[发明专利]一种硅基负极原位包覆石墨烯的方法在审
| 申请号： | 202311151830.X | 申请日： | 2023-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN116936774A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 方东;辛雨航;罗谈 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/04;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 昆明合盛知识产权代理事务所(普通合伙) 53210 | 代理人： | 贺博 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明公开的一种硅基负极原位包覆石墨烯的方法，其特征在于具体步骤为：将硅基粉体加入100‑1000mL的(1‑20)％硝酸铜或硝酸镍的水溶液中，烘箱中在50‑100℃下保温12小时干燥，获得乙酸铜或乙酸镍包覆的硅基复合粉体；将步骤(1)所得的硅基复合粉体在Ar/H |
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| 搜索关键词： | 一种 负极 原位 石墨 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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