[发明专利]改进的动态随机存取存储器和相关方法无效
| 申请号： | 98114906.5 | 申请日： | 1998-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1223440A | 公开（公告）日： | 1999-07-21 |
| 发明（设计）人： | 海因茨·霍尼格施密德;约翰·德布洛斯 | 申请（专利权）人： | 西门子公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有存储器单元的动态随机存取存储器阵列,包含一较低金属层和一置于该较低金属层上的较高金属层。还包括一个置于较低金属层和较高金属层间的介电层。还包括多个位线的第一位线,该第一位线包括形成于较低金属层中的较低金属第一位线部分。较低金属第一位线部分被耦合到第一条存储器单元的第一多个存储器单元上。第一位线还包括形成于较高金属层中的较高金属第一位线部分。该较高金属第一位线部分通过第一接点经过所述介电层耦合到较低第一金属位线部分。第一接点被置于所述有源区域中的一个之上。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 动态 随机存取存储器 相关 方法 | ||
【主权项】：
1．一种具有存储器单元的动态随机存取存储器阵列，所述阵列的各个单元可以被多个字线和多个位线寻址，所述存储器单元被置于所述阵列的有源区域内，所述存储器单元阵列包括第一条存储器单元，所述阵列包含：一个较低金属层；一个置于所述较低金属层之上的较高金属层；一个置于所述较低金属层和所述较高金属层之间的介电层；和所述多个位线的第一位线包括：在所述较低金属层内形成的较低金属第一位线部分，该较低金属第一位线部分被耦合到所述第一条存储器单元的第一多个存储器单元上；和在所述较高金属曾内形成的较高金属第一位线部分，该较高金属第一位线部分通过第一接点经过所述介电层被耦合到所述较低第一金属位线部分上，所述第一接点被设置在所述有源区域中一个的上方。
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