[发明专利]半导体器件原位微区电流分布检测方法及系统在审
| 申请号： | 202311178015.2 | 申请日： | 2023-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN116930594A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 宋斌斌;陈燕宁;刘芳;高杰;王凯;赵扬;朱亚星;黄保成;孟庆萌;常泽洲 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;国网山西省电力公司;国网山西省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G06F30/38 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 封瑛 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件原位微区电流分布检测方法及系统，属于半导体器件检测领域，该方法包括：搭建NV色心检测平台；对半导体器件检测样品施加电流，使其导通；利用NV色心检测平台检测半导体器件检测样品正面的磁场强度；利用傅里叶变换、毕奥‑萨伐尔定律、电流密度连续性方程和半导体器件检测样品正面的磁场强度计算半导体器件检测样品正面的原位微区电流密度，以确定半导体器件原位微区电流分布。通过本发明提供的方法，能够探测半导体器件的磁场信号，从而反演获得半导体器件内部微区电流信息，实现半导体器件原位微区电流分布检测，获得半导体器件中载流子实际的输运过程，指导半导体器件设计。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 原位 电流 分布 检测 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京智芯微电子科技有限公司;国网山西省电力公司;国网山西省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司，未经北京智芯微电子科技有限公司;国网山西省电力公司;国网山西省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202311178015.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种复合材料的渗漏性测试系统及方法
- 下一篇：垂直起降无人机自动加放油系统
