[发明专利]氧化物超导体无效

专利信息
申请号: 89103433.1 申请日: 1988-01-30
公开(公告)号: CN1016020B 公开(公告)日: 1992-03-25
发明(设计)人: 长谷川晴弘;川辺潮;樽各良倍;深泽德海;会田敏之;高木一正 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: H01B12/00 分类号: H01B12/00;C04B35/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种经改进后具备高临界电流密度的氧化物超导体,包括一种具有类钙钛矿晶体结构的氧化物,其结构为含有Na、K、Rb、Cs或F中的一种原子的LnBa2Cu3O7,其中Ln包括选自Y、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm和Yb中的一种原子。
搜索关键词: 氧化物 超导体
【主权项】:
1.一种具有类钙钛矿结构的氧化物超导体,其结构由下式表示:(LnxBayAKz)3Cu3O7其中,Ln包括选自Y、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm和Yb中的一种原子,AK包括选自Na、K、Rb、和Cs中的一种原子,且x+y+z=1。
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