[其他]分离磁体式平面磁控溅射源无效
| 申请号： | 87214299 | 申请日： | 1987-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN87214299U | 公开（公告）日： | 1988-08-10 |
| 发明（设计）人： | 王德苗;任高潮 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/36 | 分类号： | C23C14/36 |
| 代理公司： | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人： | 连寿金 |
| 地址： | 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种分离磁体式平面磁控溅射源，它含有一个位于阴极靶[4]外侧的固定式圆环形磁体[2]和一个或若干个作圆周运动的内磁组件构成的磁场源，以及一个优先冷却阴极靶[4]的水冷器。能产生一个或多个作圆周运动的扇形等离子体闭合环，或者产生一个能旋转的∞字形等离子体闭合环。同已有的平面磁控溅射源比较，具有靶面有效溅射区域大、溅射刻蚀均匀、靶材利用率高、薄膜的等厚度沉积面积大等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 磁体 平面 磁控溅射 | ||
【主权项】：
1、一种由转轴、磁场源、平面形阴极靶、水冷器以及屏蔽罩组成的分离磁体式平面磁控溅射源，其特征在于该溅射源包含一个由固定式圆环形磁体[2]和一个或者若干个作圆周运动的内磁组件[1]构成分离磁体式磁场源，以及一个优先冷却阴极靶[4]的溅射区的水冷器。
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