[发明专利]一种高PSR的无片外电容LDO电路在审
| 申请号： | 202310996002.X | 申请日： | 2023-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN116719382A | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 程翔;康凯;赵晨曦 | 申请（专利权）人： | 成都通量科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 成都厚为专利代理事务所(普通合伙) 51255 | 代理人： | 夏柯双 |
| 地址： | 610097 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高PSR的无片外电容LDO电路，涉及集成电路技术领域，包括LDO基本电路、与LDO基本电路连接的电源纹波前馈通路和与LDO基本电路连接的负电容等效电路；所述LDO基本电路包括误差放大器和输出MOS管，所述电源纹波前馈通路用于将中高频电源纹波复制到输出MOS管的栅端，所述负电容等效电路用于产生的负电容抵消所述输出MOS管栅端的部分寄生电容。在本发明中，基于负电容补偿结构的LDO进行改进，弥补了传统的负电容补偿结构的LDO在不同负载电流下的中高频电源纹波抑制性能恶化的缺陷，最终在宽频率范围下和不同负载电流下得到了高电源纹波抑制的电压输出。除此之外，本发明中的负电容等效电路无需额外的运放，结构简单，加快了电路设计的进度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 psr 外电 ldo 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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