[发明专利]维度可编程熔丝排及制造方法有效
| 申请号： | 98118556.8 | 申请日： | 1998-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1106018C | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | 克里斯琴·A·伯格 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | G11C8/02 | 分类号： | G11C8/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种可修复半导体存储器阵列，包括主存储器阵列210；用来修复主存储器阵列的行元素或列元素的一组冗余行212和一组冗余列214；与该组冗余行和该组冗余列电连接的熔丝排组216。可修复半导体存储器阵列还包括包含在熔丝排组中的多个熔丝排218。该多个熔丝排的每一个都是可编程为用来对主存储器阵列的列元素或行元素寻址，和该被寻址的列元素或行元素被该组冗余行的一行或这组冗余列的一列所取代。 | ||
| 搜索关键词： | 维度 可编程 熔丝排 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可修复半导体存储器阵列，包括：主存储器阵列；用来修复该主存储器阵列的行元素或列元素的一组冗余行和一组冗余列；和多个熔丝排，所述多个熔丝排被排列在一熔丝排组之中，该熔丝排组与所述的一组冗余行和一组冗余列电连接，该多个熔丝排的每一个都是可编程为用来对该主存储器阵列的列元素和行元素两者之一寻址，被寻址的列元素和行元素中之一由该组冗余行的一行或该组冗余列的一列所取代。
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