[其他]非晶硅太阳电池背电极的刻蚀方法无效
| 申请号： | 87101127 | 申请日： | 1987-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1004315B | 公开（公告）日： | 1989-05-24 |
| 发明（设计）人： | 钟伯强;施亚玲;肖兵;张秀荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 聂淑仪 |
| 地址： | 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用激光－化学腐蚀刻蚀ａ－ｓｉ太阳电池背电极，涉及半导体及光电器件。本发明是在背金属电极上涂敷一层极薄的防腐层，用激光按所需背金属电极的图案刻蚀防腐层，然后再用化学腐蚀来除去背电极，从而达到无掩模刻蚀背金属电极的目的。防腐层可用旋涂法、喷涂法或浸涂法涂敷于背金属电极的表面上，根据防腐层的厚度选择适当的激光参数如光源电源电压、电流，激光扫描或样品移动的速度，调Ｑ频率等即能获得满意的刻蚀效果。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅 太阳电池 电极 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/87101127/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有控制自由湍纱尾装置的高速静电纺纱器
- 下一篇：毫米波宽带直接调频器
- 同类专利
- 专利分类
