[发明专利]电子、光子引发可逆相变的光记录介质在审
| 申请号： | 92100289.0 | 申请日： | 1992-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1074777A | 公开（公告）日： | 1993-07-28 |
| 发明（设计）人： | 戎霭伦;司徒活;赵晶;叶倩青;张维佳;吕燕伍;于泓涛;张新海 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属光盘存储技术领域。记录介质的可逆相变发生在玻璃态与晶态之间。写入信息对应介质从晶态到玻璃态的转变，擦除则相反，技术上应解决的问题是玻璃态的热稳性即写入信息能长期保存；写入后的快擦除即晶化速率应尽可能快；相变中的热疲劳即写/擦循环数应尽可能高。本发明设计的材料具有(1)较大光能隙，(2)光致突发晶化，(3)适用于不同波段。因而能够较好解决以上难题，并可制成直接重写数据盘用于计算机外存，或制成录相盘作图像处理专用。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 光子 引发 可逆 相变 记录 介质 | ||
【主权项】：
1、一种在可擦重写相变光盘记录介质中实现激光光致突发晶化的方法。其特征在于介质的激光光晶化可以在几个纳秒的时间内突然发作。然后通过声子参与的弛豫过程在几十纳秒的时间内完成。即：光晶化过程=光致突发晶化(1～2ns)+声参弛豫过程(几十ns)。它不像激光热晶化那样通过晶核形成、晶粒长大的较长晶化过程。
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