“三维半导体器件”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果4244203个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]三维半导体器件-CN201110347712.7无效
发明人：李昌炫;孙炳根;朴赞真;赵慧珍;张盛壹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种三维半导体器件。该三维半导体存储器件包括：在下结构上的上结构，该上结构包括导电图案；半导体图案，穿过上结构连接到下结构；以及绝缘间隔物，在半导体图案与上结构之间，绝缘间隔物的底表面位于等于或高于下结构的最高表面的竖直水平面
三维半导体器件

[发明专利]三维半导体器件-CN201610909317.6有效
发明人：辛京准;李秉一;殷东锡;李炫国;曹盛纯 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-18 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：本公开提供了三维半导体器件。一种三维(3D)半导体器件包括：多个栅电极，在垂直于基板的顶表面的方向上层叠在基板上；沟道结构，穿过该多个栅电极并连接到基板；以及孔隙，设置在基板中并位于沟道结构下面。
三维半导体器件

[发明专利]三维半导体器件-CN201010596401.X有效
发明人：沈载株;金汉洙;赵源锡;张在薰;曹雨辰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种三维半导体器件。该三维半导体器件可包括：模结构，具有间隙区；以及互连结构，包括设置在间隙区中的多个互连图案。
三维半导体器件

[发明专利]三维半导体器件-CN201510684447.X有效
发明人：沈载株;金汉洙;赵源锡;张在薰;曹雨辰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本发明提供一种三维半导体器件。该三维半导体器件可包括：模结构，具有间隙区；以及互连结构，包括设置在间隙区中的多个互连图案。
三维半导体器件

[发明专利]三维半导体器件-CN201510102923.2有效
发明人：李宰求;朴泳雨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本公开提供了三维半导体器件。一种三维(3D)半导体器件包括在垂直方向上彼此间隔开的导电层的叠层，该叠层在连接区域中具有阶梯状部分，导电层的端部分别构成阶梯状部分的梯面。3D半导体器件还包括设置在导电层的各端部上并在其上突出的缓冲图案、设置在该叠层之上并包括导线的互连结构、以及在导线与缓冲图案之间垂直地延伸并经由缓冲图案电连接到叠层的导电层的接触插塞。
三维半导体器件

[发明专利]三维半导体器件-CN201810865994.1在审
发明人：李呈焕;金知勇;尹石重;李知泫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：一种三维半导体器件包括：栅电极，其包括焊盘区域，所述焊盘区域沿第一方向依次降低第一阶梯部分并且沿垂直于所述第一方向的第二方向依次降低第二阶梯部分，所述第二阶梯部分低于所述第一阶梯部分，其中，在依次降低所述第二阶梯部分的焊盘区域之中的单个焊盘区域沿所述第二方向的长度小于所述焊盘区域中的剩余焊盘区域沿所述第二方向的长度
焊盘区域三维半导体器件栅电极垂直

[发明专利]三维半导体器件-CN201510727759.4在审
发明人：李相范 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：公开了一种三维半导体器件，包括：外围电路；存储单元阵列，层叠在外围电路上并且包括沿第一方向定义的存储区域和减薄区域，其中，减薄区域包括沿第一方向交替定义的接触区域和阶梯区域，其中，减薄区域还包括沿与第一方向正交的第二方向定义的平台区域
三维半导体器件

[发明专利]三维半导体器件-CN201610192155.9在审
发明人：朴照英;李锡元;徐晟准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维半导体器件，包括：衬底，其包括接触区、虚设区和单元阵列区；以及堆叠结构，其包括垂直地堆叠在所述衬底上的多个电极。
三维半导体器件

[发明专利]三维半导体器件-CN202010359712.8在审
发明人：吴承河;姜泌圭;金国桓;金元洪;佐佐木雄一朗;李相遇;林圣根;河龙湖;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：一种三维半导体器件包括：下衬底；设置在下衬底上的多个下晶体管；设置在下晶体管上的上衬底；设置在下晶体管与上衬底之间的多个下导电线路；以及设置在上衬底上的多个上晶体管。
三维半导体器件

[发明专利]三维半导体器件-CN201910454955.7在审
发明人：尹壮根;李载德 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：提供了一种三维半导体器件，所述三维半导体器件包括：下部结构；位于所述下部结构上的堆叠结构，所述堆叠结构包括：下组，所述下组包括在垂直方向上堆叠并且彼此间隔开的栅电极，以及上组，所述上组包括在所述垂直方向上堆叠并且彼此间隔开的栅电极所述垂直结构可以包括垂直芯图案、位于所述垂直芯图案中的垂直缓冲部分以及垂直半导体层。
垂直垂直结构堆叠结构堆叠三维半导体器件下部结构垂直芯栅电极穿过缓冲垂直半导体层图案上部区域下部区域

[发明专利]三维半导体器件-CN201910461808.2在审
发明人：郑煐陈;印炯烈;曹诚汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：一种三维半导体器件包括经过第一沟道结构和第二沟道结构之间以及第一虚设沟道结构和第二虚设沟道结构之间的公共源极线，其中公共源极线和第一沟道结构之间在第一方向上的距离等于公共源极线和第二沟道结构之间在第一方向上的距离
三维半导体器件

[发明专利]三维半导体器件-CN201910717479.3在审
发明人：白石千 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种三维半导体器件包括：堆叠结构，位于下部结构上；竖直沟道结构，穿过所述堆叠结构；以及第一竖直支撑结构，穿过所述堆叠结构并与所述竖直沟道结构间隔开。所述竖直沟道结构还包括沟道半导体层。所述竖直沟道结构包括第一竖直区域、第二竖直区域以及位于所述第一竖直区域与所述第二竖直区域之间的宽度变化部分。
三维半导体器件

[发明专利]三维半导体器件-CN201911017568.3在审
发明人：黄盛珉;任峻成;康范圭;安在昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一种三维半导体器件包括在下结构上的第一栅极组和在第一栅极组上的第二栅极组。
三维半导体器件

[发明专利]三维半导体器件-CN201910795057.8在审
发明人：沈善一;金庆东;宋柱鹤;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：一种三维半导体器件，包括：第一基板；在第一基板上的第二基板，第二基板包括图案部分和覆盖图案部分的板部分，板部分的宽度大于图案部分中的每个图案部分的宽度并且板部分连接到图案部分；在第一基板与第二基板之间的下部结构
三维半导体器件

[发明专利]三维半导体器件-CN202011460967.X在审
发明人：李玟洙;李基硕;宋珉宇;吴贤实;赵珉熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种三维半导体器件，包括：第一沟道图案，其位于衬底上并与衬底间隔开，第一沟道图案具有第一端和第二端以及在第一端与第二端之间连接的第一侧壁和第二侧壁，第一端和第二端在与衬底的顶表面平行的第一方向上彼此间隔开，第一侧壁和第二侧壁在与衬底的顶表面平行的第二方向上彼此间隔开，第二方向与第一方向相交；位线，其与第一沟道图案的第一端接触，位线在与衬底的顶表面垂直的第三方向上延伸；以及第一栅电极，其与第一沟道图案的第一侧壁相邻
三维半导体器件

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top