[发明专利]用于断层重建的OSMO优化改进方法及存储介质在审
| 申请号： | 202310967445.6 | 申请日： | 2023-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN116681840A | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 张艳超;余毅;高策;何丁龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | G06T17/00 | 分类号： | G06T17/00;G06T19/20 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 陈陶 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及体积增材制造技术领域，具体为一种用于断层重建的OSMO优化改进方法及存储介质，包括以下步骤：对模型结构进行OSMO优化处理，得到最终中间优化模型和断层重建目标的第一中间变量；对所述最终中间优化模型的边缘区域进行增强处理，得到增强优化模型和所述断层重建目标的第二中间变量；基于以上步骤迭代优化所述增强优化模型和所述第二中间变量，得到所述断层重建目标的最优结构，在OSMO优化算法的基础上对目标边缘区域做优化处理，进一步提高打印精度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 断层 重建 osmo 优化 改进 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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