[发明专利]单晶硅生产设备

摘要

一种按照坩埚不旋转的切克劳斯基法高速提拉直径大、组成稳定的单晶硅的单晶硅生产设备。通过妥善维持单晶硅外周边与分隔件内侧熔融硅自由表面的热平衡，可以高速提拉大直径单晶硅。必须满足的条件如下4＝18-24英寸，3/4＝0.75-0.84；2-1＝30-50毫米，α＝15-25度；及h＝10-30毫米，其中1为单晶硅直径，2为保温盖圆柱形侧面部分下端处的孔径，3为分隔件的直径，4为坩埚直径，h为熔融硅表面至2部分的距离。

主权项

1、一种单晶硅生产设备，包括：一装熔融硅的旋转式石英坩埚；一电阻式加热器，用以从石英坩埚的侧面加热石英坩埚；一石英分隔件，配置得使其将坩埚中的熔融硅分隔成单晶硅生长分区和原料熔融分区，石英分隔件上有许多小孔，使所述熔融硅能通过这些小孔流通；一保温盖，在原料熔融分区上方，盖住分隔件内侧；和原料进料装置，用以将原料硅连续送到原料熔融分区中；所述设备的特征在于，石英坩埚直径在18至24英寸范围，分隔件直径与石英坩埚直径的比值在75%与84%之间，所述保温盖给分隔件保温的圆柱形部分下端的孔径比单晶硅的直径大30至50毫米，连接所述保温盖盖住所述分隔件圆柱形侧面部分上端处孔口边缘与所述圆柱形侧面部分下端处孔口边缘的直线与垂直线形成的角在15至25度的范围，所述保温盖盖住分隔件的圆柱形侧面部分下端处孔口边缘至熔融硅表面的距离在10至30毫米的范围。