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[发明专利]具备离子选择和存储功能的二次离子质谱一次离子源-CN201110067118.2无效
发明人：王亮;徐福兴;丁传凡 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-03-21 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：本发明属于分析技术领域，具体为一种具备离子选择和存储功能的二次离子质谱一次离子源。具体为采用四极杆电极系统对一次离子源产生的离子进行质量选择和离子存储。二次离子质谱中，二次离子的离子化效率和对样品深度的分析能力取决于一次离子的能量。四极杆电极系统一方面可以实现选择特定质荷比的离子作为二次离子质谱的一次离子；另一方面可以通过存储特定质荷比的离子来增加二次离子质谱的一次离子流的大小。相比于传统的二次离子质谱仪，本发明能够提高二次离子的离子化效率，同时优化了仪器结构。
具备离子选择存储功能二次一次离子源

[发明专利]一种二次离子质谱的一次离子源-CN201010222243.1无效
发明人：王亮;徐福兴;丁传凡 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-07-09 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01J49/10 文献下载
摘要：本发明属于分析技术领域，具体为一种二次离子质谱的一次离子源。具体采用带多电荷的较大分子化合物的离子作为二次离子质谱的一次离子源。二次离子质谱中，二次离子的离子化效率和对样品深度的分析能力取决于一次离子的能量。带多电荷的一次离子，相比于传统的带单电荷的一次离子，能在相同加速电场下获得更大的动能，从而提高二次离子的离子化效率，优化了仪器结构。本发明给出的实验系统具有结构简单，操作方便，造价便宜等优点。
一种二次离子一次离子源

[发明专利]一种改善外延层错的洗净方法-CN202211094070.9在审
发明人：孙涛;洪漪;胡久林 -专利权人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种改善外延层错的洗净方法，其特征在于，对洗净机进行清洗；洗净机从左至右排布有顺序连接的一次去离子水槽、一次试剂槽、二次试剂槽、二次去离子水槽、三次去离子水槽、四次去离子水槽以及五次去离子水槽；一次试剂槽以及二次试剂槽设有加热机构；洗净机的清洗步骤包括将去离子水注入一次试剂槽以及二次试剂槽后，加热去离子水，当去离子水升温到60‑90℃，一次试剂槽与二次试剂槽内的去离子水注入到二次去离子水槽、三次去离子水槽、四次去离子水槽以及五次去离子水槽
一种改善外延洗净方法

[发明专利]离子除去系统-CN201980036430.X在审
发明人：竹久绫音;前田康成;秋田朋弘 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C02F1/58 文献下载
摘要：本发明的离子除去系统具备：一次侧离子除去装置，其具备收容硬水的一次侧硬水收容部和产生微细气泡并供给至一次侧硬水收容部的一次侧微细气泡产生部，在一次侧硬水收容部中，使硬水中的第一金属离子吸附于微细气泡，将第一金属离子从硬水中除去；二次侧pH调节装置，其使利用一次侧离子除去装置除去了第一金属离子的硬水的pH提高；以及二次侧离子除去装置，其具备收容利用二次侧pH调节装置使pH有所提高的硬水的二次侧硬水收容部和产生微细气泡并供给至二次侧硬水收容部的二次侧微细气泡产生部，在二次侧硬水收容部中，使硬水中的第二金属离子吸附于微细气泡，将第二金属离子从硬水中除去。
离子除去系统

[发明专利]一种高效稳定的二次离子提取装置-CN202111402511.2在审
发明人：龙涛;齐超;刘敦一 -专利权人：中国地质科学院地质研究所
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01J49/04 文献下载
摘要：本发明涉及离子质谱技术领域，提供了一种高效稳定的二次离子提取装置，包括样品靶、一次离子光学单元、二次离子提取单元、电子枪、离子透镜和离子偏转单元；一次离子光学单元产生一次离子；二次离子提取单元提取样品靶产生的二次离子；电子枪中和样品表面累积的电荷；离子透镜对来自二次离子提取单元的二次离子进行聚焦；离子偏转单元对经过聚焦后的二次离子进行低像差偏转。本发明由样品靶表面、第一提取电极、第二提取电极组成的提取电极实现二次离子的高效、稳定提取；一次离子在样品靶表面产生电荷积累时，采用电子枪中和样品靶表面电荷；由第一和第二双端双极性偏转板、单透镜组成的传输系统，实现离子的低像差、高效率传输。
一种高效稳定二次离子提取装置

[发明专利]质谱仪-CN201280049341.7无效
发明人：岩崎光太 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：为了在质谱分析中解决由于落在一次射束的阴影下的凸凹表面的阴影部分导致的发射离子的分布与测量对象表面上的物质分布相互不同的问题，本装置的一次离子光学系统（12）包括被配置为以一次离子在飞行的过程中与二次离子的飞行空间相交的方式偏转一次离子的偏转单元
质谱仪

[发明专利]降低自掺杂效应的方法及半导体结构-CN201710126770.4在审
发明人：李震远;史江北;安云玲;刘传军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明揭示了一种降低自掺杂效应的方法及半导体结构。埋层中涉及到第一次离子注入和第二次离子注入，且所述第二次离子注入的深度小于第一次离子注入的最小深度，通过进行快速热处理，使得第一次离子注入的离子和第二次离子注入的离子形成共价键，由此使得第一次离子注入的离子稳定
离子半导体结构外延层自掺杂快速热处理晶格结构离子稳定离子形成共价键埋层溢出保证

[发明专利]一种降低超薄硅片粘片率的清洗方法-CN202210117237.2在审
发明人：蔡建华;贺贤汉 -专利权人：上海申和投资有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种降低超薄硅片粘片率的清洗方法，包括如下步骤：步骤一，途径去离子水槽进行清洗；步骤二，途径一次清洗剂槽、二次清洗剂槽以及三次清洗剂槽清洗；步骤三，途径一次去离子水槽、二次去离子水槽、三次去离子槽以及四次去离子水槽清洗；一次去离子水槽的温度为50℃‑60℃；二次去离子水槽的温度为50℃‑60℃；三次去离子水槽的温度为50℃‑60℃；四次去离子水槽的温度为85℃‑90℃；步骤四，一次干燥以及二次干燥。本发明通过优化去离子水槽的温度，将最后一个去离子水槽的温度进行提升后，粘片率明显降低了。硅片粘片比率从12％降低至5.6％，碎片比率从2.72％降低至1.55％以下。
一种降低超薄硅片粘片率清洗方法

[发明专利]一种锂离子二次电池的化成方法-CN200710106086.6有效
发明人：魏岩巍;张静;王晓普 -专利权人：上海比亚迪有限公司
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01M10/38 文献下载
摘要：一种锂离子二次电池的化成方法，该方法包括向锂离子二次电池内注入电解液并陈化，然后对锂离子二次电池进行充电，所述充电方法包括第一次充电过程和第二次充电过程，在第一次充电过程之后再次向锂离子二次电池内注入电解液，所述在第一次充电过程之前注入的电解液和在第一次充电过程之后再次向锂离子二次电池内注入的电解液分别独立的为含有电解质锂盐和链状酸酯的混合溶液，其中，在第一次充电过程之前向锂离子二次电池内注入的电解液中还含有成膜添加剂；在第一次充电过程之后再次向锂离子二次电池内注入的电解液中还含有过充添加剂。采用本发明的锂离子二次电池的化成方法能够有效改善电池的综合电化学性能。
一种锂离子二次电池化成方法

[发明专利]一种去除掺Sb品腐蚀药液残留的方法-CN202110947461.X有效
发明人：王建华;贺贤汉 -专利权人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种去除掺Sb品腐蚀药液残留的方法，包括如下步骤：步骤一，使用一次清洗混合液进行一次清洗，一次清洗混合液为SC‑1清洗溶液；步骤二，使用二次清洗混合液进行二次清洗，二次清洗混合液为SC‑1清洗溶液；步骤三，使用去离子水一次冲洗；步骤四，使用去离子水二次冲洗；步骤五，使用碱性药液浸泡清洗；步骤六，使用去离子水一次冲洗；步骤七，使用去离子水二次冲洗；步骤八，使用去离子水三次冲洗。
一种去除 sb 腐蚀药液残留方法

[发明专利]一种锂离子二次电池的化成方法-CN200710112481.5有效
发明人：黄玉元;张才毓;姜占锋 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2007-06-28 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01M10/38 文献下载
摘要：锂离子二次电池的化成方法，该方法包括向锂离子二次电池内注入电解液，然后在锂离子二次电池的化成温度下对电池进行充电，所述充电方法包括第一次充电过程和第二次充电过程，在第一次充电过程之后再次向锂离子二次电池内注入电解液，其中，以第一次充电过程之前注入的电解液和第一次充电过程之后注入的电解液的总量为基准，在第一次充电过程之前注入的电解液的比例为50－80重量％，在第一次充电过程之后注入的电解液的比例为20－50重量％；所述锂离子二次电池是正极活性物质为磷酸亚铁锂的锂离子二次电池。该方法特别适用于以磷酸亚铁锂为正极活性物质的锂离子二次电池，能够有效提高电池的容量，改善电池的循环性能和大电流放电性能。
一种锂离子二次电池化成方法

[发明专利]一种钛铸锭焊接用夹持装置及应用其焊接钛铸锭的方法-CN201911302679.9在审
发明人：张弛;贾庆功;王锦群;张磊;马乐;杜亚宁;王志杰;李江伟;伊鹏;王一帆;张蕾 -专利权人：西安聚能装备技术有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： B23K10/02 文献下载
摘要：本发明属于钛及钛合金熔炼技术领域，涉及一种钛铸锭焊接用夹持装置及应用其焊接钛铸锭的方法，在整个焊接过程中，等离子焊枪固定不动，钛合金一次锭组件相对等离子焊枪运动形成焊缝。通过将钛合金一次锭组件固定在鼠笼式夹具上，并在焊接室内进行抽真空、充氩后，利用等离子焊接方式进行焊接；通过调节等离子焊枪的参数以及调整钛合金一次锭组件和等离子焊枪的相对位置，实现钛合金一次锭环焊缝的等离子焊接，提高了钛合金一次锭的焊接质量。整个焊接方法，操作简便，扩大了等离子焊枪的应用范围。
一种铸锭焊接夹持装置应用方法

[实用新型]制绒设备-CN202023337264.6有效
发明人：丁超;童洪波;李华;刘继宇 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：制绒设备包括：第一次酸洗槽对碱制绒后的单晶硅片第一次酸洗；金属离子辅助制绒槽对第一次酸洗后的单晶硅片进行金属离子辅助制绒；第一次脱金属槽对金属离子辅助制绒后的单晶硅片进行第一次脱金属处理；第二次酸洗槽对第一次脱金属后的单晶硅片第二次酸洗；修饰槽对第二次酸洗后的单晶硅片进行修饰、扩孔；第二次脱金属槽采用含有臭氧的水鼓泡的方式，对扩孔后的单晶硅片第二次脱金属。金属离子浓度较小，纳米孔洞尺寸小，反射率低。鼓泡产生震动，臭氧与金属离子发生化学反应，金属离子残留少，复合少，发电效率高。
设备

[发明专利]等离子无油富氧煤粉燃烧装置-CN201310007619.0无效
发明人：向卫;贾益 -专利权人：向卫;王庆;薛勤普;杜毅;任友华
申请日： 2013-01-09 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： F23D1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用等离子无油点燃一次风煤粉的等离子无油富氧煤粉燃烧装置，其特征在于该等离子无油富氧煤粉燃烧装置按一次风方向，依次是：一次风入口（1）、环状煤粉浓淡分离撞击器(2)、一次风筒（3）、煤用氧管线（4）、冷却周界风入口（5）、煤粉用氧喷口（6）、等离子点火器（7）、煤粉与氧预混燃烧室（一级燃烧室）（8）、二次燃烧筒收缩段（9）、冷却周界风筒（10）、二级燃烧筒（11）、一次风出口（12），其中：环状煤粉浓淡分离撞击器(2)、煤粉用氧喷口（6）、煤粉与氧预混燃烧室（一级燃烧室）（8）、二次燃烧筒收缩段（9）、二级燃烧筒（11），均置于一次风筒（3）中，它们的轴心线都在一次风筒（3）轴心线上，冷却周界风筒（10）置于一次风筒（3）外壳上，且中心轴在一次风筒（3）轴心线上，在一次风筒（3）外壳上按一次风方向布置有煤用氧管线（4）、等离子点火器（7）。
等离子无油富氧煤粉燃烧装置

[发明专利]一种离子注入方法-CN200910033893.9有效
发明人：周祖源;汤舍予 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-06-01 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明揭示一种离子注入方法，其包括提供离子源的步骤，对离子进行一次加速的步骤，使加速后的离子通过偏转磁场以筛选出符合能量要求、质量要求和电荷要求的离子的步骤，使筛选后的离子通过校正磁场，调整束流的形状、角度和平行度的步骤，对离子进行一次减速，使离子能量降低到所需注入能量的步骤，以及对半导体硅片进行轰击注入离子的步骤。本发明的离子注入方法，只对离子进行一次加速，一次减速来完成整个离子注入过程，注入过程中束流稳定性较高，而且可降低整个注入过程中的能量污染。
一种离子注入方法

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