[发明专利]交换耦合膜,磁电阻效应装置，磁电阻效应磁头及其制作方法有效
| 申请号： | 98122500.4 | 申请日： | 1998-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1141700C | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 川分康博;榊间博;里见三男;杉田康成 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的交换耦合膜包括一衬基和一多层膜。此多层膜包括：一铁磁性层和一邻接此铁磁性层设置的用于抑制此铁磁性层的磁旋的磁旋抑制层；此磁旋抑制层包括一Fe-M-O层(其中M’＝Al，Ti，Co，Mn，Cr，Ni或V)。 | ||
| 搜索关键词： | 交换 耦合 磁电 效应 装置 磁头 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于固定铁磁体磁化方向的交换耦合膜，包括一衬基和一多层膜，其中：此多层膜包括一铁磁性层和一邻接此铁磁层设置的用于抑制此铁磁性层的磁旋的磁旋抑制层；和此磁旋抑制层包括一Fe-M-O层，其中M＝Al、Ti、Cu、Mn、Cr、Ni或V。
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