏元件上表面依次设置有等距排列的金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ,金属电极Ⅰ、金属电极Ⅳ通过导线Ⅰ连接恒流源输出端,金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ通过导线Ⅱ连接电压表输入端,薄膜热敏元件为层状钴氧化物薄膜;本发明测温元件在0℃~‑200℃电阻温度系数大,电阻温度关系线性好,物理化学性能稳定、成本低廉。
  • 一种基于层状氧化物低温测温元件
  • [实用新型]一种基于层状钴氧化物的低温测温元件-CN201720651656.9有效
  • 宋世金;虞澜;胡建力;崔凯;黄杰 - 昆明理工大学
  • 2017-06-07 - 2018-02-09 - G01K7/22
  • 本实用新型公开一种基于层状钴氧化物的低温测温元件,包括单晶基底、薄膜热敏元件、金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ、导线Ⅰ、导线Ⅱ,薄膜热敏元件在单晶基底上沿c轴外延生长,在薄膜热敏元件上表面依次设置有等距排列的金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ,金属电极Ⅰ、金属电极Ⅳ通过导线Ⅰ连接恒流源输出端,金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ通过导线Ⅱ连接电压表输入端,薄膜热敏元件为层状钴氧化物薄膜;本实用新型测温元件在0℃~‑200℃电阻温度系数大,电阻温度关系线性好,物理化学性能稳定、成本低廉。
  • 一种基于层状氧化物低温测温元件
  • [发明专利]芯片封装方法-CN201210444096.1有效
  • 林仲珉;石磊;吴晓纯 - 南通富士通微电子股份有限公司
  • 2012-11-08 - 2013-02-13 - H01L21/48
  • 一种芯片封装方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有金属焊盘和绝缘层,所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口;在所述金属焊盘上形成球金属电极,所述球金属电极具有电极体部和电极尾部,所述电极体部位于所述球金属电极底部且与所述金属焊盘相接,所述电极尾部位于所述球金属电极顶部;在所述球金属电极表面形成焊球。
  • 芯片封装方法
  • [实用新型]多功能导线电极-CN201120202916.7有效
  • 赵德政 - 青岛光电医疗科技有限公司
  • 2011-06-16 - 2012-02-01 - A61B5/0408
  • 本实用新型提供一种多功能导线电极,包括电极夹子及电极夹子后端连接的导联线,其特点是:所述的电极夹子包括中间铰接的金属电极底板和金属电极压板,金属电极底板中部与金属电极压板后部之间设置弹簧,金属电极底板前端的平板与金属电极压板前端的平板形成夹持片状电极的平钳口,所述金属电极底板与金属电极压板之间前部侧面形成夹持钮扣电极的弧形钳口;所述导联线与所述金属电极底板后端连接,所述金属电极压板上面设置一塑料上盖,所述的金属电极底板外侧设置一塑料盖。其结构合理,操作使用方便、可靠,可适应临床多种电极的采集形式,兼容性极强。
  • 多功能导线电极
  • [发明专利]多功能转换电极-CN201110161783.8有效
  • 赵德政 - 青岛光电医疗科技有限公司
  • 2011-06-16 - 2011-11-16 - A61B5/04
  • 本发明提供一种多功能转换电极,包括电极夹子,电极夹子后端的插孔,其特点是:所述的电极夹子包括中间铰接的金属电极底板和金属电极压板,金属电极底板中部与金属电极压板后部之间设置弹簧,金属电极底板前端的平板与金属电极压板前端的平板形成夹持片状电极的平钳口,所述金属电极底板与金属电极压板之间前部侧面形成夹持钮扣电极的弧形钳口;所述电极夹子后端的插孔为由外向内孔径渐缩的弹性孔;所述的金属电极压板上面设置一塑料上盖,所述的金属电极底板外侧设置一塑料盖。不仅适合多种导联线插头,且同时适应临床多种电极的采集形式,兼容性极强。结构合理,操作使用方便,可以提高临床的诊断效率。
  • 多功能转换电极
  • [发明专利]一种压力触控装置及显示装置-CN201710011266.X在审
  • 贺芳;徐传祥;舒适 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2017-01-06 - 2017-05-17 - G06F3/041
  • 该装置包括相对设置的基板和上基板,上基板包括第一金属电极和高分子绝缘层,基板包括第二金属电极,第二金属电极与高分子绝缘层相对设置,基板和上基板之间设置有弹性支撑柱,在对基板和上基板施加压力时,弹性支撑柱发生形变,使得高分子绝缘层和第二金属电极相接触,在不受外力的状态,弹性支撑柱恢复正常形状,使得高分子绝缘层和第二金属电极之间不接触,第一金属电极和第二金属电极中的一金属电极接地,另一金属电极通过导线连接集成电路
  • 一种压力装置显示装置

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