[发明专利]氧化物超导体无效
申请号: | 89103433.1 | 申请日: | 1988-01-30 |
公开(公告)号: | CN1016020B | 公开(公告)日: | 1992-03-25 |
发明(设计)人: | 长谷川晴弘;川辺潮;樽各良倍;深泽德海;会田敏之;高木一正 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H01B12/00 | 分类号: | H01B12/00;C04B35/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种经改进后具备高临界电流密度的氧化物超导体,包括一种具有类钙钛矿晶体结构的氧化物,其结构为含有Na、K、Rb、Cs或F中的一种原子的LnBa2Cu3O7,其中Ln包括选自Y、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm和Yb中的一种原子。 | ||
搜索关键词: | 氧化物 超导体 | ||
【主权项】:
1.一种具有类钙钛矿结构的氧化物超导体,其结构由下式表示:(LnxBayAKz)3Cu3O7其中,Ln包括选自Y、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm和Yb中的一种原子,AK包括选自Na、K、Rb、和Cs中的一种原子,且x+y+z=1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所,未经株式会社日立制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/89103433.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:新的双环内酰胺的制备方法
- 下一篇:电梯控制装置