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[实用新型]高强复合外套避雷器-CN201020253688.1无效
发明人：龚正全 -专利权人：深圳市银星电气股份有限公司
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01C7/12 文献下载
摘要：一种高强复合外套避雷器，包括依次相接的上金属电极、非线性电阻片和下金属电极，在所述上金属电极、下金属电极和非线性电阻片的外壁上设有绝缘骨架，在所述上金属电极、下金属电极、非线性电阻片和绝缘骨架外侧设有复合外套，在所述上金属电极上端设有上导电杆和上紧固件，在所述下金属电极下端设有下导电杆和下紧固件；所述上金属电极的中间部分的横截面为多边形，所述绝缘骨架与上金属电极相接触的部分，与所述上金属电极的外形相吻合。本实用新型的应用可以大幅提高中压复合外套避雷器耐受大扭矩的性能，减少安装紧固时使复合避雷器在可能出现的过大扭力矩作用下电极转动、密封破坏等损坏率，提高其在电网的运行可靠性。
高强复合外套避雷器

[发明专利]提高复合外套避雷器抗扭力的方法、避雷器及其制造方法-CN201010223103.6有效
发明人：龚正全 -专利权人：深圳市银星电气股份有限公司
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01C7/12 文献下载
摘要：提高复合外套避雷器抗扭力的方法、避雷器及制造方法，所述避雷器包括依次相接的上金属电极、非线性电阻片和下金属电极，在所述上金属电极、下金属电极和非线性电阻片的外壁上设有绝缘骨架，在所述上金属电极、下金属电极、非线性电阻片和绝缘骨架外侧设有复合外套，在所述上金属电极上端设有上导电杆和上紧固件，在所述下金属电极下端设有下导电杆和下紧固件；所述上金属电极的中间部分的横截面为多边形，所述绝缘骨架与上金属电极相接触的部分，与所述上金属电极的外形相吻合。本发明可以大幅提高中压复合外套避雷器耐受大扭矩的性能，减少安装紧固时使复合避雷器在可能出现过大扭力矩作用下电极转动、密封破坏等损坏率，提高其在电网运行可靠性。
提高复合外套避雷器扭力方法及其制造

[发明专利]一种基于测量电荷的挠曲电系数直接测量装置及方法-CN201410114668.9有效
发明人：李斯;梁旭;张舒文;申胜平;徐明龙 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： G01R29/00 文献下载
摘要：一种基于测量电荷的挠曲电系数直接测量装置及方法，该装置包括上、下双面金属电极片，上双面金属电极片的上下表面分别设置有第一上金属电极和第一下金属电极，第一上金属电极与上压头相接触，第一下金属电极与试件的上表面相接触；下双面金属电极片的上下表面分别设置有第二上金属电极和第二下金属电极，第二上金属电极与试件的下表面相接触，第二下金属电极与下压头相接触，上双面金属电极片的下表面电极连接地线，下双面金属电极片的上表面电极连接测量电荷信号的引线
一种基于测量电荷挠曲系数直接装置方法

[发明专利]一种温度传感器及其制备方法-CN201510512422.1有效
发明人：聂萌;章丹;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： G01K7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种温度传感器，该温度传感器包括柔性基板、下金属电极、石墨烯阵列层和n个上金属电极；柔性基板中设有呈阵列式结构的n个通孔，石墨烯阵列层中含有n个石墨烯柱体；下金属电极固定连接在柔性基板的底面，上金属电极固定连接在柔性基板的顶面，且每个上金属电极覆盖柔性基板的一个通孔；石墨烯柱体位于柔性基板的通孔中，石墨烯柱体的顶面与上金属电极的底面连接，石墨烯柱体的底面与下金属电极的顶面连接；石墨烯柱体、上金属电极和柔性基板的通孔分别一一对应。
柔性基板石墨烯上金属电极柱体温度传感器通孔下金属电极底面顶面阵列层生物兼容性阵列式结构灵敏度制备覆盖

[发明专利]一种基于检测电荷的挠曲电动态效应直接检测装置及方法-CN201510638757.8有效
发明人：胡涛涛;申胜平;卢建锋;杨文君;梁旭;郁汶山 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： G01N27/60 文献下载
摘要：一种基于检测电荷的挠曲电动态效应直接检测装置及方法，该装置包括分别设置在试件上下表面的上双面金属电极片和下双面金属电极片，上双面金属电极片的下金属电极与试件的上表面相接触；下双面金属电极片的上金属电极与试件的下表面相接触；上双面金属电极片的上金属电极与下双面金属电极片的下金属电极通过地线相连；下双面金属电极片的上金属电极连接测量电荷信号的引线，引线依次连接电荷放大器和显示存储装置；试件侧面与高频超声探头连接，高频超声探头通过引线依次与功率放大器和高频脉冲发生器连接
一种基于检测电荷挠曲动态效应直接装置方法

[发明专利]一种自封装温度传感器及其制备方法-CN201510511210.1有效
发明人：聂萌;章丹;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： G01K7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种自封装温度传感器，该温度传感器包括柔性基板、下金属电极板、石墨烯层和上金属电极板；柔性基板中设有通孔，石墨烯层位于柔性基板的通孔中；上金属电极板固定连接在柔性基板的上表面，下金属电极板固定连接在柔性基板的下表面，且石墨烯层的顶面与上金属电极板的底面连接，石墨烯层的底面与下金属电极板的顶面连接。
一种具有封装柔性温度传感器及其制备方法

[发明专利]制备砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的方法-CN201210153189.9无效
发明人：杨晓光;杨涛 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：缓冲层上生长多周期的量子点结构；步骤3：在多周期的量子点结构上依次生长本征GaAs层、p型GaAs层、p+型GaAs层和p+型Al0.8Ga0.2As层；步骤4：在p+型Al0.8Ga0.2As层上蒸发上金属电极；步骤5：刻蚀上金属电极，使上金属电极形成网状；步骤6：在网状上金属电极上及裸露的p+型Al0.8Ga0.2As层上生长减反层；步骤7：剥离掉覆盖在上金属电极表面的减反层，使上金属电极裸露；步骤8：在衬底的下表面制作下金属电极
制备砷化铟砷化镓量子太阳电池方法

[发明专利]一种高灵敏度叠层式挠曲电压力传感器-CN201410290568.1有效
发明人：卢建锋;梁旭;胡淑玲;申胜平;徐明龙 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：一种高灵敏度叠层式挠曲电压力传感器，包括测量微压力引起机械变形的金属弹性元件，在其顶部粘贴有多层挠曲电介电薄膜，挠曲电介电薄膜上下表面分别设有上金属电极和下金属电极，上金属电极和下金属电极之间通过绝缘层隔开，挠曲电介电薄膜的上金属电极和下金属电极分别连有输出测量电荷信号的引线，挠曲电介电薄膜连同上金属电极和下金属电极以及绝缘层均置于外壳内，引线的一端从外壳引出，金属弹性元件和外壳间设有绝缘垫片，金属弹性元件下方具有施加压力的压力通道；本发明通过所施加压力与金属弹性元件中机械变形的应变梯度之间的线性关系测量薄膜上受到的压力，通过叠层的方式提高输出电荷，从而提高灵敏度，能够准确、简单的实现压力的测量。
一种灵敏度叠层式挠曲压力传感器

[实用新型]一种基于金刚石基板的半导体制冷器结构-CN202222445907.1有效
发明人：符娇;陆芹;刘宗琛;陈达明 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N10/17 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于金刚石基板的半导体制冷器结构，包括上基板和下基板，上基板和下基板之间设置有多组热电偶，多组热电偶之间通过多个金属电极相互串联，金属电极包括上金属电极与下金属电极，上金属电极设置在热电偶顶端，所述下金属电极设置在热电偶底端，上基板的顶端与待散热对象连接，所述上金属电极设置在上基板底部，下金属电极设置在下基板顶部，上基板与下基板均为散热基板，所述上基板为金刚石基板。
一种基于金刚石半导体制冷结构

[实用新型]一种新型放电开关-CN202220637630.X有效
发明人：张炳生;曾凡辉 -专利权人：扬州市鑫源电气股份有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01T1/00 文献下载
摘要：所述的开关包括绝缘筒和分别安装于绝缘筒上下两端的上金属板、下金属板，所述的绝缘筒内同轴设有安装于下金属板上的圆筒电阻，所述的绝缘筒内还设置有金属电极、电阻压板、绝缘板和固定用的绝缘螺杆，所述的金属电极分为上金属电极和下金属电极本实用新型有效减少了加工可能导致的缝隙和气泡，提高了绝缘筒的寿命和电压耐受，降低了绝缘筒导致的局部放电，通过调节绝缘板的高度，能准确调节并测量上金属电极与下金属电极间隙距离，提高了放电的准确性，提高了放电开关的体积利用率，有效降低放电电流，减少金属电极的烧蚀。
一种新型放电开关

[实用新型]有效防爆插拔式金属氧化物避雷器-CN202020311421.7有效
发明人：王国群;赵冬一;迟旭;崔毓昕 -专利权人：厦门ABB避雷器有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01C7/12 文献下载
摘要：一种有效防爆插拔式金属氧化物避雷器，包括避雷器外壳和避雷器芯体；避雷器芯体包括上金属电极和下金属电极，以及至少两个跑道形绝缘固定环，若干个金属氧化物电阻片串联堆叠形成圆柱电阻片柱体，圆柱电阻片柱体设在上金属电极和下金属电极之间，并通过顶丝将圆柱电阻片柱体的上端顶靠在上金属电极的内底面上，两个跑道形绝缘固定环隔开预定距离分别套挂在上金属电极和下金属电极上，并通过位于下金属电极的顶丝将跑道形绝缘固定环涨紧，使得跑道形绝缘固定环将圆柱电阻片柱体夹紧构成避雷器芯体组件
有效防爆插拔式金属氧化物避雷器

[实用新型]一种平面型自控温伴热电缆-CN202222158636.1有效
发明人：王勇 -专利权人：王勇
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H05B3/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种平面型自控温伴热电缆，包括PTC芯带及包覆在该PTC芯带的绝缘层，PTC芯带包括PTC发热层，PTC发热层与绝缘层之间设置有金属电极箔层，金属电极箔层包括沿长度方向间隙式平行延伸的上金属电极箔和下金属电极箔，上金属电极箔、下金属电极箔分别电源的正负极电导通。
一种平面自控温伴热电缆

[发明专利]一种基于金刚石基板的半导体制冷器结构及其制作方法-CN202211124950.6在审
发明人：符娇;陆芹;刘宗琛 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于金刚石基板的半导体制冷器结构及其制作方法，半导体制冷器结构包括上基板和下基板，上基板和下基板之间设置有多组热电偶，多组热电偶之间通过多个金属电极相互串联，金属电极包括上金属电极与下金属电极，上金属电极设置在热电偶顶端，所述下金属电极设置在热电偶底端，上基板的顶端与待散热对象连接，所述上金属电极设置在上基板底部，下金属电极设置在下基板顶部，上基板与下基板均为散热基板，所述上基板为金刚石基板
一种基于金刚石半导体制冷结构及其制作方法

[发明专利]锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法-CN201110044608.0无效
发明人：杨晓光;杨涛 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-02-16 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：缓冲层上沉积一锑层；步骤4：在锑层上依次生长多个周期的量子点结构、本征GaAs层、p型GaAs层、p+型GaAs层、p+型Al0.8Ga0.2As层和p+型GaAs层；步骤5：在p+型GaAs层上蒸发上金属电极；步骤6：刻蚀上金属电极，使上金属电极形成网状；步骤7：在网状上金属电极上及裸露的p+型GaAs层上生长减反层；步骤8：剥离减反层，使上金属电极裸露；步骤9：在衬底的下表面制作下金属电极，形成电池组件；
辅助生长砷化铟砷化镓量子太阳电池制作方法

[发明专利]微机电系统的封装构造及其制造方法-CN200810092709.3有效
发明人：杨学安;王盟仁;王维中;李明锦;黄蔚彬;郑凤珍 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2008-04-10 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：该第一层板包含一下金属线路、一金属薄膜及一贯穿开口，该下金属线路位于该第一层板的下表面上，该金属薄膜配置于该下金属线路上。该第二层板包含一上金属线路及一金属电极片，该上金属线路位于该第二层板的上表面上，该金属电极片配置于该上金属线路上，且该金属电极片对应于该金属薄膜。该压合材料配置于该下金属线路与该上金属线路之间，并包含一中空部分，用以容纳该金属薄膜及该金属电极片，该金属薄膜、该中空部分及该金属电极片形成一感应单元，其对应于该贯穿开口。
微机系统封装构造及其制造方法

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