[发明专利]磁头无效

专利信息
申请号: 94115164.6 申请日: 1994-09-15
公开(公告)号: CN1066275C 公开(公告)日: 2001-05-23
发明(设计)人: 长谷川直也;小池文人;新田敦己 申请(专利权)人: 阿鲁普斯电气株式会社
主分类号: G11B5/127 分类号: G11B5/127
代理公司: 北京三幸商标专利事务所 代理人: 刘激扬
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种含有淀积于衬底上的磁膜的磁头。磁膜由软磁合金制成,该合金晶粒平均粒径小于30nm;以及所述衬底靠近磁芯的部分在从室温到600℃温度范围内的平均线热膨胀系数为117×10#+[-7]到135×10#+[-7]/℃。软磁合金的线热膨胀系数和衬底的线热膨胀系数满足不等式1≤αf/αs≤1.3。因此,具有高磁导率、低矫顽力和出色的耐蚀性。
搜索关键词: 磁头
【主权项】:
权利要求书1.一种磁头,它是在两个磁芯半体中的至少一个上施设绕线槽,通过由非磁性材料构成的磁隙,利用玻璃材料将所述两个磁芯半体熔融结合,形成环状磁性回路的,其特征在于:所述磁芯半体是用衬底夹着磁膜的,所述两个磁芯的磁膜是通过所述磁隙相对设置的,是由软磁合金制成的,该合金晶粒平均粒径小于30nm;所述磁膜由包含从如下定义的金属组M中选出的金属的碳化物和氮化物的软磁合金所制成,所述软磁合金具有以下式表示的组成:Fe-Xa-Mb-Zc-Td式中,X是Si或是Al,或者两者都有,M是选自下列金属组中至少一种金属:Zr、Hf、Nb和Ta,Z是C,或是N,或者两者皆有,T是选自下列金属组中至少一种金属:Cr、Ti、Mo、W、V、Re、Ru、Rh、Ni、Co、Pd、Pt和Au,并且:0.5≤a≤25(原子%)1≤b≤10(原子%)0.5≤c≤15(原子%)0≤d≤10(原子%),以及其余部分是铁;所述衬底靠近磁芯的部分从室温到600℃温度范围内的平均线热膨胀系数为117×10-7~135×10-7/℃,所述衬底从MnO-NiO、Ta2O5-CaO、Zn铁素体中至少选择一种合金制备;软磁合金的线热膨胀系数αf和所述衬底的线热膨胀系数αs满足下列不等式:1≤αf/αs≤1.3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿鲁普斯电气株式会社,未经阿鲁普斯电气株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/94115164.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top